欧美老人巨大xxxx做受,成年人黄色大片大全,久久夜色精品国产欧美乱极品

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?...

英飛凌 oolMOS 8 2024-06-27

全力以赴抗疫情開足馬力促生產(chǎn)——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

基于國(guó)內(nèi)外大客戶對(duì)高端功率半導(dǎo)體器件的旺盛需求，特別是超級(jí)結(jié)產(chǎn)品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應(yīng)用，華虹集團(tuán)旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數(shù)達(dá)到了48萬！生產(chǎn)線在年度動(dòng)力檢修后已滿負(fù)荷運(yùn)行，...

半導(dǎo)體 IGBT 2020-02-10

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為......

SJ-MOS VDMOS 2012-12-11

SJ-LDMOST中的襯底輔助耗盡效應(yīng)

本文分析了SJ-LDMOST中襯底輔助耗盡效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理。文中將業(yè)界消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的主要方法分成兩類，并提出消除襯底輔助耗盡效應(yīng)的途徑...

SJ-LDMOST 功率集成電路 2011-12-26

久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

SJ-LDMOST

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

全力以赴抗疫情開足馬力促生產(chǎn)——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

SJ-LDMOST中的襯底輔助耗盡效應(yīng)

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——智能工廠專場(chǎng)

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——汽車電子專場(chǎng)