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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG D...

三星 MLC NAND 2025-05-27

意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地

意法半導(dǎo)體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò)的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導(dǎo)體智能 MEMS 傳感器的機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核 (MLC)上開發(fā)節(jié)點(diǎn)到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項(xiàng)目以及相關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置。MLC機(jī)器學(xué)習(xí)...

意法半導(dǎo)體 ST AIoT Craft 2024-11-25

凌華科技全新多功能一體式醫(yī)療平板電腦，賦能醫(yī)療可視化

凌華科技發(fā)布基于第 11 代Intel? Core? 處理器的 MLC-M 醫(yī)療平板電腦，全新的多功能一體式醫(yī)療平板電腦 MLC-M，提供卓越的性能和多任務(wù)處理能力，可以輕松運(yùn)行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS...

醫(yī)療平板電腦凌華科技 2023-10-16

機(jī)器學(xué)習(xí)模型設(shè)計(jì)過程和MEMS MLC

開發(fā)機(jī)器學(xué)習(xí)項(xiàng)目的五個(gè)步驟 — 掌握要點(diǎn)，應(yīng)用并不困難！邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)具有許多優(yōu)勢。然而，由于開發(fā)方法與標(biāo)準(zhǔn)程序設(shè)計(jì)方法截然不同，許多機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)者可能會擔(dān)心自己難以駕馭。其實(shí)，完全沒有必要擔(dān)心。一旦熟悉了步驟，并掌握了...

機(jī)器學(xué)習(xí) 模型設(shè)計(jì) 2021-12-07

國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布...

國產(chǎn) 閃存 2020-04-02

意法半導(dǎo)體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用增添機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核的能效優(yōu)勢

近日，意法半導(dǎo)體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動作檢測機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核(MLC)技術(shù)的優(yōu)勢擴(kuò)大到工業(yè)和高端消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域。機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核(MLC)技術(shù)對動作數(shù)據(jù)執(zhí)...

IMU MLC 2020-03-13

綠芯發(fā)布超耐久SLC SSD：25萬次擦寫循環(huán)

日前，高端固態(tài)存儲廠商綠芯（Greenliant）宣布了新一代NANDrive EX系列SSD，BGA單芯片整合方案，應(yīng)用了自家研發(fā)的超長壽EnduroSLC閃存，最高支持25萬次P/E編程擦寫循環(huán)。...

綠芯 SLC SSD 2019-09-04

一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊：X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)...

SLC MLC 2018-08-01

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采S...

MLC 閃存 2017-06-12

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲器儲存單元(...

SLC MLC 2016-10-15

美高森美推出專為關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用而設(shè)的基于SLC的最高容量安全固態(tài)硬盤

　　致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布用于國防、情報(bào)、無人機(jī)(unmanned aerial vehicle, UAV)...

美高森美 SLC 2015-08-06

東芝攜強(qiáng)大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展

　　　　日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強(qiáng)勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日...

東芝慕尼黑上海電子展 2015-03-30

東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢

　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長2...

東芝閃存 2015-01-09

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都...

NAND MLC 2014-12-23

電源設(shè)計(jì)小貼士:MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得 ......

電源 MLC 2013-10-14

MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得......

MLC 電源設(shè)計(jì) 2013-09-25

Spansion SLC NAND應(yīng)對嵌入式閃存應(yīng)用的新要求

　　最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個(gè)單層單元（SLC）系列NAND閃存產(chǎn)品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產(chǎn)品可大致分為以下三個(gè)系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃...

Spansion SLC 2012-06-01

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很...

表象技術(shù) 2012-05-28

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)...

Flash NAND 2012-04-05

SLC供電電源的設(shè)計(jì)電路

SLC供電電源的設(shè)計(jì)電路SLIC是一個(gè)可以構(gòu)成模擬電話接口,具有摘機(jī)/掛機(jī)信號傳送、鈴聲產(chǎn)生、鈴流檢測等功能 ......

SLC 供電電源 2012-01-29

三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，美國知識產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片...

三星 NAND 2009-07-29

NAND閃存價(jià)格波動破壞SSD市場普及性

　　周一消息研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預(yù)期。　　iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yan...

NAND 閃存 2009-07-15

Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久，...

英特爾 NAND 2009-06-29

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更...

NAND 柵極感應(yīng) 2008-08-22

英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品

據(jù)國外媒體報(bào)道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC...

MLC 閃存 2007-05-01

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SLC/MLC