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什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/...

羅姆半導(dǎo)體 dv 2022-09-22

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高...

202002 IGBT 2020-01-16

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包...

DT DV 2018-09-11

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）

高 di/dt 負(fù)載需要仔細(xì)考慮旁路問(wèn)題以保持電源動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非常靠近負(fù)載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短...

di/dt 德州儀器 2017-06-03

深度解讀阿里云六年成長(zhǎng)歷程：向DT世界轉(zhuǎn)型

　　6年前，云計(jì)算創(chuàng)業(yè)“無(wú)人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長(zhǎng)為全球領(lǐng)先的云計(jì)算服務(wù)平臺(tái)，開(kāi)始分享對(duì)于DT世界、云計(jì)算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護(hù)以及未來(lái)核心技術(shù)等方向的判斷。　　7月22日，首屆阿里云分享...

阿里云 DT 2015-07-23

　　6月9日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士透露稱(chēng)，蘋(píng)果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)還在升級(jí)自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，從而進(jìn)一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對(duì)手在云服務(wù)領(lǐng)域展開(kāi)更好的競(jìng)爭(zhēng)。　　目...

蘋(píng)果 DT 2015-06-10

阿里巴巴全球布局?jǐn)?shù)據(jù)中心謀DT時(shí)代戰(zhàn)略

雖然聽(tīng)起來(lái)挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機(jī)一鏟子挖壞了呢，難道沒(méi)有容錯(cuò)機(jī)制？阿里快長(zhǎng)點(diǎn)心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災(zāi)難性的事故了。...

阿里巴巴 DT 2015-05-28

數(shù)位儀表設(shè)計(jì)-HY12P65簡(jiǎn)化可攜式電量測(cè)量設(shè)計(jì)

　　一、?前言　　在可攜式電量測(cè)量設(shè)備中，常見(jiàn)有數(shù)位式復(fù)用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來(lái)測(cè)量出電量中的電壓及電流，電量訊號(hào)又可分成直流及交流，而交流部...

HY12P65 SDADC 2014-04-03

探索諾基亞無(wú)線(xiàn)充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機(jī)圖，請(qǐng)大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個(gè)旗艦產(chǎn)品的一級(jí)外配。......

DT-910 無(wú)線(xiàn)充電 2013-09-26

晶閘管燒壞的真實(shí)原因解析

摘要：文中從專(zhuān)業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過(guò)程中燒壞的真實(shí)原因，解開(kāi)了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。關(guān)鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開(kāi)通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性...

晶閘管 dv／dt 2013-03-25

可控硅dIT/dt測(cè)試線(xiàn)路的設(shè)計(jì)與測(cè)量

摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個(gè)重要參數(shù)，過(guò)高的dIT/dt可能會(huì)導(dǎo)致可控硅損壞或失效，故設(shè)計(jì)一個(gè)能準(zhǔn)確測(cè)量此參數(shù)的低成本線(xiàn)路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)潔的測(cè)量可控硅dIT/dt的測(cè)試電路，并介紹了它的測(cè)試...

測(cè)試可控硅 2012-08-20

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

在工業(yè)、汽車(chē)和航空電子應(yīng)用中，經(jīng)常會(huì)遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線(xiàn)路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場(chǎng)合還需要在此過(guò)程中可靠地運(yùn)作。在那些通過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)線(xiàn)供電的系統(tǒng)中，負(fù)載階躍 (...

凌力爾特電阻器 2012-07-31

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發(fā)轉(zhuǎn)...

DV DT 2012-06-13

超頻引擎實(shí)力爆發(fā) 精靈雷神DT深度拆解

　　對(duì)于游戲玩家，一款游戲鼠標(biāo)最重要的是舒適和適合;而對(duì)于發(fā)燒友來(lái)說(shuō)，不把鼠標(biāo)拆開(kāi)來(lái)細(xì)細(xì)研究一下，不能滿(mǎn)足發(fā)燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標(biāo)，其配備可調(diào)配重和宏編程鍵，采用可調(diào)DPI 100-57...

游戲鼠標(biāo) 精靈雷神 2012-06-04

高di/dt負(fù)載瞬態(tài)的電源及其分配系統(tǒng)設(shè)計(jì)

就許多中央處理器(CPU)而言，規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當(dāng)處理器變換工作模式的時(shí)候。例如，在1V的系統(tǒng)中，100A/uS負(fù)載瞬態(tài)可能會(huì)要求將電源電壓穩(wěn)定在3%以?xún)?nèi)。解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵就是...

di dt 2012-04-26

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（下）

關(guān)鍵詞：電源、雙極、驅(qū)動(dòng)器、電源設(shè)計(jì)小貼士、電源管理、模擬、半導(dǎo)體、電源設(shè)計(jì)小貼士、Robert Kollman、德州儀器、TI在《如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）》中，我們討論了電流快速變化時(shí)一些負(fù)載的電容旁路要求。...

雙極驅(qū)動(dòng)器 2012-04-23

如何處理高 di/dt 負(fù)載瞬態(tài)（上）

關(guān)鍵詞：電源、雙極、驅(qū)動(dòng)器、電源設(shè)計(jì)小貼士、電源管理、模擬、半導(dǎo)體、Robert Kollman、德州儀器、TI就許多中央處理器 (CPU) 而言，規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當(dāng)處理器變換工作模...

電源負(fù)載 2012-04-20

限制穩(wěn)壓器啟動(dòng)時(shí)dV/dt和電容的電路設(shè)計(jì)

穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡(jiǎn)單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動(dòng)電流。有時(shí)，設(shè)計(jì)約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面。這種案例有供電源穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)，電路中一次電源有完全限流規(guī)定，例如太空船的光電或...

電容電路設(shè)計(jì) 2011-04-20

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/D

DT DV 2010-06-12

鴻海土耳其廠(chǎng)預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)20萬(wàn)臺(tái)PC

　　7月1日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，鴻海土耳其廠(chǎng)預(yù)計(jì)將會(huì)在明年起量產(chǎn)，預(yù)估每年可以生產(chǎn)約20萬(wàn)臺(tái)PC。　　鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘之前指出，由于經(jīng)濟(jì)不景氣，品牌客戶(hù)勢(shì)必要與代工廠(chǎng)更緊密合作，鴻海具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，因此不景氣反而是鴻...

鴻海 PC 2009-07-02

存儲(chǔ)器大廠(chǎng)意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價(jià)格

　　近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格，一是每年1次的晶圓廠(chǎng)跳電事件，帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機(jī)制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠(chǎng)制...

存儲(chǔ)器 DRAM 2008-05-26

桌面級(jí)PC將成為家庭媒體中心

　　在2004年P(guān)C換機(jī)潮達(dá)至高點(diǎn)后，加上筆記本電腦價(jià)格持續(xù)下滑及效能精進(jìn)下，市場(chǎng)普遍認(rèn)為臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)成長(zhǎng)將趨緩，甚至預(yù)言NB出貨最快將于2009年一舉超越DT，DT成長(zhǎng)率將會(huì)局限在個(gè)位數(shù)水平，但事實(shí)則不然，盡管NB成長(zhǎng)快...

PC DT 2008-04-09

霍爾開(kāi)關(guān)在鋁電解天車(chē)自動(dòng)兌料對(duì)位中的解決方案

當(dāng)天車(chē)對(duì)好位并通過(guò)電磁鐵和霍爾開(kāi)關(guān)給凈化供料控制系統(tǒng)信號(hào)后,系統(tǒng)會(huì)給天車(chē)對(duì)料凈化供料部分的PLC一個(gè)輸出......

天車(chē) 中間繼電器 2008-04-07

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