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NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在: 1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫(xiě)時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。

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