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　　軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數據課題而受到人們的廣泛關注的，當時DRAM開始呈現出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電荷聚集區的減小速度快得多。這意味著： 當采用諸如90nm這樣的較小工藝幾何尺寸時，軟誤差是一個更加值得關注的問題，并需要采取進一步的措施來確保軟誤差率被維持在一個可以接受的水平上?！　ˇ亮Ｗ拥挠绊憽　“雽w器件封裝所采用的壓模化合物中有可能含有諸如Th232 和U238等雜質，這些物質往往會隨著時間的推移發生衰變。