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是德示波器如何精準測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn)：開關(guān)速度可達納秒級，電壓電流變化率（...

是德示波器精準測量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū)，產(chǎn)能達9000片/月

8月19日晚，功率半導(dǎo)體IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布半年度業(yè)績報告，2024年上半年營業(yè)收入約52.74億元，同比增加17.83%，創(chuàng)出歷史同期新高。公司營業(yè)利潤為 14,743 萬元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

盤點國內(nèi)SiC碳化硅襯底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)...

SiC 2023-10-28

英飛凌確認：兩家中國SiC供應(yīng)商獲車規(guī)認證并大規(guī)模出貨

導(dǎo)讀：9月4日，英飛凌德國總部向DIGITIMES證實，已經(jīng)提前完成來自中國兩家碳化硅（SiC）材料供應(yīng)商天岳先進（SICC）、天科合達（TankeBlue）的車規(guī)認證，而且已向全球客戶出貨。圖：英飛凌5月，芯片大師曾報...

SiC 2023-09-08

【資訊】全球SiC晶圓競爭，進入白熱化

來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號，全球芯片制造商正在快速采取行動，確保碳化硅功率器件的供應(yīng)。Onsemi 和 Rohm 也希望通過巨額預(yù)付款來提高 SiC 器件的產(chǎn)量，...

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功導(dǎo)入SEMIKRON-Danfoss功率模塊

ROHM Co., Ltd. 常務(wù)執(zhí)行董事CFO伊野和英（左）與SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

國際領(lǐng)先！新一代SIC晶體生長用材料

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：隨著導(dǎo)電型SIC襯底的逐漸量產(chǎn)，對工藝的穩(wěn)定性、可重復(fù)性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內(nèi)熱場微小的調(diào)整或漂移，都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰(zhàn)，除了理論和工...

多孔碳化鉭 SIC 2023-04-28

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

功率器件的興起帶動了電力電子產(chǎn)業(yè)的全面革命，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。電力電子未來發(fā)展的趨勢之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計，在高開關(guān)頻率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

要說半導(dǎo)體圈子現(xiàn)在啥最熱，非第三代半導(dǎo)體莫屬，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)將成為未來半導(dǎo)體發(fā)展的新熱點，而這些材料為基材的半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于和功率及能源相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，“碳中和”目標的實...

東芝 SiC 2023-04-27

買買買成就的SiC巨頭

來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察在21世紀初，隨著電動汽車、太陽能電池等新能源行業(yè)的迅速崛起，半導(dǎo)體材料SiC因其高溫、高壓、高頻等優(yōu)異性能成為備受關(guān)注的研究熱點。而在這個領(lǐng)域，全球范圍內(nèi)一些大型的SiC巨頭公司開始快速崛起，并通過...

SiC 2023-03-16

政策持續(xù)推動需求爆發(fā)，SiC在充電樁市場大有可為旺材芯片

來源：碳化硅芯觀察電動汽車發(fā)展正步入高速增長階段。2023年開年，行業(yè)研究機構(gòu)伊維經(jīng)濟研究院發(fā)布數(shù)據(jù)稱，2022年，全球新能源汽車銷量達到1082.4萬輛，同比增長61.6%。其中，全球汽車銷量的主要貢獻來自中國。202...

SiC 2023-02-17

SiC，將拿下30%的功率器件市場

來源：內(nèi)容來自半導(dǎo)體芯聞（ID:MooreNEWS）綜合，謝謝。據(jù)Yole介紹，在未來 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個功率器件市場的 30%。毫無疑問，SiC 行業(yè)（從晶體到模塊，包括器件）的增長率非常高。Yo...

SiC 2023-02-17

今年會是SiC半導(dǎo)體和功率模組元年嗎？

來源：國際電子商情近來的新發(fā)展則是芯片制造商如何從開發(fā)、制造到封裝整合SiC供應(yīng)鏈。隨著對于先進SiC解決方案的需求不斷增加，特別是在汽車市場，一個新的端對端垂直整合供應(yīng)鏈正在迅速地形成。碳化硅(SiC)半導(dǎo)...

SIC 2023-01-30

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日...

電動汽車 sic 2022-12-28

又一SiC相關(guān)企業(yè)上市，市值超270億！

來源：網(wǎng)絡(luò)12月16日，燕東微在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，發(fā)行價格21.98元/股，發(fā)行市盈率為68.39倍。截至成文，燕東微上漲3.64%，報22.78元/股，總市值272.9億元。Source：同花順燕東微是一家集芯...

SiC 2022-12-18

鴻海9月開始量產(chǎn)1200V SiC MOSFET，并已啟動8吋SiC晶體開發(fā)

10月19日消息，在昨日舉行的2022年度鴻海科技日（HHTD22）上，鴻海科技在發(fā)布全新電動汽車的同時，也展示了其面向電動汽車的第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）器件研發(fā)成果，不僅已具備量產(chǎn)SiC MOSFET的能力，還啟動...

SiC 2022-10-23

SiC已成汽車新賣點，未來5年價格有望降至IGBT 3倍以內(nèi)

來源：愛集微APP翠展微電子內(nèi)部人士認為，“SiC的材料性能比Si基更好，要等它的成本下降到足夠低的時候才會普及，我們預(yù)計，SiC的成本下降至Si基成本的2倍左右，整個系統(tǒng)的成本也會降下來。”作者｜Andy ...

SiC 2022-07-04

半導(dǎo)體材料與工藝：SiC晶體生長進入「電阻爐」時代！

2022年6月恒普科技推出新一代2.0版SiC電阻晶體生長爐，本次量產(chǎn)推出的爐型是基于恒普上一代6、8英寸電阻爐的全新版本，積極對應(yīng)市場對SiC電阻晶體生長爐的行業(yè)需求。國內(nèi)SiC晶體生長爐幾乎都是采用感應(yīng)發(fā)熱的方式，感...

SIC 2022-06-19

How SiC is Shifting the Future of EV

來源：旺材芯片傳統(tǒng)的電力電子系統(tǒng)，多由硅（Si）為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體元件構(gòu)成，其中硅基MOEFST以及IGBT應(yīng)用最廣泛。兩種器件有各自的優(yōu)缺點，只能高效的應(yīng)用與各自的特定領(lǐng)域。隨著業(yè)界對功率，效率以及環(huán)境壓力的進一步追求，...

SiC 2022-05-27

哈爾濱理工大學(xué)蔡蔚教授團隊研究成果：SiC 功率模塊封裝技術(shù)及展望

碳化硅模塊封裝的主要問題近幾十年來，以新發(fā)展起來的第3代寬禁帶功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第2代半導(dǎo)體材料砷化鎵（G...

SiC 2022-05-18

重磅新品｜清純半導(dǎo)體推出國內(nèi)首款15V驅(qū)動SiC MOSFET

來源：碳化硅芯觀察市場動態(tài)：近日，清純半導(dǎo)體發(fā)布了國內(nèi)首款15V驅(qū)動的1200V SiC MOSFET器件平臺產(chǎn)品，填補了國內(nèi)15V驅(qū)動SiC MOSFET產(chǎn)品空白。國內(nèi)頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)「清純半導(dǎo)體」日前宣布發(fā)布國...

SiC MOSFET 2022-04-13

SiC 市場高速增長

來源：Qorvo 半導(dǎo)體據(jù)國際知名分析機構(gòu) Yole 在早前的一份報告中介紹，受汽車應(yīng)用的強勁推動，尤其是在 EV 主逆變器方面的需求，SiC 市場將迎來高速增長。報告指出，繼特斯拉采用 SiC 后，2020 ...

SiC 2022-04-11

一文搞懂SiC功率器件的市場、應(yīng)用和制造工藝

報告主題：一文搞懂SiC功率器件的市場、應(yīng)用和制造報告作者：Dr. Victor VeliadisDeputy Executive Director and CTO, PowerAmericaProfessor ECE ...

SiC 2022-04-10

SiC外延工藝的摻雜以及監(jiān)測

來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。由Larkin等人發(fā)現(xiàn)的“競位外延”方法[1]，可以有效...

SiC 2022-04-05

日本頻頻加碼SiC，又一廠商宣布...

來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合2022年1月27日，富士電機表示，將增產(chǎn)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地富士電機津輕半導(dǎo)體（青森縣五所川原市/以下簡稱津輕工廠）的SiC（碳化硅）產(chǎn)能。量產(chǎn)計劃在截至 2025 年 3 月的財政年度開始。未來...

SiC 2022-01-29

第三代半導(dǎo)體“王炸”產(chǎn)品來襲！比傳統(tǒng)SiC晶圓便宜1-2成

據(jù)日經(jīng)新聞報道，住友集團旗下的住友金屬礦山（簡稱住友礦山）將量產(chǎn)用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的新一代碳化硅（SiC）晶圓，預(yù)計2025年實現(xiàn)月產(chǎn)1萬片。住友礦山希望憑借這種新型SiC晶圓搶占美國Wolfspeed（前身為科銳，CR...

SIC 2022-01-17

新一代雙向OBC設(shè)計中?為什么要選擇 SiC？

回顧2021，作為第三代半導(dǎo)體的典型代表——碳化硅（SiC）器件著實火了一把。其在臨界電場(2.2 × 106 V/cm)、電子速度、熔點 (300°C) 和熱導(dǎo)率 (4.9 W/cmK) 等方面獨特...

SIC 2022-01-05

2025年SiC芯片規(guī)模有望增7倍

省電是延長電動車(EV)續(xù)航力的關(guān)鍵，SiC(碳化硅)芯片可以大幅減少能耗，韓國券商預(yù)測，EV的省電芯片需求激增，SiC將是明年的「大趨勢」(megatrend)，而且到了2025年，市場規(guī)模有望飆升7倍。韓國先驅(qū)報報導(dǎo)...

SIC 2021-12-26

SiC的基本性質(zhì)

SiC的多型體結(jié)構(gòu)以及物理化學(xué)性質(zhì)作為一種最近被廣泛研究的半導(dǎo)體材料，SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性成為了制造高溫器件、大功率、高頻電子器件最重要的半導(dǎo)體材料之一。特別是在極端條件和惡劣條件下應(yīng)用時，SiC器件的穩(wěn)定性遠遠...

SIC 2021-12-26

第三代半導(dǎo)體，SiC/GaN賽道在“爭”什么？

第三代半導(dǎo)體，SiC/GaN賽道在“爭”什么？“碳中和”趨勢不斷推動，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)在近些年不斷“出圈”。2021年，這些第三代半導(dǎo)體廠商，比如SiC廠商有泰科天潤、同光晶體、天域半導(dǎo)...

SiC/GaN 2021-12-25

SiC器件上車第一個優(yōu)質(zhì)落腳點—車載電源

為什么說車載電源是SiC上車的第一個落腳點？電動車在動力性能、智能化方面超越燃油車，但電動車在續(xù)航里程方面仍面臨著補能焦慮的問題，傳統(tǒng)燃油車加一次油時間為5分鐘，而目前快充至少要60分鐘。在高峰期充電排隊等候的時間亦進一...

SIC 2021-12-21

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？

現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用...

SIC 2021-12-07

“拯救”SiC的幾大新技術(shù)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料中的代表性材料，是一種具有1X1共價鍵的硅和碳化合物。據(jù)說，碳化硅最早是人們在太陽系剛誕生的46億年前的隕石中發(fā)現(xiàn)的，所以又被稱為“經(jīng)歷46億年時光之旅的半導(dǎo)體材料”。早在2014年的...

SIC 2021-12-07

“狼的速度”？SiC功率半導(dǎo)體模塊動態(tài)測試挑戰(zhàn)及應(yīng)對

眾所周知，碳化硅半導(dǎo)體帶隙寬，用于 MOSFET 中時，開關(guān)損耗極低，因此相較于普通的硅器件，可允許更高的開關(guān)頻率，被形象地稱之為“狼的速度”，而寬禁帶功率半導(dǎo)體器件測試，尤其是精準、全面、可靠的器件特性表征，對于器件本...

SIC 2021-12-05

上海將添一家SiC企業(yè)，背后是這家巨頭！

10月22日，正海集團與日本半導(dǎo)體企業(yè)羅姆（ROHM）簽署合資協(xié)議，雙方將成立一家主營功率模塊業(yè)務(wù)的新公司，致力于開發(fā)和推廣應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅功率模塊。記者獲悉，新公司名為“上海海姆希科半導(dǎo)體有限公司”，計劃于20...

SiC 2021-10-23

關(guān)注 | 多家晶圓廠已加碼SiC供應(yīng)

SiC材料由于具有高硬度、耐熱性和耐高壓能力，可實現(xiàn)高效率和穩(wěn)健的功率半導(dǎo)體，越來越廣泛被應(yīng)用于太陽光電(PV)、工業(yè)電源和電動車(EV)的充電基礎(chǔ)設(shè)施。然而，SiC仍存在生產(chǎn)瓶頸尚未解決、原料晶柱質(zhì)量不穩(wěn)定導(dǎo)致良率問題...

SiC 2021-09-28

市場 | SiC市場迎來爆發(fā)期，全球最大碳化硅晶圓廠2022年初投產(chǎn)

近日，第三代半導(dǎo)體龍頭廠商科銳（Cree）公布了其最新財報，截至6月27日的2021財年第四季度財報，科銳營收略高于預(yù)期，達1.458億美元，同比增長35%，環(huán)比增長6%。展望下一季度，科銳目標收入在1.44億美元到1....

SIC 2021-08-20

動向 | 啟迪半導(dǎo)體或在安徽投資SiC外延片項目

近日，由安徽省政府和國際玻璃協(xié)會主辦的國際新材料產(chǎn)業(yè)大會在蚌埠舉辦。會上，總規(guī)模200億元的中建材（安徽）新材料產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立，蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司碳化硅外延片項目成為該基金首批意向投資的五個項目之一，并簽署協(xié)議...

sic 2021-07-25