來源:碳化硅芯觀察市場動(dòng)態(tài):近日,清純半導(dǎo)體發(fā)布了國內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC MOSFET器件平臺(tái)產(chǎn)品,填補(bǔ)了國內(nèi)15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)品空白。國內(nèi)頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)「清純半導(dǎo)體」日前宣布發(fā)布國...
來源:Qorvo 半導(dǎo)體據(jù)國際知名分析機(jī)構(gòu) Yole 在早前的一份報(bào)告中介紹,受汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁推動(dòng),尤其是在 EV 主逆變器方面的需求,SiC 市場將迎來高速增長。報(bào)告指出,繼特斯拉采用 SiC 后,2020 ...
來源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟 控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。由Larkin等人發(fā)現(xiàn)的“競位外延”方法[1],可以有效...