三星(samsung) 文章 最新資訊
三星閃存，漲價(jià)100%
- 周樂/券商中國存儲芯片漲價(jià)潮愈演愈烈。據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價(jià)格提高了一倍多，漲幅遠(yuǎn)超市場預(yù)期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。多家機(jī)構(gòu)分析認(rèn)為，AI浪潮驅(qū)動的“存儲芯片超級周期”正全面到來。花旗預(yù)計(jì)，2026年動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）與閃存產(chǎn)品的平均售價(jià)或?qū)⒎謩e上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預(yù)測的53%、44%。價(jià)格暴漲1月25日，據(jù)韓國《電子時報(bào)》報(bào)道，今年第一季度，三星電子將NAND
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三星首次引入紫外層薄膜是在美國泰勒工廠
- 三星電子將首次在美國泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進(jìn)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)力的關(guān)鍵組件。此前尚不清楚是否會引入，但通過訂購關(guān)鍵設(shè)備幾乎確認(rèn)了申請。根據(jù)22日的行業(yè)報(bào)道，三星電子已在美國德克薩斯州泰勒工廠訂購極紫外涂層設(shè)備。FST將收到價(jià)值250億韓元的極紫外膜剝離與附著設(shè)備及檢驗(yàn)設(shè)備訂單。極紫外膜是安裝在光罩上的超薄保護(hù)元件，用于曝光過程。半導(dǎo)體將光體現(xiàn)在帶有預(yù)先繪制電路的光罩上，并被嵌入晶圓上。通過施加極紫外膜，可以防止細(xì)顆粒和污染物粘附光罩表面，從而減輕產(chǎn)率劣化。為了在暴露設(shè)備中使用極
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三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期
- 援引市場研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進(jìn)，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達(dá)等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競爭日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價(jià)格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測，這將對三星電子和SK海力士的
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據(jù)稱三星正推進(jìn) 2 納米定制 HBM 邏輯芯片的開發(fā)
- 據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體正推進(jìn)一項(xiàng)針對高帶寬內(nèi)存（HBM）的全新 2 納米工藝項(xiàng)目，計(jì)劃為不同客戶需求開發(fā)定制化 HBM 邏輯芯片。 報(bào)道引述業(yè)內(nèi)人士稱，盡管具體客戶名單尚未披露，但三星 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)著手為下一代產(chǎn)品預(yù)研使用“先進(jìn)至 2 納米”的晶圓代工制程，為未來數(shù)代 HBM 解決方案奠定基礎(chǔ)。目前尚不清楚該計(jì)劃最終將采用三星自家代工體系中的 SF2 還是 SF2P 等 2 納米節(jié)點(diǎn)。現(xiàn)有信息顯示，三星的第六代 HBM 產(chǎn)品線（HBM4）預(yù)計(jì)將基于 4 納米制程，外界普遍推測來自
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全球首條8.6代OLED生產(chǎn)線進(jìn)入量產(chǎn)并開始發(fā)貨
- 據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道，三星顯示正式實(shí)現(xiàn)第8.6代OLED面板的量產(chǎn)，成為全球首條實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)線。消息人士稱，三星顯示已開始付費(fèi)發(fā)貨經(jīng)過客戶驗(yàn)證且產(chǎn)率較高的樣品，這些樣品將被納入計(jì)劃于今年晚些時候發(fā)布的新筆記本機(jī)型中。業(yè)內(nèi)消息透露，三星Display于1月15日在其阿山園區(qū)舉辦了“發(fā)貨儀式及安全祝福活動”，慶祝第8.6代OLED生產(chǎn)線的順利發(fā)貨和投產(chǎn)。顯示行業(yè)消息人士評論稱，三星顯示正積極推進(jìn)，力爭在IT-OLED市場中取得領(lǐng)先地位。消息人士表示：“在做出投資決策后，公司于2024年年中開始試點(diǎn)運(yùn)營，并于年
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據(jù)報(bào)道，三星首次將定制HBM邏輯芯片引入2nm代工工藝
- 三星正在加大對定制HBM邏輯芯片的開發(fā)力度。據(jù)ZDNet報(bào)道，消息人士稱公司正在設(shè)計(jì)用于定制HBM的邏輯芯片，采用先進(jìn)的代工工藝節(jié)點(diǎn)如2nm。報(bào)道補(bǔ)充說，三星電子此前已將4nm工藝應(yīng)用于HBM4（第六代HBM）所用的邏輯芯片，該芯片將于今年進(jìn)入商業(yè)生產(chǎn)。報(bào)告解釋說，隨著 HBM 技術(shù)的進(jìn)步，邏輯芯片的設(shè)計(jì)和制造方法也相應(yīng)演進(jìn)。自計(jì)劃于2026年量產(chǎn)的HBM4起，邏輯芯片采用代工工藝制造，而非傳統(tǒng)的DRAM工藝，體現(xiàn)了代工制造的性能和能效優(yōu)勢。關(guān)于三星電子，報(bào)告稱該公司采用了4納米工藝制造HBM4邏輯芯片。
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三星美國2nm晶圓廠下半年量產(chǎn)
- 據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，三星電子位于美國德克薩斯州泰勒市的2nm晶圓廠計(jì)劃在今年3月開始對EUV設(shè)備進(jìn)行測試運(yùn)行，隨后將逐步引入蝕刻和薄膜沉積設(shè)備。預(yù)計(jì)該工廠將在2026年下半年全面啟動2nm制程的量產(chǎn)，月產(chǎn)能目標(biāo)為5萬片晶圓。 為了確保量產(chǎn)計(jì)劃順利推進(jìn)，三星電子已組建專門團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)從設(shè)備運(yùn)輸?shù)桨惭b的無縫銜接。據(jù)傳聞，三星韓國晶圓廠的2nm制程良率已達(dá)到50%。目前，三星已從總部派遣大量頂級工程師前往泰勒市，以加速工廠的量產(chǎn)進(jìn)程。 此外，三星預(yù)計(jì)將向當(dāng)?shù)卣暾?號廠的臨時使用許可證（
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全球8英寸硅片市場收緊：三星技興S7，臺積電停產(chǎn)令中國晶圓廠成為焦點(diǎn)
- 全球8英寸晶圓產(chǎn)能似乎正進(jìn)入收縮階段，主要由主要晶圓廠轉(zhuǎn)向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)推動。臺積電自2025年開始縮減規(guī)模，目標(biāo)在2027年前全面關(guān)閉部分晶圓廠，據(jù)The Elec報(bào)道，三星似乎也在沿用類似路線，計(jì)劃于2026年下半年關(guān)閉其位于岐興的8英寸“S7”晶圓廠。正如《自由時報(bào)》此前報(bào)道，臺積電已通知客戶其晶圓廠2（6英寸）和Fab 5（8英寸）將于2027年底停產(chǎn)，提供幫助客戶轉(zhuǎn)移生產(chǎn)或轉(zhuǎn)向12英寸生產(chǎn)線的指導(dǎo)。與此同時，《電商》報(bào)道三星Giheung S7 8英寸晶圓即將下線，月產(chǎn)能從約25萬片削減至不足20萬片
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據(jù)報(bào)道，OpenAI將在2026年底前在臺積電N3上部署定制AI芯片，第二代計(jì)劃用于A16
- 臺積電定于15日舉行財(cái)報(bào)電話會議，重點(diǎn)關(guān)注對先進(jìn)工藝技術(shù)的需求。據(jù)《商業(yè)時報(bào)》報(bào)道，OpenAI計(jì)劃在2026年底前使用臺積電N3工藝推出一款自研的AI芯片，代號“Titan”。報(bào)道補(bǔ)充說，第二代版本計(jì)劃采用更先進(jìn)的A16工藝。正如報(bào)告指出的，OpenAI自研芯片預(yù)計(jì)將利用博通的ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)。如果時間表維持，預(yù)計(jì)量產(chǎn)將在2026年下半年開始，第二代芯片Titan 2的開發(fā)也計(jì)劃在同一時期啟動，報(bào)告稱。OpenAI已與多家芯片制造商合作，目前依賴NVIDIA和AMD的AI服務(wù)器系統(tǒng)，而ASIC方法則允許
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傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存
- 上個月有報(bào)道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報(bào)道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術(shù)。三星的目標(biāo)是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進(jìn)行專利協(xié)議的談判。
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記憶巨頭在供應(yīng)緊張中繪制2025-26年度退出策略
- 隨著內(nèi)存供應(yīng)緊張，行業(yè)正將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向面向超大規(guī)模企業(yè)的高利潤率、前沿產(chǎn)品。傳承、面向消費(fèi)者的記憶正逐漸走向生命周期末期，2026年將成為關(guān)鍵參與者的分水嶺之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出傳統(tǒng)內(nèi)存市場，轉(zhuǎn)向英偉達(dá)和谷歌等大型科技巨頭的一瞥。三星：告別DDR4和2D MLC NAND了盡管市場傳聞顯示內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)者可能會因價(jià)格飆升推遲DDR4的退出，TrendForce指出三星仍堅(jiān)定地堅(jiān)持其終止生命周期計(jì)劃。因此，DDR4 供應(yīng)預(yù)計(jì)在2026年大幅下降，推動每吉比特價(jià)格創(chuàng)歷史新高。與此同時，公司正在逐
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三星將向特斯拉供應(yīng)5G調(diào)制解調(diào)器
- 據(jù)報(bào)道，三星已與特斯拉達(dá)成協(xié)議，將首次向特斯拉供應(yīng)汽車5G調(diào)制解調(diào)器 ——?雙方的合作將于今年上半年正式啟動，首批芯片將應(yīng)用于特斯拉在德克薩斯州運(yùn)營的Robotaxi自動駕駛出租車隊(duì)。這項(xiàng)交易已經(jīng)醞釀了一段時間：該項(xiàng)目早在2024年初就已啟動，源于三星董事長李在镕和埃隆·馬斯克于2023年5月在硅谷的一次重要會晤。如果Robotaxi在德克薩斯州的推廣進(jìn)展順利，我們可以預(yù)期這些三星芯片最終會應(yīng)用到停放在許多特斯拉車主車道上的Model 3和Model Y消費(fèi)級車輛中。此舉標(biāo)志著一個重大轉(zhuǎn)變。特斯
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蘋果、三星強(qiáng)勢拉動，2025年Q4全球智能手機(jī)市場實(shí)現(xiàn)正增長
- 三星新的折疊屏產(chǎn)品與價(jià)格親民的AI手機(jī)，加之蘋果煥新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，共同推動消費(fèi)者踴躍換機(jī)升級。IDC最新發(fā)布的《全球季度手機(jī)跟蹤報(bào)告》初步數(shù)據(jù)顯示，2025年第四季度（4Q25）全球智能手機(jī)出貨量同比增長2.3%，達(dá)到3.363億部。盡管受到存儲芯片短缺的影響，市場仍在高端機(jī)型持續(xù)增長、折疊屏強(qiáng)勁表現(xiàn)以及消費(fèi)者對未來漲價(jià)預(yù)期而提前換機(jī)的共同推動下實(shí)現(xiàn)增長。2025全年，全球智能手機(jī)出貨量達(dá)到12.6億部。高端化趨勢加速，蘋果與三星成為核心增長引擎IDC全球客戶設(shè)備研究高級總監(jiān) Nabila Popal 表示
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三星與英特爾共同開發(fā)了適用于Panther Lake OLED筆記本的“SmartPower HDR”，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)22%的省電——動態(tài)電壓控制降低功耗而不犧牲面板亮度
- 三星顯示和英特爾共同開發(fā)了一項(xiàng)名為“SmartPower HDR”的新OLED筆記本技術(shù)，顧名思義。與傳統(tǒng)支持HDR的顯示器不同，傳統(tǒng)顯示面板保持固定高電壓以應(yīng)對亮度峰值，SmartPower HDR會動態(tài)調(diào)整面板功率，從而降低多達(dá)22%的電池消耗。SPHDR會分析每幀的峰值亮度，確保電壓保持盡可能低，直到內(nèi)容需要突然爆發(fā)亮度——只有在這時，顯示才會提升以提供所需的功率。即使在峰值亮度場景下，與普通HDR模式相比，SPHDR的功耗也應(yīng)略低，而不會影響實(shí)際亮度。這就是英特爾的部分：這項(xiàng)技術(shù)由全新的Core
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