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HEMT

高電子遷移率晶體管 HEMT high-electron mobility transistor 　　一種異質結場效應晶體管，為MESFE的變型。此術語由富士通(Fujitsu)公司提出。高速電子遷移率晶體管，就是利用半導體異質結構中雜質與電子在空間能被分隔的優點，因此電子得以有很高的遷移率。在此結構中，改變閘極(gate)的電壓，就可以控制由源極(source)到泄極(drain)的電流，而達到放大的目的。

BigLH|瀏覽：778|回復：0| BigLH 2022-06-24 14:18:46
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