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標(biāo)簽

HEMT技術(shù)社區(qū)

HEMT

高電子遷移率晶體管 HEMT high-electron mobility transistor 　　一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，為MESFE的變型。此術(shù)語由富士通(Fujitsu)公司提出。高速電子遷移率晶體管，就是利用半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中雜質(zhì)與電子在空間能被分隔的優(yōu)點，因此電子得以有很高的遷移率。在此結(jié)構(gòu)中，改變閘極(gate)的電壓，就可以控制由源極(source)到泄極(drain)的電流，而達(dá)到放大的目的。查看更多>>

全部資訊專欄論壇

HEMT資訊

N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

美國加州大學(xué)洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學(xué)安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀(jì)錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ...

N極深凹槽E型氮化鎵 2025-08-12

GaN HEMT為開關(guān)應(yīng)用帶來低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)...

GaN HEMT 2025-03-14

50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量...

GaN HEMT TOLL封裝 2025-02-13

CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC適配器 2023-07-19

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HEMT專欄

【IEEE里程碑獎】HEMT技術(shù)

　　2019年12月18日，HEMT（High Electron Mobility Transistor，高電子遷移率晶體管）獲頒IEEE里程碑牌匾，以表彰HEMT為通信領(lǐng)域做出的巨大貢獻(xiàn)。　　該牌匾放在日本厚木的富士通...

IEEE HEMT 2021-05-27

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HEMT論壇

06-24 HEMT

BigLH|瀏覽：778|回復(fù)：0| BigLH 2022-06-24 14:18:46

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HBM4競爭格局生變

長江存儲進(jìn)入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

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