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HEMT

高電子遷移率晶體管 HEMT high-electron mobility transistor 　　一種異質結場效應晶體管，為MESFE的變型。此術語由富士通(Fujitsu)公司提出。高速電子遷移率晶體管，就是利用半導體異質結構中雜質與電子在空間能被分隔的優點，因此電子得以有很高的遷移率。在此結構中，改變閘極(gate)的電壓，就可以控制由源極(source)到泄極(drain)的電流，而達到放大的目的。

N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ...

N極深凹槽E型氮化鎵 2025-08-12

GaN HEMT為開關應用帶來低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優于標準...

GaN HEMT 2025-03-14

50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

GaN HEMT TOLL封裝 2025-02-13

CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統 ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

ROHM開發出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC適配器 2023-07-19

實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態特性測試

氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統氮化鎵器件多用于消費類...

GaN HEMT 功率器件 2023-07-18

ROHM開始量產具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器...

ROHM 650V 2023-05-16

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果...

GaN HEMT 2023-03-08

ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產體制

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站...

ROHM 150V 2022-03-24

GaN 器件的直接驅動配置

受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電...

MOSFET HEMT 2020-08-04

科銳推出S波段GaN器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統Si或 Ga...

科銳晶體管 2012-07-09

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