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提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率

德國(guó)的研究人員報(bào)告說，在分子束外延（MBE）期間使用的表面平滑技術(shù)提高了砷化銦（InAs）量子阱（QW）在砷化鎵（GaAs）襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksa...

GaAs InAs 2025-07-04

一款高三階交調(diào)點(diǎn)的GaAs射頻放大器

介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調(diào)點(diǎn)的射頻放大器的設(shè)計(jì)。采用砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達(dá)林頓結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，添加了偏置結(jié)構(gòu)，一方面提高了放大器工作...

202306 射頻放大器 2023-07-06

一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率放大器

摘要：針對(duì)WIFI 6E頻段的設(shè)備需求，設(shè)計(jì)了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級(jí)放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管...

202206 功率放大器 2022-06-15

Strategy Analytics：蜂窩應(yīng)用推動(dòng)RF GaAs收益超8億美元

　　在經(jīng)歷2016年相對(duì)平穩(wěn)的一年之后，2017年RF GaAs設(shè)備市場(chǎng)收益增長(zhǎng)了超過7%。盡管GaAs設(shè)備被應(yīng)用在各種商業(yè)和國(guó)防應(yīng)用中，但無線市場(chǎng)仍然是該技術(shù)的主要用戶。移動(dòng)手機(jī)將繼續(xù)定義收益軌跡，但新興的5G網(wǎng)絡(luò)部...

RF GaAs 2018-10-30

半導(dǎo)體激光發(fā)生器技術(shù)及發(fā)展歷程

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晶體管激光發(fā)生器 2017-06-13

ADI收購(gòu)寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices

　　Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購(gòu)位于美國(guó)加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業(yè)界領(lǐng)先的混合信號(hào)解決方案供應(yīng)商，提供從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、時(shí)鐘到控制...

ADI GaAs 2017-03-31

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GaAs

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一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率放大器

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半導(dǎo)體激光發(fā)生器技術(shù)及發(fā)展歷程

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緊湊型PCMCIA卡選擇正確的超薄DC -DC轉(zhuǎn)換器

智能IC保持統(tǒng)一的GaAs MESFET的偏置電流

使用TC1142偏置的GaAs功率放大器

外延

砷化鎵元件制造概況

官方資料-Nec GaAs Device Selection Guide 2001

高頻半導(dǎo)體二極管

GaAs ASIC標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)建庫(kù)技術(shù)研究

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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