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提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率

德國的研究人員報告說，在分子束外延（MBE）期間使用的表面平滑技術提高了砷化銦（InAs）量子阱（QW）在砷化鎵（GaAs）襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksa...

GaAs InAs 2025-07-04

一款高三階交調點的GaAs射頻放大器

介紹了一款滿足于5G通信發展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作...

202306 射頻放大器 2023-07-06

一款應用于Wi-Fi?6E設備的GaAs?HBT功率放大器

摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管...

202206 功率放大器 2022-06-15

Strategy Analytics：蜂窩應用推動RF GaAs收益超8億美元

　　在經歷2016年相對平穩的一年之后，2017年RF GaAs設備市場收益增長了超過7%。盡管GaAs設備被應用在各種商業和國防應用中，但無線市場仍然是該技術的主要用戶。移動手機將繼續定義收益軌跡，但新興的5G網絡部...

RF GaAs 2018-10-30

半導體激光發生器技術及發展歷程

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晶體管激光發生器 2017-06-13

ADI收購寬帶GaAs和GaN放大器專業公司OneTree Microdevices

　　Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購位于美國加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業界領先的混合信號解決方案供應商，提供從數據轉換器、時鐘到控制...

ADI GaAs 2017-03-31

高通搶進GaAs制程PA市場穩懋順利搶下代工大單

　　美國高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案，包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊，與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation，CA)的動態天...

高通 GaAs 2017-03-15

石墨烯中的電子表現得像光一樣甚至更好

　　由哥倫比亞大學物理學助理教授Cory Dean，弗吉尼亞大學電氣和計算機工程教授Avik Ghosh以及哥倫比亞大學Wang Fong-Jen名譽工程教授James Hone領導的一個團隊，第一次直接觀察到了在電子通...

石墨烯 GaAs 2016-10-13

5G和軍工雙輪驅動化合物半導體業爆發

5G已經成為通信領域里的重點研究對象，5G 標淮引爆全球群英戰，美國率先完成 5G 頻譜分配，在 5G 標淮制定中誰掌握話語權，將會在新一代移動通信技術革命中占據先機。而隨著2020年5G逐漸步入商用，使物聯網逐漸成為現...

5G GaAs 2016-10-12

我國發展化合物半導體產業正當時

當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。...

GaAs GaN 2016-06-27

瑞典新興公司宣布針對太陽能的納米線突破技術具備可提高模組性能50％以上的潛力

　　瑞典隆德4月22日，在一項針對太陽能的重大突破技術上，瑞典的先進材料新興公司Sol Voltaics AB已經證明其納米線技術在薄膜上取得了校準和定向的成功。此項成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重要...

GaAs 模組 2016-04-22

10W高線性802.11n功率放大芯片設計

本文介紹了一款用于無線局域網802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，...

功率放大器 802.11n 2016-03-28

硅基GaN射頻功放：正走向大規模商用

　　硅基GaN潛力大　　近日，MACOM在京召開新聞發布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前...

GaAs GaN 2015-11-09

2018年GaAs射頻器件收入將飆升至80億美元

　　根據StrategyAnalytics高端半導體應用(ASA)電子數據表模型和GaAs器件預測與前景展望報告顯示，手機終端中砷化鎵的應用仍然是GaAs器件增長的主要驅動力，GaAs器件市場繼2014年創下射頻器件收入...

GaAs 射頻器 2015-10-13

高效率高諧波抑制功率放大器的設計

　　0 引言　　隨著無線通信的快速發展和廣泛普及，無線系統標準對收發機的性能要求越來越高。功率放大器作為發射機的主要組成部分，其指標決定著發射機的性能，如效率決定著整機功耗，線性度決定著整機的動態范圍，諧波分量大小...

功率放大器 GaAs 2015-07-29

GaAs過時了 CMOS工藝將主宰移動互聯網和物聯網時代

　　“硅是上帝送給人類的禮物，整個芯片業幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時如是說。他認為傳統采用GaAs(砷化鎵)或...

CMOS GaAs 2015-01-05

集成電路芯片熱機械應力特征研究

　　摘要：本文在試驗和理論兩個方面，系統研究了芯片熱機械應力特征。作者利用紅外熱成像技術研究了芯片內部熱機械應力隨工作電流的瞬態變化關系，發現芯片熱機械應力隨工作電流呈對數增長。同時本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械...

集成電路熱機械應力 2014-10-28

一種可變增益功率放大器的應用設計

　　采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實現了在6~9GHz頻率范圍內，1 dB壓縮點輸出功率大于33 dBm,當控制電壓在-1~0 V之間變化時，放大器的增...

功率放大器可變增益 2014-06-20

全面解讀LED芯片知識

　　1、LED芯片的制造流程是怎樣的? 　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33&ti...

LED GaAs 2014-04-17

RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創新獎

　　全球領先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術創新領導大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發，推出獨特的無線通信RF前端解決方案。...

RFaxis Frost&Sullivan 2014-03-06

數字射頻存儲器用GaAs超高速3bit相位體制ADC的設計與實現

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園...

數字射頻存儲器 GaAs 2014-02-28

基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關

PIN二極管廣泛應用于限幅器、開關、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管......

GaAs PIN 2013-06-24

超低噪聲的S頻段放大器設計

超低噪聲 S頻段 2012-09-14

一種基于MMIC技術的S波段GaAs單刀單擲開關

摘要：射頻開關作為一個系統的重要組成部分其性能直接影響整個系統的指標和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關速度是射頻開關最重要的幾個指標。在實際測試中，S波段脈沖信號源需要產生快前沿的窄脈沖信號。在此基于...

單刀單擲 2012-03-09

利用GaAs PHEMT設計MMIC LNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關鍵?？刂葡到y內噪聲還有其他技術，包括過濾和低 ......

GaAs PHEMT 2012-02-11

無線基礎設施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

根據市場戰略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網絡基礎設施中使用砷化鎵（GaAs）半導體的市場預計將增長，從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。...

無線網絡 GaAs 2011-08-29

18 GHz移動通訊回程中MMIC放大器運用

為滿足第四代數據傳輸服務的需要，無線通訊業已向LTE(長期演進)迅猛發展。雖然某些地區的不同標準將仍將......

MMIC放大器移動通訊回程 2011-06-09

設置時間不到20ns的GaAs pHEMT微波開關

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GaAs 微波 2011-01-21

砷化鎵IDM廠調高財測　臺系業者雨露均沾

　　隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業者紛紛上調2010年度財測后，Avago也宣告調高 2010年2~4月的...

GaAs 晶圓代工 2010-04-27

高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程網絡的速度和容量

　　數據通信量的增加正在成為回程網絡的瓶頸　　近年來，寬帶用戶數量明顯增加，并出現了大量手持移動互聯網設備(MID)。數據和視頻應用已超過話音(參見圖1)，導致傳輸網絡的需求量前所未有地急劇增長。市調專業機構ABIR...

TriQuint 3G 2010-03-02

NJR開發GaAs MMIC NJG1139UA2 適合于便攜式數字電視

日本無線(NJR)現開發完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已開始供貨了。該產品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，......

GaAs MMIC 2010-03-01

新日本無線開發完成了GaAs MMIC NJG1139UA2

　　新日本無線現開發完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數字電視。　　【開發背景】　　近年來，隨著便攜式設備和汽車導航儀等可接收地...

新日本無線放大器 2010-01-22

砷化鎵產業恢復減慢未來市場規模將低預期

　　Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導體研究部門發布最新報告“砷化鎵 (GaAs) 行業預測 : 2008-2013”。分析指出，全球經濟衰退造成砷化鎵 (G...

GaAs 半導體 2009-08-28

砷化鎵外延襯底市場規模將超過4億美元

　　Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市...

GaAs 外延襯底 2009-08-03

Strategy Analytics：VSAT 經受住經濟風暴考驗

　　Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導體技術 (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務發布最新研究報告“來自 Satcom/VSAT 市...

GaAs 衛星通信 2009-07-10

DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關

介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關的相關技術，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開展了寬帶SPST開關設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25...

GaAs MMIC 2009-04-20

帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現開始發放樣品

新日本無線已開發完成了最適用于1SEG信號用調諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現開始樣品供貨。近年來，手機和車載導航等能接收1SEG信號產品在不斷地增加，因終端...

新日本無線寬帶低噪聲放大器 2008-12-30

基于CAN總線的GaAs光電陰極制備測控系統

CAN總線在GaAs光電陰極制備測控系統中的應用成功的解決了系統測控信息量多，對可靠性和實時性要求高的難題，該測控系統的研制成功將有利于對GaAs光電陰極制備工藝進行深入的理論研究，促進提高GaAs光電陰極的制備水平，該...

陰極制備 2008-08-26

CMOS功率放大器廠商加緊挑戰GaAs

CMOS 放大器 2008-08-14

Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器

　　Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線...

放大器 Hittite 2008-07-24

GaAS