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美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ...

N極深凹槽E型氮化鎵 2025-08-12

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優于標準...

GaN HEMT 2025-03-14

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

GaN HEMT TOLL封裝 2025-02-13

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統 ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC適配器 2023-07-19

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