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標(biāo)簽 ldmos技術(shù)社區(qū)

LDMOS

橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體 LDMOS lateral double-diffused metal-oxide semiconductor 　　LDMOS技術(shù)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。 　　與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB，采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。 LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而沒有破壞LDMOS設(shè)備；它較能承受輸入信號(hào)的過激勵(lì)和適合發(fā)射數(shù)…… + 查看全文 　　LDMOS技術(shù)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。查看更多>>

  • ldmos資訊

一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法

202006 LDMOS 2020-05-27

埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管

LDMOS VSWR 2020-01-25

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

氮化鎵 LDMOS 2018-03-02

意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議

驗(yàn)證射頻功率晶體管的耐用性

氮化鎵發(fā)展評估

氮化鎵 砷化鎵 2016-12-28
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