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CAGR達(dá)49%，2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模或升至43.76億美元

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模...

CAGR GaN 2024-08-15

TrendForce：預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元

8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43...

英飛凌德州儀器 2024-08-15

2023年SiC功率元件營(yíng)收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由202...

SiC 功率元件 2024-06-24

ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計(jì)帶來(lái)了機(jī)會(huì)

氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其...

ADI 氮化鎵 2024-05-27

集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需...

新能源車 GaN 2021-09-05

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員...

SiC 講座 2016-10-16

使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù) 可靠性提高10倍

　　日立制作所在“PCIMEurope2016”并設(shè)的會(huì)議上發(fā)表了使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù)。該技術(shù)的特點(diǎn)是，雖為無(wú)鉛封裝材料，但可降低材料成本并提高可靠性。　　對(duì)作為可靠性指標(biāo)的&ldqu...

功率元件功率元件 2016-05-20

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的無(wú)風(fēng)險(xiǎn)路徑(下)

　　接上篇 ???? 步驟2——構(gòu)建　　構(gòu)建系統(tǒng)的第一個(gè)步驟是創(chuàng)建一個(gè)電源系統(tǒng)的方框圖，從輸出開(kāi)始，然后向輸入后向推進(jìn)。從最低功率級(jí)別開(kāi)始它的運(yùn)作更好，并從那里繼續(xù)工作，以便可以審查功率元件類別，并隨功率級(jí)別的...

Vicor 電源系統(tǒng) 2015-04-29

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的無(wú)風(fēng)險(xiǎn)路徑(上)

　　摘要：現(xiàn)在，高性能電源系統(tǒng)已經(jīng)有了長(zhǎng)足進(jìn)展，設(shè)計(jì)人員正在使用多個(gè)輸入電壓，驅(qū)動(dòng)種類繁多應(yīng)用的多路電壓軌。為了確保PoL穩(wěn)壓器盡可能靠近負(fù)載的需求，設(shè)計(jì)人員需要在一個(gè)非常小的范圍實(shí)現(xiàn)大量功率轉(zhuǎn)換功能。與此同時(shí)，企業(yè)資源...

Vicor 電源系統(tǒng) 2014-11-27

強(qiáng)化功率元件戰(zhàn)力 MCU廠猛攻直流變頻馬達(dá)

　　微控制器(MCU)廠商正積極補(bǔ)強(qiáng)功率半導(dǎo)體元件戰(zhàn)力，強(qiáng)攻直流變頻馬達(dá)市場(chǎng)。無(wú)論是直流無(wú)刷馬達(dá)(BLDC)或永磁同步馬達(dá)(PMSM)，其與交流感應(yīng)馬達(dá)最大的不同之處，就在于變頻電路的設(shè)計(jì)，因此MCU廠為了直攻變頻馬達(dá)市...

功率元件 MCU 2014-08-04

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。...

GaN.功率元件 2014-01-27

車用功率元件新思路，滿足車規(guī)為首要任務(wù)

隨著美國(guó)電動(dòng)車大廠Tesla在電動(dòng)車市場(chǎng)開(kāi)始突破重圍后，全球電動(dòng)車市場(chǎng)也開(kāi)始彌漫著一股相當(dāng)樂(lè)觀的氣氛。不過(guò)， ......

功率元件車規(guī) 2013-12-14

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳......

PV 逆變器 2013-09-21

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率

SiC 講座 2012-05-02

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed......

氧化鎵 SiC 2012-04-22

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源......

SiC 功率元件 2012-04-22

IGBT功率元件的應(yīng)用及保護(hù)技術(shù)

1 引言　　隨著半導(dǎo)體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高，半導(dǎo)體功率元件正朝著大電流、高電壓、快通斷、 ......

IGBT 功率元件 2011-09-30

SiC國(guó)際會(huì)議：從功率元件到傳感器和集成電路

　　作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國(guó)際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國(guó)俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行...

功率元件傳感器 2011-09-22

HEV系統(tǒng)的主要部件：功率元件解析

功率元件是最重要的部件就功能和成本而言，功率元件在逆變器中是最為重要的部件。要想降低成本，如何使用......

功率元件開(kāi)關(guān) 2011-01-20

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功率元件