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東芝推出采用最新一代工藝的100V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通...

東芝 N溝道 2025-09-25

電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 ...

電源管理 MOSFET 2025-04-29

Vishay新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器...

Vishay 功率MOSFET 2025-04-17

突破功率密度的邊界：STL220N6F7功率MOSFET技術(shù)解析

技術(shù)背景：功率半導(dǎo)體進(jìn)化論在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率MOSFET如同"電子開關(guān)"般控制著能量流動(dòng)的命脈。這類器件的核心使命是在導(dǎo)通時(shí)實(shí)現(xiàn)最低損耗，在關(guān)斷時(shí)承受最高電壓，同時(shí)要在兩種狀態(tài)間實(shí)現(xiàn)光速切換。...

意法半導(dǎo)體功率MOSFET 2025-03-14

CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此...

CCPAK1212封裝 Nexperia 2024-12-13

Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲(chǔ)能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IXTN400N20...

Littelfuse 超級結(jié) 2024-11-26

英飛凌發(fā)布面向大眾市場應(yīng)用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合，擴(kuò)展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容，以滿足大眾市場對30 ...

英飛凌 StrongIRFET 2024-09-29

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平的小型頂側(cè)冷卻PowerPAK封裝的600 V E系列功率MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平的小型頂側(cè)冷卻PowerPAK?封裝的600 V E系列功率MOSFET...

Vishay 頂側(cè)冷卻 2024-05-07

P通道功率MOSFET及其應(yīng)用

Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P通道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P通道的簡易...

P通道功率MOSFET 2024-04-21

英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單...

英飛凌功率MOSFET 2024-04-12

推動(dòng)汽車電子功率器件變革的新型應(yīng)用——功率MOSFET篇

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 T...

功率MOSFET 汽車電子 2024-03-07

東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET

中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心...

東芝高速二極管型 2024-02-22

Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道Trenc...

Vishay 源極倒裝技術(shù) 2024-02-20

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng)新性產(chǎn)品設(shè)計(jì)可滿足汽車應(yīng)用的苛...

Littelfuse PolarP P通道 2023-10-24

啟方半導(dǎo)體與威世簽署功率MOSFET長期生產(chǎn)代工協(xié)議

韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(tuán)(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長期供應(yīng)協(xié)議。功率M...

啟方半導(dǎo)體威世 2023-10-11

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Silico...

Vishay 650 V 2023-09-04

英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴(kuò)大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容

【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX...

英飛凌 OptiMOS 2023-08-03

東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的...

東芝功率MOSFET 2023-06-29

東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V...

東芝推超級結(jié)結(jié)構(gòu) 2023-06-13

東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。...

東芝 N溝道 2023-03-30

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，...

英飛凌源極底置 2023-01-13

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...

東芝 150V N溝道 2022-04-05

功率MOSFET輸出電容的非線性特性

本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了影響這二個(gè)電容的相關(guān)因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。...

功率MOSFET 輸出電容 2020-10-22

功率MOSFET的參數(shù)那么多，實(shí)際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。...

MOSFET 功率MOSFET 2019-11-05

儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET

由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運(yùn)作溫度。...

儒卓力英飛凌OptiMOS? 2019-07-15

功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？

本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說明了功率MOSF...

功率MOSFET 安全工作區(qū) 2019-02-26

功率MOSFET的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

“MOSFET(場效應(yīng)管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)...

功率MOSFET MOSFET 2017-06-06

Vishay：創(chuàng)新才會(huì)吸引注重速度和安全的本土車企

　　Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海電子展”上展出了眾多創(chuàng)新成果，包括無源元件、二極管、功率MOSFET和光電子器件等，并特辟了汽車電子展示區(qū)，展出了高效和高可靠性汽車電子應(yīng)用。汽車電子展區(qū)的三大亮點(diǎn)　　Vis...

Vishay 無源元件 2016-04-26

功率MOSFET的由來及結(jié)構(gòu)原理淺談

什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制......

功率MOSFET IGBT 2013-11-20

Vishay在2013中國電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會(huì)展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會(huì)）上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號(hào)館A214，展示亮點(diǎn)是...

無源元件二極管 2013-06-17

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹,我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個(gè)...

功率MOSFET 二極管 2013-01-14

UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

1引言隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思......

功率MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng) 2012-03-15

MOSFET的諧極驅(qū)動(dòng)

1．引言在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管（MOSFET）引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了......

DC\DC轉(zhuǎn)換器功率MOSFET 2012-03-15

深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

在汽車電子的驅(qū)動(dòng)負(fù)載的各種應(yīng)用中,最常見的半導(dǎo)體元件就是功率MOSFET了。本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFE......

功率MOSFET 2011-10-15

功率MOSFET的開關(guān)損耗的研究

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知......

功率MOSFET 開關(guān)損耗 2011-10-14

Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444D...

Vishay 功率MOSFET 2011-03-16

深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的各個(gè)參數(shù)

...

功率MOSFET 數(shù)據(jù)表 2010-12-18

功率MOSFET供貨緊張

　　據(jù)iSuppli公司，由于2010年銷售增長50%以上，而且產(chǎn)量有限，英飛凌、意法半導(dǎo)體和飛兆半導(dǎo)體等主要供應(yīng)商的某些功率MOSFET對中國市場實(shí)行配給，而且交貨期拉長。　...

英飛凌功率MOSFET 2010-12-01

IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設(shè)計(jì)更簡單靈活

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適...

IR 功率MOSFET 2010-09-20

IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設(shè)計(jì)更簡單靈活

IR 功率MOSFET 2010-09-15