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技術(shù)應(yīng)用
外延片是指用外延工藝在襯底表面生長薄膜所生片的單晶硅片。一般外延層厚度為2-20微米,作為襯底的單晶硅片厚度為610微米左右。 外延工藝:外延生長技術(shù)發(fā)展于20世紀50年代末60年代初,為了制造高頻大功率器件,需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上,然后放進石英反應(yīng)器中,也可采用紅外輻照加熱。
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