久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

外延生長

外延生長Top　　外延生長【epitaxial growth】【】 在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長技術發展于20世紀50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進石英反應器中，也可采用紅外輻照加熱。為了克服外延工藝中的某些缺點，外延生長工藝已有很多新的進展：減壓外延、低溫外延、選擇外延、抑制外延和分子束外延等。

  • 外延生長資訊

信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

信越化學 氮化鎵 2024-09-11
相關標簽