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外延生長

外延生長Top　　外延生長【epitaxial growth】【】 在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長技術發展于20世紀50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進石英反應器中，也可采用紅外輻照加熱。為了克服外延工藝中的某些缺點，外延生長工藝已有很多新的進展：減壓外延、低溫外延、選擇外延、抑制外延和分子束外延等。查看更多>>

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信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

信越化學 氮化鎵 2024-09-11
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