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IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate l...

雜散電感 SiC 2024-04-18

IGBT SiC 2024-04-18

1 前言　　用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on...

IGBT 柵極電阻 2012-07-31

1．前言為了滿足各種國際標準對開關電源諧波的要求，抑制電子產品對電網的污染，大量的功率因數校正(PowerF......

零電壓(ZVS)開關特性功率因數校正(PFC) 2012-03-11

　1 前言　　用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(...

IGBT 柵極電阻 2010-10-13

O 引言隨著微電子技術的發展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態廣播發射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態，從而提高整機效...

應用功放 2009-12-11

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