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開關(guān)特性

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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate l...

雜散電感 SiC 2024-04-18

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT SiC 2024-04-18

淺析柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響

1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on...

IGBT 柵極電阻 2012-07-31

一種單級式半橋功率因數(shù)校正電路

1．前言為了滿足各種國際標準對開關(guān)電源諧波的要求，抑制電子產(chǎn)品對電網(wǎng)的污染，大量的功率因數(shù)校正(PowerF......

零電壓(ZVS)開關(guān)特性功率因數(shù)校正(PFC) 2012-03-11

柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(...

IGBT 柵極電阻 2010-10-13

D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應(yīng)用

O 引言隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關(guān)特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài)，從而提高整機效...

應(yīng)用功放 2009-12-11

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開關(guān)特性

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高速光耦合器及其開關(guān)特性H11LxM、H11NxM

脈沖波形的產(chǎn)生與處理電路.2

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機器人專場

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