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Mos技術(shù)社區(qū)

技術(shù)資訊

Mos

MOS 金屬氧化物半導(dǎo)體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來(lái)說(shuō)，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS，DMDS，NMOS，PMOS。

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Mos資訊

PMOS緩啟電路

本文來(lái)源于一個(gè)實(shí)際項(xiàng)目，需要由一個(gè)PMOS作為開關(guān)來(lái)控制電源的導(dǎo)通。但對(duì)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時(shí)間太短，使得后級(jí)電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對(duì)如何延緩PMOS啟動(dòng)速度進(jìn)行簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)與概述...

PMOS電路開關(guān)電路 2024-12-27

內(nèi)置MOS全集成三相直流無(wú)刷電機(jī)BLDC驅(qū)動(dòng)芯片方案

引言全球高速無(wú)刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長(zhǎng)和發(fā)展。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研，亞洲市場(chǎng)占據(jù)了全球高速無(wú)刷電機(jī)行業(yè)的首位，市場(chǎng)規(guī)模占比達(dá)47%，并且預(yù)計(jì)未來(lái)增長(zhǎng)將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國(guó)，無(wú)刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟，電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器的價(jià)...

MOS 三相直流無(wú)刷電機(jī) 2024-08-13

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOS...

SiC MOS 2024-06-19

從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用，這篇文章把MOS管講透了。

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型...

模擬電路 MOS 2024-04-29

徹底弄清MOS管（NMOS為例

來(lái)自專欄芯片基礎(chǔ)課說(shuō)來(lái)慚愧，大二學(xué)了一遍模電數(shù)電，考研專業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電，但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖，讓我立馬說(shuō)出：【這是什么型mos管，標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)襯底的箭頭指向哪里，簡(jiǎn)化符號(hào)柵極有沒有小圓圈，襯底該接高接低，柵極...

模擬電路 MOS 2024-01-30

MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同...

MOS 管逆變電路 2024-01-11

超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過(guò)改變電機(jī)工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)單元...

RS瑞森半導(dǎo)體 MOS 2024-01-03

高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用

單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時(shí)，市電的回路會(huì)自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì)被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復(fù)正常。UPS只有在市電停電了才會(huì)介...

MOS 2023-11-14

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=...

MOSFET MOS 2023-07-04

如何在電源上選擇MOS管

在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來(lái)對(duì)mos管來(lái)驗(yàn)證。在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵...

MOS 2023-06-25

功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子...

功率放大器 MOS 2023-05-24

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種...

MOS 晶體管 2023-05-22

功率MOS管損壞的典型

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，...

MOS 2023-05-16

巧用MOS管的體二極管

用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才...

MOS 二極管 2023-05-04

世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。數(shù)十年來(lái)，硅來(lái)料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的...

NCP51820 安森美 2022-12-09

放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管：...

放大器晶體管 2022-11-25

RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用

開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電...

瑞森半導(dǎo)體 MOS 2022-11-11

TP4054 TP4056 TP4057專業(yè)電源管理IC MOS

極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節(jié)鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內(nèi)部帶有電池反接保護(hù)及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態(tài)工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護(hù)和指示燈...

充電IC TP4054 2022-11-02

基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構(gòu)更具競(jìng)爭(zhēng)力，在電路設(shè)計(jì)上相對(duì)容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿足不同輸出...

Infineon Mos 2022-10-20

MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對(duì)于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。01 Miller效應(yīng)一、簡(jiǎn)介MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開關(guān)電路中，延長(zhǎng)開關(guān)頻率、增加...

MOS Miller 2022-10-12

場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg...

MOSFET MOS 2022-05-10

開關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少M(fèi)OS管損耗

一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶...

開關(guān)電源 MOS 2022-05-10

模電設(shè)計(jì)的九個(gè)級(jí)別，你到哪個(gè)段位了？

模擬電路設(shè)計(jì)的九個(gè)級(jí)別，類似下圍棋的段位。請(qǐng)從一段到九段仔細(xì)閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~...

模電模擬電路 2021-04-22

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案...

IC RDS(on) 2020-07-17

超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA ...

EMI PWM 2020-05-29

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單.........

MOS MOSFET 2019-04-22

發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來(lái)入手。本文將對(duì)發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系...

發(fā)光二極管 MOS 2018-08-16

同步整流器與開關(guān)MOS在功率電源的耗散

在大功率電源當(dāng)中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將...

同步整流器 MOS 2018-08-13

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問題。...

mos 2017-10-14

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。...

MOS 電源 2017-10-13

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。...

MOS FinFET 2017-07-11

拯救EMI輻射超標(biāo)，開關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲...

EMI 開關(guān)電源 2017-06-03

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

如同摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知，這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級(jí)氧化層寬度不斷...

IC設(shè)計(jì) 天線 2017-06-03

DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

在開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇...

DC-DC MOS 2017-06-03

高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 ...

MOS MOS驅(qū)動(dòng)電路 2016-07-04

恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國(guó)公司

　　半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國(guó)的投資公司(英文發(fā)布資料)。　　標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015...

恩智浦 MOS 2016-06-16

【E問E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄...

MOS 擊穿 2016-04-05

一種簡(jiǎn)單的防短路的保護(hù)方法

　　前段時(shí)間開發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的...

防短路 MOS 2016-03-21

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS 2016-03-19

深度分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管在消費(fèi)類電子中的電路設(shè)計(jì)

　　當(dāng)我們還是學(xué)生的時(shí)候，不論從做題還是原理分析上,通常會(huì)重點(diǎn)學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計(jì)算、動(dòng)態(tài)信號(hào)分析等等。對(duì)于MOS管，老師一般都會(huì)草草帶過(guò)，沒有那么深入的分析和了解，一般都會(huì)說(shuō)MOS管和三極管的...

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 2015-12-16

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