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4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備

目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm...

臺積電 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2納米時代的唯一道路

半導體行業正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節點小型化的明確路徑,現在正在與其他選項進行權衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備

據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半導體巨頭對high-NA EUV態度分化

據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出...

半導體 high-NA EUV 2025-07-01

ASML研發5納米分辨率Hyper NA光刻機

據外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前...

ASML 5納米 2025-06-30

臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用

全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑（NA）機器用于其未來的工藝節點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和...

臺積電 ASML 2025-05-28

三星已組建專注于1nm芯片開發的團隊量產目標定于2029年

2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才...

三星 1nm 2025-04-10

英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產

據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程...

英特爾 ASML 2025-02-26

英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產，單季完成3萬片晶圓

據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約...

英特爾 High NA EUV 2025-02-26

英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生...

英特爾 High-NA 2025-02-25

移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證

近日，全球領先的物聯網整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運營商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優勢，該模組可滿足CPE...

移遠通信 5G-A模組 2024-11-21

imec采用High-NA EUV技術展示邏輯與DRAM架構

比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后...

imec High-NA 2024-08-13

價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8...

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數月...

ASML High-NA 2024-08-06

ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

ASML去年末向英特爾交付了業界首臺High-NA EUV光刻機，業界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在203...

ASML Hyper-NA EUV 2024-07-03

臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？

5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Chri...

臺積電 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機

上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。...

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？

光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；...

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術

3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據...

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？

英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。相較之下，臺積電則采...

英特爾 High-NA EUV 2024-01-08

ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場

據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業需要2030年開發數值孔徑0.75的超高NA EUV光...

ASML NA 2023-06-26

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現納安級消耗電流？　

可穿戴等市場發展快。DC/DC轉換器成為影響這些產品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現。...

可穿戴 DC/DC 2018-03-29

電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ

IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100H...

100 0.1 2012-03-09

尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。 ...

NA 尼康 2006-02-21

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