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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來(lái)聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG D...

三星 MLC NAND 2025-05-27

我國(guó)科學(xué)家技術(shù)突破存儲(chǔ)芯片無(wú)限次擦寫引圍觀：TLC、QLC買誰(shuí) 恐不再糾結(jié)

7月1日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，四川科學(xué)家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲(chǔ)芯片無(wú)限次擦寫。報(bào)道中提到，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研...

存儲(chǔ)芯片 TLC 2024-07-02

SK海力士全球首發(fā)128層消費(fèi)級(jí)TLC SSD：最大1TB、壽命保密

距離年初在CES上首次展示過(guò)去了半年多，SK海力士今天終于正式發(fā)布了新款SSD Gold P31，這是全球首款面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的128層堆疊NAND閃存產(chǎn)品，也是SK海力士的第一款消費(fèi)級(jí)PCIe SSD。Gold...

SK 海力士 2020-08-20

Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級(jí)NVMe?固態(tài)硬盤控制器

隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）工作負(fù)載越來(lái)越多，市場(chǎng)需要具備更寬存儲(chǔ)帶寬和更高單機(jī)架存儲(chǔ)密度的云級(jí)別基礎(chǔ)設(shè)施。因此，市場(chǎng)的趨勢(shì)是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)工業(yè)協(xié)會(huì)（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固...

QLC TLC 2020-08-05

紫光P5160 M.2高性能SSD上架：原廠原片顆粒

紫光已經(jīng)推出了多款自己的SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)有SATA S100、M.2 P100等，企業(yè)級(jí)則有PCIe/U.2 P8260。今天，紫光悄然在京東商城上架了一款新的高性能M.2 SSD，型號(hào)為“P5160”，號(hào)稱采...

固態(tài)硬盤 TLC 2020-01-16

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬(wàn)片：或明年上馬128層

在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）于今年三季度官方宣布，開始量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預(yù)計(jì)，初期的月產(chǎn)能在5000片...

閃存 TLC 2019-10-24

帶串行控制的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器TLC1549在8051系統(tǒng)中的應(yīng)用

TLC1549是美國(guó)德州儀器公司生產(chǎn)的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它采用CMOS工藝，具有內(nèi)在的采樣和保持，采用差分基準(zhǔn)電壓高阻輸入，抗干擾，可按比例量程校準(zhǔn)轉(zhuǎn)換范...

1549 8051 2018-09-12

一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊：X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)...

SLC MLC 2018-08-01

第一款純國(guó)產(chǎn)SSD，紫光TLC性能有點(diǎn)小爆表

整個(gè)紫光TLC的表現(xiàn)還是相當(dāng)不錯(cuò)的，我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在穩(wěn)步的前進(jìn)。起碼我么們現(xiàn)在的已經(jīng)是從無(wú)到有，可以期待未來(lái)從有到強(qiáng)。...

紫光 TLC 2018-06-13

東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社宣布推出96層3D閃存

　　存儲(chǔ)器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社今日宣布，公司已開發(fā)出采用堆疊式結(jié)構(gòu)[1]的96層BiCS FLASH?三維(3D)閃存的原型樣品，該產(chǎn)品采用三位元(三階存儲(chǔ)單元，TLC)技術(shù)。該96層新產(chǎn)品為2...

東芝 TLC 2017-07-11

具有高阻抗并行接口和內(nèi)部基準(zhǔn)電阻的TLC5510解析方案

1 TLC5510簡(jiǎn)介TLC5510是美國(guó)德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器，采用CMOS工藝，大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率，可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像...

TLC 高阻抗 2016-10-29

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(...

SLC MLC 2016-10-15

MLC、TLC閃存價(jià)格下跌筆記本HDD硬盤死期不遠(yuǎn)了

SSD干掉HDD硬盤已經(jīng)不是可能不可能的問(wèn)題，只是時(shí)間長(zhǎng)短的問(wèn)題。...

TLC HDD 2016-05-30

2016年TLC儲(chǔ)存成本或與SAS硬盤死亡交*

　　資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng)，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(ConvergedInfrastructure)、DevOps(Deve...

TLC SAS 2016-03-21

TrendForce：經(jīng)濟(jì)前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限

　　全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明，各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守，TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長(zhǎng)，2016年整體NAND ...

NAND Flash TLC 2015-12-16

慧榮科技受邀參加金泰克新產(chǎn)品發(fā)表會(huì)，攜手發(fā)表最新TLC系列固態(tài)硬盤產(chǎn)品

　　在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)憑借其優(yōu)異性能及高可靠度的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，一直受到眾多儲(chǔ)存廠商的...

慧榮科技 TLC 2015-06-17

美光：3D TLC最快今年底實(shí)現(xiàn)

　　對(duì)于消費(fèi)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，成本永遠(yuǎn)都是令購(gòu)買者最在意的一件事。日漸普及的SSD，當(dāng)然也必須面對(duì)這樣的市場(chǎng)聲浪。TCL NAND目前已經(jīng)是SSD降低成本的重要關(guān)鍵，當(dāng)然，如何能讓TLC架構(gòu)在維持低成本的同時(shí)，還能兼具效能與穩(wěn)定...

美光 TLC 2015-06-07

Marvell：控制器三大優(yōu)勢(shì) 讓TLC架構(gòu)逼近MLC效能

　　傳統(tǒng)的HDD機(jī)械式硬碟，由于機(jī)械式結(jié)構(gòu)的復(fù)雜結(jié)構(gòu)造成整體的不穩(wěn)定性，加上讀寫速度始終存在著瓶頸，這些原因使得SSD逐漸有機(jī)會(huì)加速淘汰傳統(tǒng)HDD硬碟，在更多領(lǐng)域發(fā)揮快速讀寫、穩(wěn)定存取的優(yōu)勢(shì)。　　 ...

Marvell TLC 2015-06-05

SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

　　現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Wo...

SSD TLC 2015-05-19

TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲(chǔ)存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash ...

TLC NAND 2015-03-23

性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更明顯　TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過(guò)去大幅提高，因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制...

三星 TLC 2015-03-19

TLC存儲(chǔ)器取得儲(chǔ)存市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)能

　　三級(jí)單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進(jìn)入客戶端市場(chǎng)兩年后，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步在資料中心獲得動(dòng)能。但長(zhǎng)期來(lái)看，由于 3D NAND 逐漸取代，傳統(tǒng)的 NAND 記憶體成長(zhǎng)開始趨緩。　　截至目...

TLC 存儲(chǔ)器 2015-01-16

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都...

NAND MLC 2014-12-23

SSD價(jià)格快速下滑　普及化只剩時(shí)間問(wèn)題

　　固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來(lái)臨。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)...

3D NAND SSD 2014-12-03

蘋果停用TLC閃存回應(yīng)iPhone 6宕機(jī)

　　11月9日，隨著關(guān)于iPhone6+功能缺陷的爭(zhēng)論高漲，蘋果已決定停止使用TLC NAND閃存技術(shù)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士11月6日透露，蘋果已經(jīng)決定停用TLC NAND閃存技術(shù)。蘋果認(rèn)為，困擾64GB iPhone6和128...

蘋果 iPhone 6 2014-11-11

探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。　　...

三星閃存 2012-11-21

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

1　概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減...

CMOS 5510 2012-07-25

具有高阻抗并行接口和內(nèi)部基準(zhǔn)電阻的TLC5510解析方

5510 TLC 2012-06-25

英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存

　　英特爾今天宣布和鎂光一起發(fā)布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個(gè)內(nèi)存儲(chǔ)存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價(jià)格也較...

英特爾 25nm 2010-08-18

帶串行控制的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器TLC1549在8051系統(tǒng)中的

TLC1549是美國(guó)德州儀器公司生產(chǎn)的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它采用CMOS工藝，具有內(nèi)在的采樣和保持，采用差分基準(zhǔn)電壓高阻輸入，抗干擾，可按比例量程校準(zhǔn)轉(zhuǎn)換范圍，總不可調(diào)整誤差達(dá)到±1LSB Max（4.8mV）等特點(diǎn)。...

1549 8051 2009-06-15

20位Σ-Δ立體聲ADA電路TLC320AD75C的接口電路設(shè)計(jì)

介紹了Σ-Δ型ADC和DAC的特點(diǎn)及構(gòu)成，并詳細(xì)論述了Σ-Δ型立體聲ADA電路TLC320AD75C的模擬與數(shù)字音頻數(shù)據(jù)接口技術(shù)、DAC的串行控制接口技術(shù)及該類器件的使用注意事項(xiàng)。...

ADA 320 2007-12-26

串行AD轉(zhuǎn)換器TLC2543與51單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

介紹一種多通道高精度串行A/D轉(zhuǎn)換器TLC2543的主要特點(diǎn)、工作原理，給出了TLC2543與51系列單片機(jī)的接口電路及驅(qū)動(dòng)程序。...

2543 TLC 2007-06-19

基于TLC4502和MAX111的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)自校準(zhǔn)技術(shù)

以TLC4502和MAX111為例介紹了自校準(zhǔn)功能模塊中運(yùn)算放大器和A/D轉(zhuǎn)換器的工作原理及使用方法...

4502 TLC 2004-12-07

單片機(jī)與串行AD轉(zhuǎn)換器TLC0834的接口設(shè)計(jì)

TLC0834是TI公司生產(chǎn)的八位逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器，具有輸入可配置的多通道多路器和串行輸入方式。...

TLC 單片機(jī) 2004-12-07

TMPN3150與TLC0832的兩種接口實(shí)現(xiàn)方法

根據(jù)神經(jīng)元芯片TMPN3150的兩種I/O模式，給出了該神經(jīng)元芯片與A/D芯片TLC0832實(shí)現(xiàn)接口的兩種不同方法。...

TMPN TLC 2004-12-07