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又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

據(jù)比利時(shí)媒體報(bào)道，歐洲領(lǐng)先的 GaN（氮化鎵）汽車(chē)半導(dǎo)體代工廠 BelGaN 已申請(qǐng)破產(chǎn)，目前該公司位于佛蘭德省奧德納德市總部的 440 名員工面臨失業(yè)。BelGaN團(tuán)隊(duì)和工廠于1983年以MIETEC的名義成立，后來(lái)被...

GaN 2024-08-04

TI 電源應(yīng)用研討會(huì) 揭密高效節(jié)能新未來(lái)

日前TI舉辦電源應(yīng)用研討會(huì)，探索了包括先進(jìn)GaN電源設(shè)計(jì)、高效電源轉(zhuǎn)換、以及擴(kuò)充電源范圍（EPR）技術(shù)等議題，吸引近四百位產(chǎn)業(yè)界先進(jìn)蒞臨參加，助力客戶開(kāi)發(fā)出更節(jié)能、更高效的新產(chǎn)品。TI 為滿...

EPR GaN 2023-09-07

40 V耐輻射GaN FET為苛刻的航空航天應(yīng)用設(shè)定新的效能標(biāo)準(zhǔn)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出兩款額定電流為62 A和250 A的新型40 V元件，以擴(kuò)展其用于功率轉(zhuǎn)換解決方案的耐輻射氮化鎵（GaN）產(chǎn)品系列，支持航太和其他高可靠性應(yīng)用。EPC宣布推出兩款新型40 V耐輻射GaN F...

EPC GaN 2023-08-03

Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案

新時(shí)代電力系統(tǒng)的未來(lái)，氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.發(fā)布了一款高效能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UP...

FET GAN 2023-06-28

GAN重出江湖！中國(guó)團(tuán)隊(duì)搶先開(kāi)源“復(fù)刻版”DragGAN，AI一鍵實(shí)現(xiàn)“大象轉(zhuǎn)身”

李白實(shí)驗(yàn)室搶先開(kāi)源「復(fù)刻」版DragGAN文|硅星人編輯| VickyXiao 在大家沉迷于Midjourney、Stable Diffusion 技術(shù)中無(wú)法自拔時(shí)，一時(shí)被人遺忘的GAN...

GAN 2023-06-07

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

來(lái)源：安森美NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB...

GaN 2023-02-20

現(xiàn)在是將 GaN IC 商業(yè)化的時(shí)候了

來(lái)源：GaN世界在單個(gè) GaN 芯片中結(jié)合多種電力電子功能的功率 IC 將在全球電氣化中發(fā)揮重要作用。來(lái)自 WISE INTEGRATION 的 GERALD AUGUSTONI、PLINIO BAU、DOMINIQUE...

GaN IC 2023-02-18

GaN，迎來(lái)新突破！

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察如今，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”新型材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體的研發(fā)技術(shù)頗受關(guān)注。基于日本環(huán)境省的“為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)碳中和，加速...

GaN 2023-02-11

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

來(lái)源：本文由半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank）編譯自Yole，謝謝。在過(guò)去的幾十年里，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德...

GaN 2023-01-01

未來(lái)幾年會(huì)出現(xiàn)哪些 GaN 創(chuàng)新技術(shù)？

來(lái)源：電子工程世界現(xiàn)在GaN很火，人們似乎忘記了GaN 依然是一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，仍處于發(fā)展初期，還有較大的改進(jìn)潛力和完善空間。本文將介紹多項(xiàng)即將出現(xiàn)的 GaN 創(chuàng)新技術(shù)，并預(yù)測(cè)未來(lái)幾年這些創(chuàng)新技術(shù)對(duì)****設(shè)計(jì)和發(fā)展...

GaN 2022-12-11

GaN是否可靠？

來(lái)源：Sandeep Bahl, TI技術(shù)專(zhuān)家氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)正迅速獲得采用，因?yàn)樗軌蛱岣咝什⒖s小電源供應(yīng)器尺寸。不過(guò)，在投資這個(gè)技術(shù)之前，您可能仍會(huì)問(wèn)自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒(méi)有人...

GaN 2022-08-02

憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

氮化鎵是近兩年才進(jìn)入大眾視野，成為半導(dǎo)體行業(yè)的熱門(mén)話題之一。其實(shí)，人們?cè)诤茉绲臅r(shí)候就已經(jīng)開(kāi)始使用第三代半導(dǎo)體了。十年前，我國(guó)的****射頻功放基本上就是用氮化鎵來(lái)做的。然而氮化鎵火出圈，卻是在小米10的發(fā)布會(huì)上，因?yàn)槔总?..

氮化鎵快充 2022-05-30

創(chuàng)新GaN工藝：有望實(shí)現(xiàn)低成本、大規(guī)模生產(chǎn)

日本東北大學(xué)開(kāi)發(fā)出了一種新型GaN襯底制備工藝，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)創(chuàng)新。綜合：mynavi5月26日，日本東北大學(xué)對(duì)作為GaN（氮化鎵）襯底的量產(chǎn)法而開(kāi)發(fā)的“低壓酸性單熱（LPAAT）法”的實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行了研究，明確了所使用的種子...

GaN 2022-05-28

GaN如何改變半導(dǎo)體的未來(lái)？

來(lái)源：半導(dǎo)體芯聞內(nèi)容編譯自techradar，謝謝。GaN正在幫助半導(dǎo)體行業(yè)擺脫對(duì)硅的依賴。全球半導(dǎo)體短缺正在推遲從冰箱和微波爐到游戲機(jī)和智能手機(jī)的所有產(chǎn)品的生產(chǎn)。專(zhuān)家表示，該行業(yè)可能需要幾個(gè)月的時(shí)間才能恢復(fù)，但實(shí)際上短...

GaN 2022-04-04

賽微電子：目前已簽訂千萬(wàn)級(jí)GaN外延片銷(xiāo)售合同

來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)2月10日，賽微電子在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造項(xiàng)目(一期)的產(chǎn)能為1萬(wàn)片/年，目前已簽訂千萬(wàn)級(jí)銷(xiāo)售合同并根據(jù)商業(yè)條款安排生產(chǎn)及交付，公司既可以提供標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)...

GaN 2022-02-13

第三代半導(dǎo)體，SiC/GaN賽道在“爭(zhēng)”什么？

第三代半導(dǎo)體，SiC/GaN賽道在“爭(zhēng)”什么？“碳中和”趨勢(shì)不斷推動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)在近些年不斷“出圈”。2021年，這些第三代半導(dǎo)體廠商，比如SiC廠商有泰科天潤(rùn)、同光晶體、天域半導(dǎo)...

SiC/GaN 2021-12-25

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