來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察如今,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”新型材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體的研發(fā)技術(shù)頗受關(guān)注。基于日本環(huán)境省的“為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)碳中和,加速...
來源:電子工程世界現(xiàn)在GaN很火 ,人們似乎忘記了GaN 依然是一項(xiàng)相對較新的技術(shù),仍處于發(fā)展初期,還有較大的改進(jìn)潛力和完善空間。本文將介紹多項(xiàng)即將出現(xiàn)的 GaN 創(chuàng)新技術(shù),并預(yù)測未來幾年這些創(chuàng)新技術(shù)對****設(shè)計(jì)和發(fā)展...