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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預(yù)計將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮...

英飛凌 GaN 2026-02-11

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

臺積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預(yù)計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復(fù)...

臺積電格芯 2026-02-02

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而...

安森美 GaN 2026-01-19

精通IC-CPD設(shè)計：關(guān)于線纜內(nèi)置控制與保護(hù)器件的軟硬件基本指南

摘要本文聚焦于2型電動汽車供電設(shè)備(EVSE)的設(shè)計。構(gòu)建EVSE時必須遵循的規(guī)則可在IEC 61851-1標(biāo)準(zhǔn)中找到，而針對2型EVSE的具體規(guī)則，則在補充標(biāo)準(zhǔn)IEC 62752中有明確規(guī)定。本文所提供的指南以這些標(biāo)準(zhǔn)...

IC-CPD 線纜內(nèi)置控制 2026-01-16

在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望...

開關(guān)模式電源氮化鎵 2025-12-15

借助TOLL GaN突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)...

TOLL GaN 太陽能系統(tǒng) 2025-12-12

技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

TI TOLL 2025-12-11

算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達(dá)宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺積電早已與楷登電子在先進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密...

算力巨頭 EDA 2025-12-10

中國集成電路行業(yè)投入超過100億元人民幣

近幾周，中國半導(dǎo)體行業(yè)對集成電路（IC）行業(yè)的重大資本投資有所增加。上海IC產(chǎn)業(yè)投資基金階段II資本增至240.6億元人民幣，增長66%公司注冊數(shù)據(jù)顯示，上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金階段二號有限公司注冊資本從約145.3億元...

集成電路半導(dǎo)體 2025-12-09

美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權(quán)案中勝訴

●? ?美國國際貿(mào)易委員會的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國●? ?該裁決是又一項積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)...

美國國際貿(mào)易委員會英飛凌 2025-12-06

ST宣布用于運動控制的GaN集成電路平臺

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的...

ST 運動控制 2025-12-02

STicroelectronics 新的 GaN 集成電路運動控制平臺提升了電器能耗

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電力組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現(xiàn)極高效率以...

意法半導(dǎo)體 GaN ICs 2025-12-01

Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

全球運動控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達(dá)克股票代碼：ALGM)，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科?(Innosc...

Allegro 英諾賽科 2025-11-26

IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加...

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 嵌入式系統(tǒng) 2025-11-26

使用 p-GaN 屏蔽提高開關(guān)速度

電力電子產(chǎn)品的銷售額預(yù)計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產(chǎn)量的增加和數(shù)據(jù)中心的增長，由于人工智能的采用，數(shù)據(jù)中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應(yīng)用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程...

p-GaN 屏蔽 2025-11-10

Yole:消費、汽車和數(shù)據(jù)中心推動GaN復(fù)合年增長率達(dá)42%

Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場預(yù)計將達(dá)到 30 億美元，2024 年至 2030 年復(fù)合年增長率為 42%。消費電子產(chǎn)品是領(lǐng)先的采用者，功率氮化鎵繼續(xù)在快速充電器領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管與 xEV...

Yole GaN 2025-11-03

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動器簡化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計

意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門設(shè)計，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩(wěn)壓器...

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動器 2025-10-27

提高效率：IC推動AI發(fā)展，AI改變了IC制造

推動當(dāng)今價值超過 5000 億美元的半導(dǎo)體行業(yè)將年收入增長到 1 萬億美元，這正在挑戰(zhàn)更廣泛供應(yīng)鏈的各個方面擁抱人工智能。人工智能正在改變晶圓廠的架構(gòu)和運行方式、設(shè)備的制造方式以及服務(wù)器群的構(gòu)建方式。與此同時，所有這一切...

提高效率 IC 2025-10-27

在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗...

ADI LTspice 2025-10-23

GaN成AI服務(wù)器電源芯片競爭焦點，未來應(yīng)用潛力巨大

據(jù)相關(guān)報道，隨著NVIDIA宣布AI服務(wù)器進(jìn)入800V高電壓供電時代，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來了新的技術(shù)競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導(dǎo)體的重要代表，正成為市場關(guān)注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應(yīng)用...

GaN AI服務(wù)器 2025-10-21

IC China 2025攜手全產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)軍企業(yè)邀您相約北京

2025年11月23日—25日，第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會（IC China 2025）將在中國?北京國家會議中心舉辦。此次博覽會以“凝芯聚力·鏈動未來”為主題，圍繞高峰論壇、展覽展示、產(chǎn)業(yè)對接、專場活動四大核心板塊...

IC China 2025-10-20

Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開...

Power Integrations 數(shù)據(jù)中心 2025-10-15

Imec推出300mm GaN計劃以驅(qū)動下一代功率器件

Imec 啟動了一項新的開放式創(chuàng)新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術(shù)。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體行業(yè)向前邁出了重要一步。對于...

Imec 300mm 2025-10-11

3D-IC將如何改變芯片設(shè)計

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片設(shè)計 2025-10-10

納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局

2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系...

納芯微聯(lián)合電子 2025-09-30

“RISC-V商用落地加速營伙伴計劃”在北京亦莊發(fā)布聚力推動RISC-V產(chǎn)品方案從原型走向商用落地

9月25日，作為2025北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會的重要專題論壇，RDI生態(tài)·北京創(chuàng)新論壇·2025在北京亦莊舉行。本次論壇以“挑戰(zhàn)·對策·破局·加速”為主題，匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表，圍繞RISC-V在垂直...

RISC-V IC World 2025-09-26

技術(shù)干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計

摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小型電池儲能系統(tǒng)結(jié)合在一起），這兩種技術(shù)的普及率可能會進(jìn)一步提升。...

202509 德州儀器 2025-09-16

SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進(jìn)入增長的最后階段，預(yù)計到 2025 年評估市場價值將達(dá)到 517.3 億美元，到 2030 年將達(dá)到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復(fù)合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)的需求穩(wěn)...

SiC GaN 2025-09-15

無需鉗位電路實現(xiàn)動態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測量技術(shù)

_____動態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測量技術(shù)的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏...

動態(tài)導(dǎo)通電阻 RDS(on)測量 2025-09-10

GaN市場，蓄勢待發(fā)

GaN 是近日半導(dǎo)體市場的熱點詞匯之一。...

GaN 2025-09-10

汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-I...

汽車應(yīng)用 3D-IC 2025-09-05

采用GaN的Cyclo轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計

1.簡介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級式設(shè)計，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓?fù)湓谶@種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PF...

2202509 GaN 2025-08-20

單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量？

與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容。半導(dǎo)體工程師現(xiàn)在正在...

GaN 功率IC 2025-08-08

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要點與性能優(yōu)勢解析

隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當(dāng)前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相...

TI IGBT 2025-07-29

GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案

在光伏系統(tǒng)中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統(tǒng)設(shè)計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅(qū)動與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本...

TI GaN 2025-07-29

第三代半導(dǎo)體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預(yù)估，2025年全球GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)7....

第三代半導(dǎo)體 GaN 2025-07-28

GaN如何改進(jìn)光伏充電控制器

本應(yīng)用簡報介紹TI GaN器件如何改進(jìn)光伏充電控制器。與MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并減小PCB尺寸，而且不會增加BOM成本。...

GaN 光伏充電控制器 2025-07-25

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計注意事項

鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12