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2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術實力與解決方案在功率電子設計領域，MOSFET的選擇是決定產品效率、可靠性和成本的關鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進一步提高，工程師面臨的選型挑戰也日益復...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

MOSFET（場效應晶體管）廣泛應用于現代電子電路，特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而，在某些應用中，由于MOSFET開關速度不足，可能導致功率損失增大，進而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術詳解與選型應用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

一、保護電路核心架構主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件，當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓，形成動態限流機制。該架構響應時間可達毫秒級，在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。二、設計要點與參數計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異?；蚴Э氐脑蚺c對策

在功率電子系統中，MOSFET 以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而，FAE在現場調試和失效分析中發現，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐蒑OSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

MOSFET選型技巧一

MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）是電子電路中常用的關鍵器件，尤其在開關電源、電機驅動等領域應用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別G DS極和電路連接錯誤的問題。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要從電路圖...

MOSFET leiditech 2025-03-19

深度應用在中等功率驅動器領域的IGBT晶圓

中等功率驅動器的應用場景?包括各種工業生產領域中對電機運動精度和效率要求較高的場合，如機床加工、自動化生產線、物流運輸等。此外，在冶金、石化、航空、船舶等行業中也廣泛應用了中等功率驅動器，其優越的性能和穩定可靠的使用效果...

IGBT IGBT晶圓 2024-12-31

深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領域中的應用

?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產生的可變直流電壓轉換為市電頻率的交流電（AC），以供電網使用或反饋回商用輸電系統。逆變器的主要功能是將光伏陣列產生的直流電（DC）逆變為三相正弦交流電（AC），輸出符...

IGBT IGBT晶圓 2024-11-14

IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅

近幾年新能源車發展迅猛，技術創新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續航里程一直是研發技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。當前新能源汽車牽引逆變器...

英飛凌新能源汽車 2024-10-09

技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響

參考文獻：白志強，4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究【D】，西安電子科技大學，2023三角形缺陷三角形缺陷是SiC外延層中最為致命的一類形貌缺陷，已有大量的文獻報道表明三角形缺陷的形成與3C晶型有關。然而由于生長...

MOSFET 2024-03-09

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CP...

大功率電源 MOSFET 2023-11-17

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

2023年8月31日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最...

東芝 MOSFET 2023-08-31

英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC...

MOSFET 英飛凌 2023-08-03

了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制...

IGBT 逆變器 2023-06-25

商用車1200V平臺IGBT流片成功

來源：晶能5月30日，遠程新能源商用車集團推出國內首個正向研發的新能源重卡數智架構GXA-T，并發布了基于全新架構打造的遠程星瀚G系列重卡。遠程新能源商用車集團CEO范現軍在發布會上表示，專為新能源商用車動力總成系統打造...

IGBT 2023-06-02

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

～賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應方面進一步加強合作～賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯...

羅姆 IGBT 2023-05-18

PCIM歐洲展盛大開展！PI推出兩款新品

5月9日2023PCIM歐洲展會在德國紐倫堡盛大開展。作為全球電力電子行業的頂級展會及研討會，PCIM吸引了眾多目光。就在本次展會上，PI宣布推出兩款新品。1SP0635V2A0D新款3300V IGBT模塊門極驅動器：...

PI IGBT 2023-05-11

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

功率器件的興起帶動了電力電子產業的全面革命，功率半導體器件作為電力電子設備的關鍵組成部分，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計，在高開關頻率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

要說半導體圈子現在啥最熱，非第三代半導體莫屬，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體技術將成為未來半導體發展的新熱點，而這些材料為基材的半導體器件主要應用于和功率及能源相關的技術領域，“碳中和”目標的實...

東芝 SiC 2023-04-27

如何避免MOSFET常見問題和失效模式

前些時分享了東芝的《MOSFET柵極驅動電路應用說明》的文檔，今天再給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。原文檔的鏈接如下：https:...

MOSFET 2023-04-25

打不死的IGBT！

來源：半導體行業觀察近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。SiC和Si來競爭制造功率半導體無論是在科學和實踐上都得到了實力...

IGBT 2023-03-30

Tesla擬轉舵　全球急綁工車規IGBT　臺首批IGBT供應商下半年入列

臺灣首批工、車規IGBT將在下半年報到。法新社純電動車（BEV）龍頭Tesla欲大砍碳化矽（SiC）用量75%，替代方案之一的SiC＋絕緣柵雙極晶體管（IGBT），卻讓全球工、車規IGBT緊缺問題加劇，急綁2024年IG...

tasla igbt 2023-03-28

IGBT大缺貨，國產化IGBT的前景如何！

來源：汽車半導體情報局半導體景氣下行，晶片業普遍面臨客戶砍單與報價修正壓力之際，有「電力電子中央處理器（CPU）」之譽的絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）在電動車與太陽能兩大主流應用需求大開、瘋狂搶貨下，近期大缺貨，不僅價...

IGBT 2023-03-23

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

來源：艾邦半導體網IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣...

IGBT 2023-03-10

什么是IGBT？結構解釋和拆解

來源：艾邦半導體網IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導體器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點。它是能量轉換和傳輸的核心裝置。簡單...

IGBT 2023-03-07

MOSFET柵極驅動電路應用說明

最近看到一個東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯，就把內容復制出來了，分享給大家看下，原文檔下載鏈接是這個：https://max.book118.com/html/2019/0604/501414430100204...

MOSFET 柵極驅動 2023-02-28

光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器和MOSFET之間的差異介紹光電耦合器/光耦合器和固態繼電器（光電MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持電隔離的同時傳輸信號，但存在一些重要差異。結構差異下圖顯示了光電耦合器和OCMOS ...

光電耦合器 MOSFET 2023-02-01

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續航里程和系統的小型化全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日...

電動汽車 sic 2022-12-28

IGBT是什么？它是如何驅動電路的

我們之前有介紹過什么是IGBT，不過主要是從結構上對其進行了剖析，并未深入介紹，今天金譽半導體再從其他角度來充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有點大，供大家參考。 IGBT的特點可以從其...

IGBT 絕緣柵 2022-12-08

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導體材料，未來它肯定會取代硅用于大功率應用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要創建一個足夠的驅動程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20...

MOSFET LTspice 2022-11-10

MOSFET選型10步法則

俗話說“人無遠慮必有近憂”，對于電子設計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關于MOSFET...

MOSFET 法則 2022-10-27

MOSFET結構及其工作原理詳解

MOSFET基本概述 &n...

MOSFET MOS管 2022-10-21

MOSFET選型10步法則

MOSFET 2022-10-16

什么是IGBT功率半導體，IGBT應用領域有哪些？

功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車、工業制造、等領域有著廣泛的應用。今天SPEA和大家重點介紹下功率器...

IGBT 2022-09-27

盤點國內IGBT企業

#盤點國內IGBT企業# 功率半導體是半導體行業的細分領域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導體的一種，作為電子電力裝置和系統中的“CPU”，高效節能減排的主力軍。...

IGBT 2022-08-08

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別

來源：techclass.rohm功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢...

Si-MOSFET 2022-07-17

常見的大功率器件有哪些？如何分類的

在知道大功率器件之前，我們要先知道功率器件是什么意思，功率器件是電子元件和電子器件的總稱，是電子裝置中，電能轉換與電路控制的核心，它利用半導體單向導電的特性改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等的功能。而大功率器...

大功率器件二極管 2022-06-10

IGBT持續短缺，國產替代加速突破

來源：凱聯資本 IGBT供不應求愈演愈烈從2020年開始，汽車缺芯問題開始出現，進入2022年，“缺芯”問題依然沒有得到解決，且在車規級IGBT上短缺尤甚。今年業界持續有信號傳出IGBT或將成為新能源汽車生產瓶...

IGBT 2022-06-05

IGBT 功率模塊熱管理研究簡述

來源：熱管理摘要：隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發展，在結構和性能上有很大的改進，熱產生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工...

IGBT 2022-06-03

IGBT/MOSFET