半導(dǎo)體文章最新資訊

11月半導(dǎo)體銷售收入同比增長29.8%

據(jù)SIA報道，11月半導(dǎo)體收入為753億美元，較2004年11月的580億美元增長了29.8%，較2025年10月的727億美元增長了3.5%。SIA首席執(zhí)行官約翰·紐弗表示：“全球半導(dǎo)體行業(yè)在十一月創(chuàng)下了有史以來最高的月度銷售總額，所有主要產(chǎn)品類別的需求逐月增長，展望未來，全球芯片市場預(yù)計將在2026年大幅增長，年銷售額將接近1萬億美元。”區(qū)域方面，亞太/其他地區(qū)（66.1%）、美洲（23.0%）、中國（22.9%）和歐洲（11.1%）的銷量同比增長，但日本銷量下降（-8.9%）。亞太/其他地區(qū)（5.0
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ITECH IT-N6700系列高壓可編程直流電源重磅上市

ITECH 艾德克斯近日正式推出全新 IT-N6700 系列高壓可編程直流電源。該系列產(chǎn)品面向研發(fā)實驗室、自動化測試設(shè)備（ATE）、半導(dǎo)體與電力電子等應(yīng)用場景，圍繞工程師在實際測試中最關(guān)注的安全性、可控性與可視化進(jìn)行全面升級，為復(fù)雜供電測試提供更加可靠、高效的解決方案。IT-N6700 系列高壓可編程直流電源提供 1000W / 1500W 兩種功率規(guī)格，電壓范圍覆蓋 32V 至 1500V，采用緊湊的 1/2 2U 機架式設(shè)計，在有限空間內(nèi)實現(xiàn)更高功率密度，兼顧系統(tǒng)集成與實驗室使用需求。多重保護(hù)機制，保
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中國半導(dǎo)體研究在內(nèi)存和集成電路設(shè)計方面取得多項突破

近年來，中國多所高校和研究機構(gòu)在半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。這些進(jìn)展涵蓋了存儲器、功率半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計等關(guān)鍵領(lǐng)域。IME CAS在高密度三維DRAM研究方面取得了重大進(jìn)展中國科學(xué)院微電子研究所集成電路制造技術(shù)國家重點實驗室的研究團隊，與北京超弦存儲技術(shù)研究院（SAMT）和山東大學(xué)合作，提出了一種新型雙門4F2 2T0C存儲單元架構(gòu)。通過采用原位金屬自氧化工藝，該技術(shù)實現(xiàn)了4F2存儲單元內(nèi)讀寫晶體管的自對齊集成。結(jié)合多層存儲技術(shù)，它可以進(jìn)一步提高存儲密度。圖 1 4F2 雙門 2T0C 內(nèi)存陣列的示意
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交易重塑半導(dǎo)體行業(yè)-2025半導(dǎo)體主要并購盤點

半導(dǎo)體和電子設(shè)計自動化（EDA）行業(yè)在2025年經(jīng)歷了重大整合，主要由向下一代耗電量大的AI數(shù)據(jù)中心芯片轉(zhuǎn)型推動。Synopsys完成了350億美元收購Ansys的物理建模交易，特別是芯片組建模，而Marvell則收購了Celestial AI，負(fù)責(zé)芯片間光互連。在年底，英偉達(dá)宣布將收購人工智能公司Groq的技術(shù)，將本地語言處理帶入其圖形處理單元（GPU）。最大的一筆交易無疑是Synopsys于7月完成收購Ansys物理建模工具，這一舉措曾被英國、歐洲和中國的監(jiān)管機構(gòu)拖延超過一年。Keysight Tec
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中國EUV技術(shù)實現(xiàn)突破，半導(dǎo)體競賽格局生變

隨著計算技術(shù)的進(jìn)步，越來越多的先進(jìn)芯片應(yīng)運而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統(tǒng)光源波長已無法在如此精細(xì)的尺度上實現(xiàn)可靠的圖形光刻。這一挑戰(zhàn)并非新題 —— 半導(dǎo)體行業(yè)長期以來一直使用深紫外光刻（DUV）技術(shù)在硅片上進(jìn)行光刻加工。但要實現(xiàn)最先進(jìn)芯片設(shè)計的納米級精度，就需要波長更短的光源。這種光源及對應(yīng)的光刻技術(shù)被稱為極紫外光刻（EUV）。中國 EUV 原型機提前問世圖注：更短、更精準(zhǔn)、更纖薄：技術(shù)的巨大飛躍，蔡司（ZEISS）數(shù)據(jù)顯示，EUV 技術(shù)制造的結(jié)構(gòu)精度達(dá) 13.5 納米，比人
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納米粒子威脅：縮小半導(dǎo)體UPW計量差距

在不斷追求更小的節(jié)點和更強大的微處理器的過程中，半導(dǎo)體行業(yè)以絕對純粹為基礎(chǔ)運作。每一種材料、每一個工藝和每一個變量都必須以微觀級的精確度進(jìn)行控制。其中，超純水（UPW）是最關(guān)鍵且使用最廣泛的化學(xué)物質(zhì)。它是晶圓廠的命脈，幾乎貫穿晶圓制造的每一個階段，從清洗、蝕刻到洗滌。這些水的質(zhì)量直接影響設(shè)備性能、制造良率，最終影響盈利能力。幾十年來，行業(yè)一直依賴已建立的方法來監(jiān)測UPW質(zhì)量。然而，隨著器件架構(gòu)縮小到10納米門檻以下，這些傳統(tǒng)方法中的一個關(guān)鍵漏洞變得顯現(xiàn)。存在一個“計量學(xué)缺口”，納米顆粒和溶解分子污染物因太
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美國芯片法案再次受挫

一家依托美國《芯片與科學(xué)法案》資助、致力于芯片制造數(shù)字孿生技術(shù)研發(fā)的研究中心負(fù)責(zé)人，已通知該中心 121 家成員單位：美國商務(wù)部將終止其價值 2.85 億美元的五年期資助合同。據(jù)其官網(wǎng)介紹，SMART USA 研究所的目標(biāo)是整合高校與企業(yè)實驗室資源，打造 “虛擬制造復(fù)現(xiàn)模型”，計劃實現(xiàn)三大核心目標(biāo)：將芯片研發(fā)與制造成本降低 35% 以上、縮短 30% 的制造工藝開發(fā)周期、提升 40% 的生產(chǎn)良率。同時，該研究所還計劃在五年內(nèi)培養(yǎng) 11 萬名專業(yè)技術(shù)人員。這是自 2025 年 1 月特朗普政府換屆以來，聯(lián)邦
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Imec利用極紫外光刻技術(shù)對固態(tài)納米孔進(jìn)行縮放

Imec在將固態(tài)納米孔技術(shù)從實驗室?guī)氪笠?guī)模生產(chǎn)方面邁出了重要一步。在IEDM 2025上，比利時研發(fā)中心展示了首次成功利用極紫外（EUV）光刻技術(shù)在晶圓級制造固態(tài)納米孔。這一發(fā)展凸顯了前沿CMOS工藝在主流芯片擴展之外的應(yīng)用。極紫外光刻正作為新型設(shè)備類別的推動力，包括醫(yī)療應(yīng)用中的固態(tài)生物傳感器。從實驗室規(guī)模的孔隙到300毫米晶圓納米孔徑僅有幾納米，制造商將其蝕刻在薄膜上，通常是氮化硅。在浸液膜上施加電壓，使單個分子通過孔隙并產(chǎn)生特征性電信號。這使得納米孔成為單分子檢測（包括DNA、蛋白質(zhì)和病毒）的強大工
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微型光譜儀具備可調(diào)諧的分層有機半導(dǎo)體傳感器

對于從事有線或無線頻譜幾乎任何部分工作的電氣工程師來說，頻譜分析儀是一個關(guān)鍵的測試和測量工具。對于光學(xué)工程來說，對應(yīng)的工具是光譜儀，隨著電子學(xué)和光學(xué)的接口、融合和重疊，光譜儀正日益成為電氣工程師的重要工具。雖然無線和光學(xué)都處理電磁能量，但實際上它們各自的射頻和光學(xué)波段屬性和對應(yīng)的傳感器有很大差異。即使關(guān)鍵參數(shù)——光譜每個定義切片的能量——是相同的，情況依然如此。傳統(tǒng)上，能夠在寬光帶高分辨率工作時，需要配備濾光片、光柵和傳感器的布置，這增加了復(fù)雜性和成本。微型光譜儀可能會引領(lǐng)掌上型設(shè)備材料的新發(fā)展正在重新定
關(guān)鍵字：微型光學(xué)光譜儀半導(dǎo)體

SEMI預(yù)測半導(dǎo)體設(shè)備銷售到2027年將達(dá)到1.56億美元

根據(jù)SEMI最新的行業(yè)預(yù)測，全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額正創(chuàng)下歷史新高。主要由人工智能相關(guān)投資推動，市場預(yù)計將連續(xù)三年增長，直至2027年。這一前景預(yù)示了資本支出、技術(shù)優(yōu)先事項和制造業(yè)實力的走向。設(shè)備支出趨勢常預(yù)示著芯片設(shè)計、封裝策略和供應(yīng)鏈重點在歐洲及其他地區(qū)的變化。設(shè)備市場進(jìn)入新的增長階段SEMI預(yù)計2025年全球OEM半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到1330億美元，同比增長13.7%，隨后在2026年達(dá)到1450億美元，2027年達(dá)到1560億美元。如果實現(xiàn)，這將是該行業(yè)首次突破1500億美元的門檻。據(jù)SEMI稱
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在下一代硅介質(zhì)體中實現(xiàn)高性能集成的擴展TSV

幾十年來，半導(dǎo)體的進(jìn)展以納米級不斷減少為單位來衡量。但隨著晶體管擴展放緩，瓶頸已從器件轉(zhuǎn)向互連，先進(jìn)封裝成為新的前沿。帶TSV的硅中介體實現(xiàn)了密集的2.5D集成，縮短了信號路徑，并支持遠(yuǎn)超基板和線鍵所能提供的帶寬。這一發(fā)展的下一波趨勢反直覺：更大的TSVs——寬達(dá)50μm、深300μm——刻蝕在更厚的中介體中，帶來更好的電氣性能、穩(wěn)健的功率輸出、更好的熱處理能力和更高的制造良率。從線鍵到中介體半導(dǎo)體互連技術(shù)的發(fā)展始于引線鍵合，這一技術(shù)曾是 20 世紀(jì)的標(biāo)準(zhǔn)互連方案。隨后倒裝芯片封裝技術(shù)應(yīng)運而生，進(jìn)一步縮小
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體中介體擴展硅通孔

克服半導(dǎo)體應(yīng)用彈性體密封件的摩擦問題

半導(dǎo)體技術(shù)正持續(xù)高速發(fā)展，微型化進(jìn)程尤為顯著。首款集成電路僅集成 16 只晶體管，特征尺寸為 40 微米（即 40000 納米），約為人類頭發(fā)直徑的一半。如今的集成電路已可集成數(shù)十億只晶體管，制造工藝精度正朝著埃米量級邁進(jìn)。2025 年下半年，最先進(jìn)制程節(jié)點（即晶體管尺寸）將達(dá)到 1.8 納米（18 埃）。作為對比，一個硅原子的直徑為 2.1 埃。到 2027 年，制程節(jié)點預(yù)計將進(jìn)一步縮小至 14 埃。然而，無論是傳統(tǒng)電子設(shè)備，還是自動駕駛、人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等對存儲與算力需求龐大的新興領(lǐng)
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據(jù)報道，中國在50%規(guī)則下推動國內(nèi)芯片工具的采用，給韓國供應(yīng)商施加壓力

中國一直在加強半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)自給自足，這一轉(zhuǎn)變越來越被視為對韓國企業(yè)的壓力。據(jù)韓京引述消息稱，中國政府正通過所謂的“50%規(guī)則”鼓勵國內(nèi)工具的采用，該規(guī)則要求芯片制造商為進(jìn)口的每臺外國產(chǎn)品購買一把本地制造的工具。報告援引業(yè)內(nèi)消息稱，盡管中國繼續(xù)從歐洲及其他地區(qū)采購不可替代的設(shè)備，韓國制造的工具正越來越多地被成本較低的中國替代品所取代。因此，韓國設(shè)備制造商成為50%規(guī)則影響最嚴(yán)重的行業(yè)之一。報告稱，Zeus上半年銷售額為2845億韓元，同比下降14%，而同期GST收入下降1.65%，至2549億韓元，盡管
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體華為微電子

瞬態(tài)電子：會退化和消失的器件

電子產(chǎn)品長期以來一直以其永久性為特征。即使使用壽命結(jié)束，材料仍會在填埋場中停留多年甚至數(shù)十年。瞬態(tài)電子設(shè)備采用無常性，這些器件被設(shè)計成工作一段時間后消失，暴露于水、熱或光時溶解為安全的副產(chǎn)物。電子技術(shù)的發(fā)展速度比以往任何時候都快，因此老舊電子產(chǎn)品很快就會變得過時或不受歡迎。雖然電子技術(shù)的發(fā)展有明顯的好處，但電子產(chǎn)品的快速更換每年會有數(shù)百萬設(shè)備被送往填埋場。預(yù)計到2030年全球電子廢棄物將增至8200萬噸，研究人員尋求更可持續(xù)的替代方案。瞬態(tài)電子技術(shù)有助于推動新設(shè)備的循環(huán)經(jīng)濟，同時推動我們通過新的電子應(yīng)用提
關(guān)鍵字：瞬態(tài)電子半導(dǎo)體基底與封裝材料

chiplet能否拯救半導(dǎo)體供應(yīng)鏈？

我們制造的半導(dǎo)體數(shù)量比以往任何時候都多，但不知為何，這仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。需求持續(xù)增長，這得益于人工智能在我們?nèi)粘Ｉ钪械呐d起，但生產(chǎn)仍面臨瓶頸。問題不僅僅是規(guī)模問題;更歸根結(jié)底，是整個制造業(yè)的結(jié)構(gòu)。目前，半導(dǎo)體行業(yè)高度集中，依賴于少數(shù)幾家晶圓廠。除此之外，地緣政治日益復(fù)雜，每個人都希望成為開發(fā)這些先進(jìn)芯片的中心。然而，只有少數(shù)國家具備實現(xiàn)這一目標(biāo)的基礎(chǔ)設(shè)施、專業(yè)知識和原材料。小芯片（chiplet）登場，這是一種模塊化、可混搭的構(gòu)建模塊，它們被評為麻省理工技術(shù)評論2024年十大突破性技術(shù)之一。它們?yōu)橹圃爝^程提
關(guān)鍵字： chiplet 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]