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德國的研究人員報告說，在分子束外延（MBE）期間使用的表面平滑技術提高了砷化銦（InAs）量子阱（QW）在砷化鎵（GaAs）襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksa...

GaAs InAs 2025-07-04

介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作...

202306 射頻放大器 2023-07-06

摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管...

202206 功率放大器 2022-06-15

　　在經(jīng)歷2016年相對平穩(wěn)的一年之后，2017年RF GaAs設備市場收益增長了超過7%。盡管GaAs設備被應用在各種商業(yè)和國防應用中，但無線市場仍然是該技術的主要用戶。移動手機將繼續(xù)定義收益軌跡，但新興的5G網(wǎng)絡部...

RF GaAs 2018-10-30

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晶體管激光發(fā)生器 2017-06-13

　　Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購位于美國加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業(yè)界領先的混合信號解決方案供應商，提供從數(shù)據(jù)轉換器、時鐘到控制...

ADI GaAs 2017-03-31

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