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提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率

德國的研究人員報(bào)告說，在分子束外延（MBE）期間使用的表面平滑技術(shù)提高了砷化銦（InAs）量子阱（QW）在砷化鎵（GaAs）襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksa...

GaAs InAs 2025-07-04

一款高三階交調(diào)點(diǎn)的GaAs射頻放大器

介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調(diào)點(diǎn)的射頻放大器的設(shè)計(jì)。采用砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達(dá)林頓結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，添加了偏置結(jié)構(gòu)，一方面提高了放大器工作...

202306 射頻放大器 2023-07-06

一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率放大器

摘要：針對WIFI 6E頻段的設(shè)備需求，設(shè)計(jì)了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管...

202206 功率放大器 2022-06-15

Strategy Analytics：蜂窩應(yīng)用推動(dòng)RF GaAs收益超8億美元

　　在經(jīng)歷2016年相對平穩(wěn)的一年之后，2017年RF GaAs設(shè)備市場收益增長了超過7%。盡管GaAs設(shè)備被應(yīng)用在各種商業(yè)和國防應(yīng)用中，但無線市場仍然是該技術(shù)的主要用戶。移動(dòng)手機(jī)將繼續(xù)定義收益軌跡，但新興的5G網(wǎng)絡(luò)部...

RF GaAs 2018-10-30

半導(dǎo)體激光發(fā)生器技術(shù)及發(fā)展歷程

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晶體管激光發(fā)生器 2017-06-13

ADI收購寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices

　　Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收購位于美國加利福尼亞州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是業(yè)界領(lǐng)先的混合信號解決方案供應(yīng)商，提供從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、時(shí)鐘到控制...

ADI GaAs 2017-03-31

高通搶進(jìn)GaAs制程PA市場穩(wěn)懋順利搶下代工大單

　　美國高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案，包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊，與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation，CA)的動(dòng)態(tài)天...

高通 GaAs 2017-03-15

石墨烯中的電子表現(xiàn)得像光一樣甚至更好

　　由哥倫比亞大學(xué)物理學(xué)助理教授Cory Dean，弗吉尼亞大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Avik Ghosh以及哥倫比亞大學(xué)Wang Fong-Jen名譽(yù)工程教授James Hone領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)，第一次直接觀察到了在電子通...

石墨烯 GaAs 2016-10-13

5G和軍工雙輪驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體業(yè)爆發(fā)

5G已經(jīng)成為通信領(lǐng)域里的重點(diǎn)研究對象，5G 標(biāo)淮引爆全球群英戰(zhàn)，美國率先完成 5G 頻譜分配，在 5G 標(biāo)淮制定中誰掌握話語權(quán)，將會在新一代移動(dòng)通信技術(shù)革命中占據(jù)先機(jī)。而隨著2020年5G逐漸步入商用，使物聯(lián)網(wǎng)逐漸成為現(xiàn)...

5G GaAs 2016-10-12

我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。...

GaAs GaN 2016-06-27

瑞典新興公司宣布針對太陽能的納米線突破技術(shù) 具備可提高模組性能50％以上的潛力

　　瑞典隆德4月22日，在一項(xiàng)針對太陽能的重大突破技術(shù)上，瑞典的先進(jìn)材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線技術(shù)在薄膜上取得了校準(zhǔn)和定向的成功。此項(xiàng)成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重要...

GaAs 模組 2016-04-22

10W高線性802.11n功率放大芯片設(shè)計(jì)

本文介紹了一款用于無線局域網(wǎng)802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點(diǎn)，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術(shù)，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結(jié)構(gòu)，...

功率放大器 802.11n 2016-03-28

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

　　硅基GaN潛力大　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前...

GaAs GaN 2015-11-09

2018年GaAs射頻器件收入將飆升至80億美元

　　根據(jù)StrategyAnalytics高端半導(dǎo)體應(yīng)用(ASA)電子數(shù)據(jù)表模型和GaAs器件預(yù)測與前景展望報(bào)告顯示，手機(jī)終端中砷化鎵的應(yīng)用仍然是GaAs器件增長的主要驅(qū)動(dòng)力，GaAs器件市場繼2014年創(chuàng)下射頻器件收入...

GaAs 射頻器 2015-10-13

高效率高諧波抑制功率放大器的設(shè)計(jì)

　　0 引言　　隨著無線通信的快速發(fā)展和廣泛普及，無線系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)對收發(fā)機(jī)的性能要求越來越高。功率放大器作為發(fā)射機(jī)的主要組成部分，其指標(biāo)決定著發(fā)射機(jī)的性能，如效率決定著整機(jī)功耗，線性度決定著整機(jī)的動(dòng)態(tài)范圍，諧波分量大小...

功率放大器 GaAs 2015-07-29

GaAs過時(shí)了 CMOS工藝將主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代

　　“硅是上帝送給人類的禮物，整個(gè)芯片業(yè)幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領(lǐng)域應(yīng)該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應(yīng)用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時(shí)如是說。他認(rèn)為傳統(tǒng)采用GaAs(砷化鎵)或...

CMOS GaAs 2015-01-05

集成電路芯片熱機(jī)械應(yīng)力特征研究

　　摘要：本文在試驗(yàn)和理論兩個(gè)方面，系統(tǒng)研究了芯片熱機(jī)械應(yīng)力特征。作者利用紅外熱成像技術(shù)研究了芯片內(nèi)部熱機(jī)械應(yīng)力隨工作電流的瞬態(tài)變化關(guān)系，發(fā)現(xiàn)芯片熱機(jī)械應(yīng)力隨工作電流呈對數(shù)增長。同時(shí)本文利用有限元方法模擬計(jì)算了芯片熱機(jī)械...

集成電路熱機(jī)械應(yīng)力 2014-10-28

一種可變增益功率放大器的應(yīng)用設(shè)計(jì)

　　采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實(shí)現(xiàn)了在6~9GHz頻率范圍內(nèi)，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率大于33 dBm,當(dāng)控制電壓在-1~0 V之間變化時(shí)，放大器的增...

功率放大器可變增益 2014-06-20

全面解讀LED芯片知識

　　1、LED芯片的制造流程是怎樣的? 　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時(shí)盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33&ti...

LED GaAs 2014-04-17

RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎(jiǎng)

　　全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎(jiǎng)。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā)，推出獨(dú)特的無線通信RF前端解決方案。...

RFaxis Frost&Sullivan 2014-03-06

數(shù)字射頻存儲器用GaAs超高速3bit相位體制ADC的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

數(shù)字射頻存儲器 GaAs 2014-02-28

基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)

PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管......

GaAs PIN 2013-06-24

超低噪聲的S頻段放大器設(shè)計(jì)

超低噪聲 S頻段 2012-09-14

一種基于MMIC技術(shù)的S波段GaAs單刀單擲開關(guān)

摘要：射頻開關(guān)作為一個(gè)系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的指標(biāo)和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關(guān)速度是射頻開關(guān)最重要的幾個(gè)指標(biāo)。在實(shí)際測試中，S波段脈沖信號源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號。在此基于...

單刀單擲 2012-03-09

利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵。控制系統(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過濾和低 ......

GaAs PHEMT 2012-02-11

無線基礎(chǔ)設(shè)施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

根據(jù)市場戰(zhàn)略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體的市場預(yù)計(jì)將增長，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。...

無線網(wǎng)絡(luò) GaAs 2011-08-29

18 GHz移動(dòng)通訊回程中MMIC放大器運(yùn)用

為滿足第四代數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的需要，無線通訊業(yè)已向LTE(長期演進(jìn))迅猛發(fā)展。雖然某些地區(qū)的不同標(biāo)準(zhǔn)將仍將......

MMIC放大器移動(dòng)通訊回程 2011-06-09

設(shè)置時(shí)間不到20ns的GaAs pHEMT微波開關(guān)

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GaAs 微波 2011-01-21

砷化鎵IDM廠調(diào)高財(cái)測　臺系業(yè)者雨露均沾

　　隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業(yè)者紛紛上調(diào)2010年度財(cái)測后，Avago也宣告調(diào)高 2010年2~4月的...

GaAs 晶圓代工 2010-04-27

高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程網(wǎng)絡(luò)的速度和容量

　　數(shù)據(jù)通信量的增加正在成為回程網(wǎng)絡(luò)的瓶頸　　近年來，寬帶用戶數(shù)量明顯增加，并出現(xiàn)了大量手持移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)。數(shù)據(jù)和視頻應(yīng)用已超過話音(參見圖1)，導(dǎo)致傳輸網(wǎng)絡(luò)的需求量前所未有地急劇增長。市調(diào)專業(yè)機(jī)構(gòu)ABIR...

TriQuint 3G 2010-03-02

NJR開發(fā)GaAs MMIC NJG1139UA2 適合于便攜式數(shù)字電視

日本無線(NJR)現(xiàn)開發(fā)完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，......

GaAs MMIC 2010-03-01

新日本無線開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2

　　新日本無線現(xiàn)開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數(shù)字電視。　　【開發(fā)背景】　　近年來，隨著便攜式設(shè)備和汽車導(dǎo)航儀等可接收地...

新日本無線放大器 2010-01-22

砷化鎵產(chǎn)業(yè)恢復(fù)減慢未來市場規(guī)模將低預(yù)期

　　Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體研究部門發(fā)布最新報(bào)告“砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)預(yù)測 : 2008-2013”。分析指出，全球經(jīng)濟(jì)衰退造成砷化鎵 (G...

GaAs 半導(dǎo)體 2009-08-28

砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市...

GaAs 外延襯底 2009-08-03

Strategy Analytics：VSAT 經(jīng)受住經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴考驗(yàn)

　　Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導(dǎo)體技術(shù) (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告“來自 Satcom/VSAT 市...

GaAs 衛(wèi)星通信 2009-07-10

DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關(guān)

介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)的一款寬帶反射型MMIC SPST開關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計(jì)平臺開展了寬帶SPST開關(guān)設(shè)計(jì)。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25...

GaAs MMIC 2009-04-20

帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現(xiàn)開始發(fā)放樣品

新日本無線已開發(fā)完成了最適用于1SEG信號用調(diào)諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現(xiàn)開始樣品供貨。近年來，手機(jī)和車載導(dǎo)航等能接收1SEG信號產(chǎn)品在不斷地增加，因終端...

新日本無線寬帶低噪聲放大器 2008-12-30

基于CAN總線的GaAs光電陰極制備測控系統(tǒng)

CAN總線在GaAs光電陰極制備測控系統(tǒng)中的應(yīng)用成功的解決了系統(tǒng)測控信息量多，對可靠性和實(shí)時(shí)性要求高的難題，該測控系統(tǒng)的研制成功將有利于對GaAs光電陰極制備工藝進(jìn)行深入的理論研究，促進(jìn)提高GaAs光電陰極的制備水平，該...

陰極制備 2008-08-26

CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs

CMOS 放大器 2008-08-14

Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器

　　Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線...

放大器 Hittite 2008-07-24