EEPW
技術應用
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。 。查看更多>>
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產
國產半導體設備加速崛起
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
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