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自旋芯片與技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布全球首款單片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

本次技術(shù)突破有力推動(dòng)了 SOT-MRAM 技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召開的「第一屆自旋芯片與技術(shù)研討會(huì)」上，自旋芯片與技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布了全球首款單片容量達(dá)到 4 Mb ...

SOT-MRAM 2026-02-10

2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，匯聚了來自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會(huì)議將于2025年12月11日IE...

MRAM 存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新 2025-12-10

瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術(shù)

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產(chǎn)品。全新MCU產(chǎn)品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），...

瑞薩 MCU 2025-10-22

特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM攜手建設(shè)全球電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠

據(jù)印度報(bào)業(yè)托拉斯報(bào)道，為大力推動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）電池制造發(fā)展，特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM集團(tuán)日前達(dá)成一項(xiàng)價(jià)值10億美元的里程碑式合作協(xié)議。此次合作不僅計(jì)劃在印度建設(shè)5座先進(jìn)的電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠，還將在包括美國、...

特斯拉 SRAM & MRAM 2025-09-26

新興存儲(chǔ)，開始走嵌入式路線

新興內(nèi)存已不再只是未來的前景。在嵌入式系統(tǒng)中，它正在成為現(xiàn)實(shí)。...

MRAM ReRAM 2025-06-03

臺(tái)積電計(jì)劃建立首個(gè)歐洲設(shè)計(jì)中心瞄準(zhǔn)5納米車用MRAM

TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設(shè)計(jì)中心，并正在尋求汽車應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設(shè)計(jì)中心（EUDC）將設(shè)在慕尼黑，預(yù)計(jì)將專注于汽車，但也將支持工業(yè)應(yīng)用、人工智能（AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT）的芯片設(shè)計(jì)。考慮...

臺(tái)積電 5納米 2025-05-28

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)...

閃存 MRAM 2025-02-22

IMEC，加碼MRAM

不只是 imec，當(dāng)下諸多研究機(jī)構(gòu)紛紛表示，看好 MRAM。...

MRAM 2025-01-16

一種新型存儲(chǔ)技術(shù)問世

大阪大學(xué)的研究人員介紹了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，可以降低現(xiàn)代存儲(chǔ)設(shè)備的功耗。...

磁阻RAM MRAM 2025-01-14

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以...

鎧俠存儲(chǔ)技術(shù) 2024-10-24

【供應(yīng)商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型

Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動(dòng)運(yùn)...

Everspin Lucid Motors 2024-10-18

MRAM，新興的黑馬

1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲(chǔ)時(shí)代的開始。此后，隨著科技的進(jìn)...

磁變存儲(chǔ)器 MRAM 2024-10-15

臺(tái)積電新型存儲(chǔ)技術(shù)問世，功耗僅為同類技術(shù)的1%

臺(tái)積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢，正在積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。...

MRAM 2024-02-05

MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵

M 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過磁致電阻的變化來表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗...

MRAM 2023-11-23

迷人的新型存儲(chǔ)

多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程。現(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)...

MRAM ReRAM 2023-03-17

尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(...

功耗三星 2022-10-30

工業(yè)儲(chǔ)存技術(shù)再進(jìn)化完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身

近年來，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（F...

工業(yè)儲(chǔ)存 MRAM 2022-09-12

一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁...

存儲(chǔ)技術(shù) MRAM 2021-04-26

MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日...

MRAM DRAM 2019-03-26

MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

　　據(jù)報(bào)道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和...

MRAM 三星 2019-03-08

英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

　　在第 64 屆國際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。　　MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨...

英特爾 MRAM 2018-12-20

聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品

　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過Ava...

聯(lián)華電子 MRAM 2018-08-06

嵌入式存儲(chǔ)器的過去與現(xiàn)在

近期臺(tái)積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年...

嵌入式存儲(chǔ)器 MRAM 2018-07-30

使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) ...

STT MRAM 2018-05-23

新式儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場起飛嗎？

　　MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲(chǔ)器專有技術(shù)，據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加...

MRAM SRAM 2018-05-04

如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲(chǔ)器

　　汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。...

MRAM FRAM 2018-01-30

基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究

　　摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum&nb...

VDMR8M32 MRAM 2017-08-28

全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。　　據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundri...

MRAM 晶圓 2017-08-28

迎接嵌入式存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。　　據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundr...

存儲(chǔ)器 MRAM 2017-08-25

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

　　隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來前景。　　或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)...

MRAM DRAM 2017-08-23

DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向

　　MRAM是新興的存儲(chǔ)器，為晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲(chǔ)器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。　　MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。...

DIGITIMES MRAM 2017-07-06

臺(tái)積電重返內(nèi)存市場瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM

　　晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場。臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。　...

臺(tái)積電 MRAM 2017-06-06

新一代STT-MRAM容量達(dá)Gb水準(zhǔn)

　　被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破...

三星 MRAM 2017-02-04

IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世

　　在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會(huì)議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 ...

28nm MRAM 2016-11-29

MRAM大勢將至　產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計(jì)劃推動(dòng)

　　臺(tái)灣磁性技術(shù)協(xié)會(huì)邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對(duì)該主題介紹市場與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項(xiàng)技術(shù)的看法，對(duì)于磁性存儲(chǔ)器(MRAM)的市場前景樂觀，并認(rèn)為臺(tái)灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動(dòng)的...

MRAM 2016-11-22

從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，正在作為一種主流的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)被業(yè)界所廣泛接受。它集成了一個(gè)磁阻器件和一個(gè)硅基選擇矩陣。MRAM的關(guān)鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速...

隨機(jī)存取邏輯單元 2016-10-15

STT-MRAM存儲(chǔ)技術(shù)詳解

存儲(chǔ)器是當(dāng)今每一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、存儲(chǔ)方案和移動(dòng)設(shè)備都使用的關(guān)鍵部件之一。存儲(chǔ)器的性能、可擴(kuò)展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)上成功或失敗的主要標(biāo)準(zhǔn)。目前，幾乎所有產(chǎn)品都使用一種或組合使用...

MRAM 存儲(chǔ)器 2016-10-15

MRAM的黃金時(shí)代即將來臨？

　　MRAM市場可能會(huì)在明年開始變得越來越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國業(yè)者Spin Transfer Technolo...

STT MRAM 2016-10-01

三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏

　　三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)...

三星 MRAM 2016-08-01

28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世

　　SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-...

存儲(chǔ)器 MRAM 2016-08-01