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長江存儲(chǔ)進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場三期擴(kuò)產(chǎn)與未來目標(biāo)長江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場...

長江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2026-02-05

Material公司的電池為每個(gè)角落提供電力

動(dòng)力強(qiáng)勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機(jī)、士兵的單兵背包、智能可穿戴設(shè)備，這些產(chǎn)品有著一個(gè)共同點(diǎn)：都需要電池供電。理想狀態(tài)下，電池能精準(zhǔn)適配各類不規(guī)則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。曾參與...

Material 3D 打印 2026-02-04

Metalens 提升顯微 3D 打印精度

借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術(shù)，科學(xué)家們開發(fā)出一種既能實(shí)現(xiàn)微觀細(xì)節(jié)又能實(shí)現(xiàn)高通量的新型3D打印技術(shù)。研究人員建議，他們的新技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)復(fù)雜納米級(jí)結(jié)構(gòu)的大規(guī)模生產(chǎn)。潛在應(yīng)用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復(fù)...

3D 打印超構(gòu)透鏡 2025-12-19

長江存儲(chǔ)對(duì)美國國防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲(chǔ)已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國國防部、美國商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲(chǔ)于美國華盛頓聯(lián)邦法院對(duì)美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲(chǔ) 3D NAND 2025-12-11

算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達(dá)宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺(tái)積電早已與楷登電子在先進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密...

算力巨頭 EDA 2025-12-10

IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動(dòng)印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會(huì)議由IEEE班加...

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 嵌入式系統(tǒng) 2025-11-26

量子傳感器初創(chuàng)公司尋找三維芯片的缺陷

芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術(shù)，在有限空間內(nèi)集成更強(qiáng)計(jì)算能力。然而，當(dāng)前用于檢測可能導(dǎo)致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術(shù)，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創(chuàng)公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望...

氮空位缺陷 3D 芯片 2025-11-21

3D-IC將如何改變芯片設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對(duì) EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片設(shè)計(jì) 2025-10-10

長江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長存集團(tuán)）召開股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中...

長江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來討論了對(duì) 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計(jì)...

3D-IC設(shè)計(jì) 2025-09-28

國產(chǎn)廠商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級(jí)態(tài)勢(shì)攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對(duì)數(shù)...

3D DRAM 2025-09-12

汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對(duì)緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-I...

汽車應(yīng)用 3D-IC 2025-09-05

實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。...

3D DRAM 2025-09-02

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案...

鎧俠 3D 閃存 2025-07-28

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻...

EDA 3D IC 2025-07-04

西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化...

西門子EDA 3D IC 2025-07-01

2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2...

2.5D/3D 芯片技術(shù) 2025-06-24

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)...

Neo Semiconductor IGZO 2025-05-14

3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 ...

3D 射頻傳感器 2025-05-12

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 West...

Sandisk 3D-NAND 2025-04-24

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。...

3D DRAM 2025-03-04

紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

日前，紫光國微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解，無錫紫...

紫光國微 2D/3D 2025-02-10

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來自La...

3D NAND 深孔蝕刻 2025-02-07

李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類別的物體和動(dòng)物。2012...

李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正在為機(jī)器提供 3D 空間智能 2024-12-13

谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升...

谷歌 DeepMind 2024-12-05

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測...

Teledyne 3D測量 2024-11-27

三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）...

三星光刻膠 2024-11-27

臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Ko...

臺(tái)積電 OIP 2024-09-30

內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。...

HBM 3D DRAM 2024-07-08

鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層...

鎧俠 3D NAND堆疊 2024-07-01

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研...

SK海力士 3D DRAM 2024-06-26

西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對(duì)從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工...

西門子 Calibre 3DThermal 2024-06-25

邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出&...

3D 內(nèi)存存儲(chǔ) 2024-05-21

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。...

SK海力士 3D NAND 2024-05-08

5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速...

5G 聯(lián)電 2024-05-05

聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，...

聯(lián)電 3D IC 2024-05-05

如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。...

3D-IC 2024-04-23

Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。...

Zivid 3D 2024-04-22

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的...

3D DRAM 2024-04-12

3D NAND，1000層競爭加速！

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000...

3D NAND 集邦咨詢 2024-04-08