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功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障...

安森美固態斷路器 2026-01-19

175℃極限突破！SiC JFET 讓固態斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可...

安森美 SiC 2025-09-24

一文讀懂SiC Combo JFET技術

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通...

安森美 SiC 2025-06-30

SiC Combo JFET技術概覽與特性

SiC Combo JFET 安森美 2025-06-26

SiC市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭...

SiC 共源共柵 2025-06-13

SiC Combo JFET講解，這些技術細節必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 ...

安森美 SiC 2025-06-11

英飛凌重返SiC JFET，實現更智能、更快速的固態配電

Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結...

英飛凌 SiC 2025-05-12

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術，實現更加智能、快速的固態配電

近日，為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電...

英飛凌 CoolSiC 2025-05-07

碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器...

安森美碳化硅 2025-04-09

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。...

cascode FET 2025-03-26

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？

簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優...

碳化硅 Cascode 2025-03-12

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？

碳化硅 Cascode JFET 2025-03-11

速看！SiC JFET并聯設計白皮書完整版

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://cqxgywz.com/a...

SiC JFET 2025-03-05

SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的...

JFET Cascode 2025-03-05

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（...

SiC Cascode 2025-02-24

安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數據中心的電源產品組合

安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteS...

安森美碳化硅JFET 2024-12-11

安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術

據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿...

安森美收購 2024-12-11

很基礎的MOS管知識

半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），...

三極管 MOSFET 2024-08-06

還分不清結型場效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現

JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場...

結型場效應管 jfet 2024-08-01

結型場效應管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷

今天給大家講講結型場效應管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結型場效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶...

結型場效應管 jfet 2024-08-01

晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數和特性。...

晶體管 NPN 2021-05-25

如何成為硬件高手

　　摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發射區進入充滿黑洞的基區，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結，受到強大的吸力快速渡越出集電區，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻...

仿真 JFET 2017-04-21

結型場效應管(JFET)的基礎知識

　　結構與符號：　　? ?　　在N區兩側擴散兩個P+區，形成兩個PN結。兩個P+區相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。　　導電原理：　　? ?　　(1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區)...

JFET 2017-01-03

CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

　　由于具有較低的偏置電流，人們經常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關。　　CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱...

CMOS JFET 2015-12-21

場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

一、場效應管的工作原理- -概念　　場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效...

場效應管 MOS 2015-01-16

導入Cascode結構　GaN FET打造高效率開關

為提高高壓電源系統能源效率，半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的......

Cascode GaN 2014-02-09

挑戰毫微安小電流測量技術

幾千種應用都需要測試小電流的電路，最常見的是測量二極管受光照射所產生的光電電流。一些科學應用（如CT......

毫微安電流電流測量 2012-09-04

確定JFET特性的簡單電路

當使用分立的JFET時，設計者可能需要將大量可變的器件參數與某個給定的晶體管型號相適應。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源...

電路簡單 2012-07-02

JFET級聯實現恒定精確電流源的方法

很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設置電阻器R1后，電壓基準電路IC ......

JFET 恒定 2012-06-26

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英...

英飛凌 SiC 2012-06-20

Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET

用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產品的協議。...

Power Integrations SiC二極管 2011-11-30

電腦的麥克風電路以及JFET-MOSFET耳機功放電路

電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and...

電路耳機 2010-02-01

德州儀器推出業界速度最快的 JFET 輸入放大器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現3 倍于同類競爭產品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗...

TI 運算放大器 2009-12-14