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一種基于LDMOS器件結構優化提升功率放大器功率附加效率的方法

　　吳錦帆（電子科技大學電子科學與工程學院??四川??成都??610054）　　摘?要：本文介紹了一種通過改進LDMOS的器件結構，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號指標的方法。在器件仿真環境中，通過對...

202006 LDMOS 2020-05-27

埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管

近日，埃賦隆半導體（Ampleon）現在面向工業加熱、除霜、等離子照明和醫療應用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至443MHz，它可在脈沖或連...

LDMOS VSWR 2020-01-25

氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力

　　數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。　　與LDMOS相比...

氮化鎵 LDMOS 2018-03-02

意法半導體與遠創達簽署LDMOS技術許可合作協議

　　橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)今天宣布與遠創達科技公司簽署一份LDMOS射頻功率技術許可協議。遠創達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公...

意法半導體 LDMOS 2018-02-26

驗證射頻功率晶體管的耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管，...

射頻功率晶體管耐用性 2017-06-03

氮化鎵發展評估

本文介紹了氮化鎵的發展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發展的廣闊市場。...

氮化鎵砷化鎵 2016-12-28

寬頻設計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

隨著人們對數據速率要求越來越高，直接導致無線通信系統帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術的進一步可持續性發展。...

PTFC270101 小基站 2016-10-29

5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑、GaN快速增長

　　2016年8月29日，每年一次循例來為華為RF工程師講課的Qorvo高級Fellow Bill Boesch在深圳接受了專訪，他說：“4G、5G基站大功率射頻(RF)元件市場正在發生變革，原有的占主導地位...

5G LDMOS 2016-09-05

寬頻設計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

　　隨著人們對數據速率要求越來越高，直接導致無線通信系統帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術的進一步可持續性發展。2G、3G、4G技術的相繼推出，使移動業務由單一形態逐漸過渡到可同時支持語音、數據和視頻等多種業務...

基站 LDMOS 2016-04-04

覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS

　　國際領先的微波半導體器件制造廠商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個頻段的大功率330W LDMOS，器件型號為PXAC203302FV。該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大...

TD-SCDMA LDMOS 2015-11-05

一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設計

　　LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，橫向擴散金屬氧化物半導體)以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域...

LDMOS RFIC 2014-08-15

憑借第二代Airfast功放，飛思卡爾繼續擴大RF領導地位

　　RF功率行業的領導者飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案，為高級無線架構設備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應用)提供了全新級別的性能。　　飛思卡爾最新的A...

飛思卡爾 RF 2014-07-08

飛思卡爾發布LDMOS首批11個射頻功率產品

　　射頻(RF)功率晶體管領域的全球領導者飛思卡爾半導體日前宣布11個全新商用的射頻功率LDMOS產品全面上市，這個產品可滿足美國國防電子產品應用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業務戰略防御計劃發布的首套產品...

飛思卡爾 LDMOS 2014-03-04

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園...

射頻抗擊穿 2014-02-19

利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

摘要：LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能 ......

DS4303 LDMOS 2013-11-14

基站功率放大器ADS仿真設計

ADS 晶體管 2012-06-15

LDMOS結構特點和使用優勢

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應用，...

優勢使用 2012-06-04

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使用,飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所...

LDMOS 飛思卡爾 2012-05-08

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功放設計

LDMOS TD-SCDMA 2012-04-25

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

　TD-SCDMA(時分同步碼分多址接入)是第三代移動通信三大主流標準之一，是我國具有自主知識產權的通信標準，它標志著中國在移動通信領域已經進入世界先進行列，目前，TD-SCDMA的商用化進程正在順利地進行之中[1]。T...

功率放大器射頻 2012-04-23

LDMOS結構/優點

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術 ......

LDMOS 2012-02-11

LDMOS的性能與制造工藝

LDMOS的性能概述　　與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6d ......

LDMOS 性能 2012-02-11

檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案

摘要：本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設計方案，給出了電路結構。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環境下進行電路仿真驗證。結果證明：該方法能夠快速、實時地實現過流保護功能...

是否方案 2011-08-22

基于超薄外延技術的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計

摘要：文中針對高壓節能應用領域，開發了一種基于超薄外延技術的雙擴散BCD兼容工藝，實現了一種新型D-RESURF結構的700V LDMOS設計。結構中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區長度縮減至70mu;m，使得...

D-RESURF LDMOS 2011-04-11

飛思卡爾的先進射頻功率處理技術LDMOS降低蜂窩發射器成本和功耗

飛思卡爾半導體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發射器降低功耗的......

LDMOS 2011-03-06

世強電訊推出Infineon 推動功放參考設計及Demoboard

　　Infineon的LDMOS功放管憑優良的產品質量性能已廣泛應用在移動通信設備中，在國內外不少知名通信設備生產商的設備中Infineon的功放管都占有一定的份額。　　其中，Infineon專門為了滿足移動通信市場...

Infineon LDMOS 2010-12-31

英飛凌向中國通信市場推出新一代LDMOS晶體管

　　英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一，其前身是西門子集團的半導體部門。在中國，英飛凌先進的半導體解決方案已廣泛應用于各個領域...

英飛凌晶體管 2010-10-18

恩智浦射頻產品技術中心落戶上海及波士頓近郊

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市(近波士頓)開設兩家恩智浦高性能射頻(RF)產品技術中心。中心主要從事...

NXP 射頻 2010-07-07

3G基站：LDMOS技術提升3G基站能效

　　我國的3G網絡發展潛力舉世矚目，3G建設中最為關鍵的基站部署也已成為業界關注的核心。以高效功放、多載頻技術、分布式架構、增強型室內覆蓋等為代表的新一代基站創新性技術，將會讓運營商實現高性能、低成本的網絡部署。其中，功...

恩智浦 3G基站 2009-12-23

飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

　　飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的50V LDMOS RF功率晶體管產品的神秘面紗。這一產品線非常適合于各種高功率RF應用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。? 　　RF產品線包括MRF6V14...

飛思卡爾晶體管 2008-06-05

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優化。恩智浦的第七代LDMOS技...

恩智浦 LDMOS 2008-05-19

英飛凌推出行業最優峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發布兩款面向無線寬帶應用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運行的WiMAX應用。這些產品可提供最高達170 W的峰值輸出功率，進一步壯...

英飛凌 LDMOS 2008-05-05

飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有...

嵌入式系統單片機 2007-08-07

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LDMOS

一種基于LDMOS器件結構優化提升功率放大器功率附加效率的方法

埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管

氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力

意法半導體與遠創達簽署LDMOS技術許可合作協議

驗證射頻功率晶體管的耐用性

氮化鎵發展評估

寬頻設計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑、GaN快速增長

寬頻設計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS

一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設計

憑借第二代Airfast功放，飛思卡爾繼續擴大RF領導地位

飛思卡爾發布LDMOS首批11個射頻功率產品

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

基站功率放大器ADS仿真設計

LDMOS結構特點和使用優勢

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應用類型

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功放設計

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

LDMOS結構/優點

LDMOS的性能與制造工藝

檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案

基于超薄外延技術的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計

飛思卡爾的先進射頻功率處理技術LDMOS降低蜂窩發射器成本和功耗

世強電訊推出Infineon 推動功放參考設計及Demoboard

英飛凌向中國通信市場推出新一代LDMOS晶體管

恩智浦射頻產品技術中心落戶上海及波士頓近郊

3G基站：LDMOS技術提升3G基站能效

飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

英飛凌推出行業最優峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

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