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2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術實力與解決方案在功率電子設計領域，MOSFET的選擇是決定產品效率、可靠性和成本的關鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進一步提高，工程師面臨的選型挑戰也日益復...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

MOSFET（場效應晶體管）廣泛應用于現代電子電路，特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而，在某些應用中，由于MOSFET開關速度不足，可能導致功率損失增大，進而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術詳解與選型應用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

一、保護電路核心架構主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件，當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓，形成動態限流機制。該架構響應時間可達毫秒級，在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。二、設計要點與參數計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異?；蚴Э氐脑蚺c對策

在功率電子系統中，MOSFET 以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而，FAE在現場調試和失效分析中發現，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐蒑OSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

MOSFET選型技巧一

MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）是電子電路中常用的關鍵器件，尤其在開關電源、電機驅動等領域應用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別G DS極和電路連接錯誤的問題。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要從電路圖...

MOSFET leiditech 2025-03-19

碳化硅芯片的設計和制造

首先，下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。（圖一.制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾...

碳化硅 2024-06-02

喜報！讓碳化硅瘋狂生長-科友半導體晶體厚度突破80mm！

5月29日，科友半導體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發的電阻長晶爐再次實現突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶，這也是國內首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠...

碳化硅 2024-05-31

技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響

參考文獻：白志強，4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究【D】，西安電子科技大學，2023三角形缺陷三角形缺陷是SiC外延層中最為致命的一類形貌缺陷，已有大量的文獻報道表明三角形缺陷的形成與3C晶型有關。然而由于生長...

MOSFET 2024-03-09

碳化硅晶片的化學機械拋光技術

碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，在現代工業領域應用廣泛：在半導體領域，利用其具有禁帶寬度、擊穿場強高和導熱性良好等特性，SiC成為繼第一代半導體硅(Si)和第二代半導...

碳化硅 2024-01-24

碳化硅與第三代半導體的淵源

一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經...

碳化硅 2023-12-19

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤：1，東尼電子年產碳化硅襯底13.50萬片（前三交貨進度100%完成）2024年、2025年分別向該客戶交付6英寸碳化硅襯底30萬片和50萬片，下半年開始8英寸小批量開始交貨。2. 天科合達...

碳化硅 2023-12-14

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2 eV，而碳化硅的帶...

碳化硅 2023-12-08

碳化硅賽道“涌動” ，國內外巨頭抓緊布局

近年來，在新能源汽車、光伏等應用的帶動下，碳化硅行業迎來了快速發展階段。據Yole報告顯示，未來碳化硅在功率半導體中的市場份額將穩步提升，到2028年將達到約25%的市場份額，屬于一個具有明確發展前景的新興領域。今年以來...

碳化硅 2023-12-03

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CP...

大功率電源 MOSFET 2023-11-17

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

2023年8月31日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最...

東芝 MOSFET 2023-08-31

英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC...

MOSFET 英飛凌 2023-08-03

碳化硅需求旺盛，安森美Q3業績及Q3財測超預期

8月1日消息，功率半導體大廠安森美（ON Semiconductor）于7月31日美股盤前公布了截止6月底的二季度財報，營收由去年同期的20.85億美元略增0.5%至20.9億美元；毛利率為47.4%；凈利同比增長26....

碳化硅半導體 2023-08-01

碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代

火熱的碳化硅行業終將逐漸回歸理性，唯有護城河深的企業才能受到青睞。作者 | 李晨光編輯 | 半行觀在過去的幾年，半導體市場無疑經歷了巨大的波折。從缺芯潮緩解...

碳化硅 2023-07-09

中國電科：國產碳化硅器件和設備取得突破

導讀：近日中國電科公布一系列成果，顯示在國產碳化硅（SiC）設備及器件上取得突破。圖：中電科55所生產線4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯合研發的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產1200V塑封2in...

碳化硅 2023-07-06

碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代

來源：半導體行業觀察在過去的幾年，半導體市場無疑經歷了巨大的波折。從缺芯潮緩解轉向下游市場需求疲軟，芯片行業步入下行周期。無論是終端市場的低迷，還是各類技術無法突破瓶頸的現狀，以及供需關系的惡化，都掣肘了行業的進一步發展...

碳化硅 2023-06-27

細談中國碳化硅的從無到有，老一輩工藝先驅者的匠心足跡

艾新德魯夫執行院長幻實（左）中國電子科技集團第四十六研究所副總工程師郝建民（右）本期話題：·初生代新風口——國產碳化硅的發展軌跡·設備與工藝——從無到有的跨越與突破·縮小差距——高歌猛進的乘風破浪大咖談芯 | 細談...

芯片碳化硅 2023-05-18

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

功率器件的興起帶動了電力電子產業的全面革命，功率半導體器件作為電力電子設備的關鍵組成部分，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計，在高開關頻率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

要說半導體圈子現在啥最熱，非第三代半導體莫屬，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體技術將成為未來半導體發展的新熱點，而這些材料為基材的半導體器件主要應用于和功率及能源相關的技術領域，“碳中和”目標的實...

東芝 SiC 2023-04-27

如何避免MOSFET常見問題和失效模式

前些時分享了東芝的《MOSFET柵極驅動電路應用說明》的文檔，今天再給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。原文檔的鏈接如下：https:...

MOSFET 2023-04-25

采埃孚與意法半導體就碳化硅器件簽署多年供應協議

來源：芯TIP4月13日，采埃孚官網宣布，將與意法半導體就碳化硅器件簽署多年供應協議，從意法半導體采購碳化硅器件。根據這份多年期合同的條款，意法半導體將提供數量達數百萬的碳化硅器件，這些器件將集成到采埃孚新的模塊化逆變器...

碳化硅 2023-04-15

MOSFET柵極驅動電路應用說明

最近看到一個東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯，就把內容復制出來了，分享給大家看下，原文檔下載鏈接是這個：https://max.book118.com/html/2019/0604/501414430100204...

MOSFET 柵極驅動 2023-02-28

降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱

來源：碳化硅研習社隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競爭優勢。效率與較...

碳化硅 2023-02-02

光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器和MOSFET之間的差異介紹光電耦合器/光耦合器和固態繼電器（光電MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持電隔離的同時傳輸信號，但存在一些重要差異。結構差異下圖顯示了光電耦合器和OCMOS ...

光電耦合器 MOSFET 2023-02-01

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續航里程和系統的小型化全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日...

電動汽車 sic 2022-12-28

ST與Soitec合作開發碳化硅襯底制造技術

意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創新半導體材料設計制造公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產前認證測試。此次合作的目標是意法半...

ST 碳化硅 2022-12-08

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導體材料，未來它肯定會取代硅用于大功率應用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要創建一個足夠的驅動程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20...

MOSFET LTspice 2022-11-10

芯片研發過程中的可靠性測試——碳化硅功率器件

碳化硅作為第三代半導體經典的應用，具有眾多自身優勢和技術優勢，它所制成的功率器件在生活中運用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產品的穩定性在一定程度上也決定了生活的質量。作為高尖精的產品，芯片的可靠性測試貫徹始終，...

碳化硅 mos 2022-11-03

MOSFET選型10步法則

俗話說“人無遠慮必有近憂”，對于電子設計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關于MOSFET...

MOSFET 法則 2022-10-27

碳化硅產業化駛入快車道 A股公司紛紛“搶食”盛宴

近日，士蘭微擬大手筆投資擴產碳化硅(SiC)功率器件生產線、汽車半導體封裝項目(一期)，成為碳化硅產業鏈公司擴產的最新案例。上海證券報記者梳理發現，近期，碳化硅產業鏈上襯底片、外延片、芯片及器件各環節的國內外公司紛紛加入...

碳化硅 2022-10-24

MOSFET結構及其工作原理詳解

MOSFET基本概述 &n...

MOSFET MOS管 2022-10-21

擴產、簽約！碳化硅新勢力SK siltron忙不停

來源：化合物半導體市場以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料，憑借更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率，廣泛地應用于新能源汽車、新能源光伏、5G宏****、風電、國防軍工等領域，近年來產業高...

碳化硅 2022-10-18

MOSFET選型10步法則

MOSFET 2022-10-16

碳化硅的謊言與真相

都說買股****買的是預期，其實通常買的是故事。老話說，Buy the rumor, sell the news。也就是，有故事的時候買，消息落地(故事結局)趕緊賣掉。注意，上述諺語中即使故事成真，如果沒有新的故事了，股...

碳化硅 2022-09-15

碳化硅 MOSFET