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2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術(shù)實(shí)力與解決方案在功率電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET的選擇是決定產(chǎn)品效率、可靠性和成本的關(guān)鍵。隨著2026年市場對(duì)能源效率、功率密度和智能化要求的進(jìn)一步提高，工程師面臨的選型挑戰(zhàn)也日益復(fù)...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關(guān)速度不夠?qū)е鹿β蕮p失及解決方案

MOSFET（場效應(yīng)晶體管）廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路，特別是在高效電力電子和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中。其高速開關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而，在某些應(yīng)用中，由于MOSFET開關(guān)速度不足，可能導(dǎo)致功率損失增大，進(jìn)而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優(yōu)化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達(dá)1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術(shù)詳解與選型應(yīng)用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)解析-ASIM阿賽姆

一、保護(hù)電路核心架構(gòu)主流方案采用MOS管與三極管組合結(jié)構(gòu)。三極管作為檢測元件，當(dāng)電流異常時(shí)快速調(diào)整MOS管柵源電壓，形成動(dòng)態(tài)限流機(jī)制。該架構(gòu)響應(yīng)時(shí)間可達(dá)毫秒級(jí)，在調(diào)光器應(yīng)用中可有效防止燈泡爆裂。二、設(shè)計(jì)要點(diǎn)與參數(shù)計(jì)算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對(duì)策

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET 以其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

MOSFET選型技巧一

MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是電子電路中常用的關(guān)鍵器件，尤其在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別G DS極和電路連接錯(cuò)誤的問題。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要從電路圖...

MOSFET leiditech 2025-03-19

技術(shù) | SiC襯底和外延材料對(duì)MOSFET器件特性的影響

參考文獻(xiàn)：白志強(qiáng)，4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究【D】，西安電子科技大學(xué)，2023三角形缺陷三角形缺陷是SiC外延層中最為致命的一類形貌缺陷，已有大量的文獻(xiàn)報(bào)道表明三角形缺陷的形成與3C晶型有關(guān)。然而由于生長...

MOSFET 2024-03-09

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CP...

大功率電源 MOSFET 2023-11-17

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

2023年8月31日--東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最...

東芝 MOSFET 2023-08-31

英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規(guī)級(jí)碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC...

MOSFET 英飛凌 2023-08-03

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

功率器件的興起帶動(dòng)了電力電子產(chǎn)業(yè)的全面革命，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。電力電子未來發(fā)展的趨勢之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，在高開關(guān)頻率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

要說半導(dǎo)體圈子現(xiàn)在啥最熱，非第三代半導(dǎo)體莫屬，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)將成為未來半導(dǎo)體發(fā)展的新熱點(diǎn)，而這些材料為基材的半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于和功率及能源相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，“碳中和”目標(biāo)的實(shí)...

東芝 SiC 2023-04-27

如何避免MOSFET常見問題和失效模式

前些時(shí)分享了東芝的《MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說明》的文檔，今天再給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。原文檔的鏈接如下：https:...

MOSFET 2023-04-25

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說明

最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯(cuò)，就把內(nèi)容復(fù)制出來了，分享給大家看下，原文檔下載鏈接是這個(gè)：https://max.book118.com/html/2019/0604/501414430100204...

MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng) 2023-02-28

光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器和MOSFET之間的差異介紹光電耦合器/光耦合器和固態(tài)繼電器（光電MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持電隔離的同時(shí)傳輸信號(hào)，但存在一些重要差異。結(jié)構(gòu)差異下圖顯示了光電耦合器和OCMOS ...

光電耦合器 MOSFET 2023-02-01

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器

從2025年起將向全球電動(dòng)汽車供貨，助力延長續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社（以下簡稱“日...

電動(dòng)汽車 sic 2022-12-28

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅(qū)動(dòng)器的重要性

碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導(dǎo)體材料，未來它肯定會(huì)取代硅用于大功率應(yīng)用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要?jiǎng)?chuàng)建一個(gè)足夠的驅(qū)動(dòng)程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關(guān)閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20...

MOSFET LTspice 2022-11-10

MOSFET選型10步法則

俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師，在項(xiàng)目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項(xiàng)目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關(guān)于MOSFET...

MOSFET 法則 2022-10-27

MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解

MOSFET基本概述 &n...

MOSFET MOS管 2022-10-21

MOSFET選型10步法則

MOSFET 2022-10-16

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別

來源：techclass.rohm功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢...

Si-MOSFET 2022-07-17

MOSFET 安全工作區(qū)域 SOA是什么

如果您想知道或擔(dān)心您的 MOSFET 在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應(yīng)該查看器件的 SOA 數(shù)據(jù)。在這篇文章中，我們將全面討論 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的安全工作區(qū)域 SOA。SOA曲線圖以下是...

MOSFET ;SOA 2022-05-06

【干貨】技術(shù)角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隱蔽的碳化硅MOSFET柵極諧振問題

Tesla Model 3 批量召回可能原因分析— 隱蔽的碳化硅MOSFET模塊并聯(lián)中的柵極諧振問題徐賀、朱楠、鄭福軍、朱安康、羅皓澤引言最近特斯拉因后驅(qū)逆變器故障召回國內(nèi)超過12.5萬輛M...

MOSFET 2022-04-16

1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路

來源：芯TIP報(bào)告主題：1.2kV SiC MOSFET 中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路報(bào)告作者：Amy Romero, Adam Barkley, Robert Zenoz,Frank DiLustro , Jef...

MOSFET 2022-04-16

MOSFET器件選型的3****則，教你成為器件選型大師

來源：電子發(fā)燒友網(wǎng)俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師，在項(xiàng)目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項(xiàng)目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎...

MOSFET 2022-04-16

重磅新品｜清純半導(dǎo)體推出國內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

來源：碳化硅芯觀察市場動(dòng)態(tài)：近日，清純半導(dǎo)體發(fā)布了國內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC MOSFET器件平臺(tái)產(chǎn)品，填補(bǔ)了國內(nèi)15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)品空白。國內(nèi)頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)「清純半導(dǎo)體」日前宣布發(fā)布國...

SiC MOSFET 2022-04-13

MOSFET 之父：Dawon Kahng 和 Martin Atalla

當(dāng)今數(shù)字電路中最流行的晶體管技術(shù)是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 ( MOSFET )，以其基于施加電壓的動(dòng)態(tài)導(dǎo)電性而聞名。自誕生以來，這些功能已支持無數(shù)電子設(shè)備。然而，這種創(chuàng)新并沒有自發(fā)實(shí)現(xiàn)。跟隨我們分享 D...

MOSFET 2021-12-21

盤點(diǎn) | 重中之重的功率半導(dǎo)體，全球MOSFET制造商有哪些？?

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率器件。基本上，功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件 (Power Di...

MOSFET 2021-06-29

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2026年MOSFET廠家推薦

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MOSFET選型技巧一

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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算

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如何避免MOSFET常見問題和失效模式

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場

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