半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件文章最新資訊

Imec 解決了 3D HBM on GPU 架構(gòu)中的熱極限

Imec在下一代3D HBM-on-GPU架構(gòu)中熱量管理方面取得了重大進(jìn)展，展示了其系統(tǒng)-技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）方法能夠顯著降低AI訓(xùn)練工作負(fù)載下的GPU溫度。該工作本周在2025年IEEE國際電子器件會議（IEDM）上發(fā)表并發(fā)布，展示了跨層設(shè)計策略如何將3D集成計算平臺的峰值熱量從140°C以上降至約70°C。他們中許多人正處于先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體設(shè)計和人工智能加速的交叉領(lǐng)域——這些發(fā)現(xiàn)為高密度3D架構(gòu)的可行性以及塑造下一代計算系統(tǒng)的關(guān)鍵熱策略提供了寶貴見解。3D HBM配GPU：密度與熱量隨著AI模型不
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報告稱半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入前所未有的“千萬億周期”——人工智能的規(guī)模正在同時重寫計算、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)和存儲的經(jīng)濟(jì)性

新的行業(yè)分析認(rèn)為，人工智能時代正在同時重塑芯片市場的各個環(huán)節(jié)。來自AMD、英偉達(dá)、博通及主要研究機(jī)構(gòu)的越來越多的預(yù)測現(xiàn)在顯示，半導(dǎo)體市場將在十年結(jié)束前突破萬億美元門檻，這得益于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的規(guī)模，是行業(yè)歷史上任何一次擴(kuò)張的數(shù)倍。Creative Strategies的新分析稱這一轉(zhuǎn)變?yōu)椤扒f周期”，認(rèn)為前所未有的AI需求規(guī)模正在同時重構(gòu)計算、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)和存儲的經(jīng)濟(jì)性。2024年全球半導(dǎo)體收入約為6500億美元，但多方預(yù)測現(xiàn)在都將2028年或2029年達(dá)到萬億美元。人工智能負(fù)責(zé)了大部分的向上修正。A
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設(shè)計中的輻射硬質(zhì)：下一代航天與國防系統(tǒng)的氮化鎵半導(dǎo)彈

航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設(shè)備，因?yàn)檩椛錁O易導(dǎo)致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛(wèi)星和航天器上的所有電子設(shè)備供電至關(guān)重要，尤其是當(dāng)航天器內(nèi)有宇航員時。例如，深空任務(wù)可能會遭遇背景輻射產(chǎn)生的中子、放射性同位素?zé)犭姍C(jī)（RTGs）以及其他有害核輻射源（圖 1）；而近地及大氣層環(huán)境中的設(shè)備則會受到銀河宇宙射線（GCRs）及其二次輻射的影響。1. 太空環(huán)境會引發(fā)一系列嚴(yán)酷的影響。此外，太空中的長期輻射效應(yīng)還會影響宇航員和航天器電子設(shè)備?？傠婋x劑量（TID）水平將在組件芯片層級接收，計算有源部
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中國集成電路行業(yè)投入超過100億元人民幣

近幾周，中國半導(dǎo)體行業(yè)對集成電路（IC）行業(yè)的重大資本投資有所增加。上海IC產(chǎn)業(yè)投資基金階段II資本增至240.6億元人民幣，增長66%公司注冊數(shù)據(jù)顯示，上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金階段二號有限公司注冊資本從約145.3億元人民幣增至240.6億元，增長約66%。該基金成立于2020年5月，總部位于上海浦東新區(qū)，是一家國家支持的私募股權(quán)工具，股東包括上海克洲集團(tuán)、上海國生集團(tuán)、上海國際集團(tuán)、浦東風(fēng)險投資集團(tuán)、臨港新區(qū)基金、興家股權(quán)和浦東新工業(yè)投資。以支持中國集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展為關(guān)鍵承諾，階段II將投資整個
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行業(yè)組織希望推動歐盟芯片法案2.0

歐盟委員會一直在就下一階段的歐盟芯片法案進(jìn)行磋商，以支持整個地區(qū)的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。從德國的ZVEI到瑞典半導(dǎo)體和半歐洲的各個行業(yè)團(tuán)體都為歐盟芯片法案2.0的磋商做出了貢獻(xiàn)，強(qiáng)調(diào)了第一法案中的關(guān)鍵差距和高度官僚化的過程，這減緩了實(shí)施速度。例如，最初的《芯片法》設(shè)立了處理器和半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)盟，該聯(lián)盟花了兩年多的時間才舉行了第一次會議，成員包括技能、供應(yīng)鏈、PFAS和汽車工作組。聯(lián)盟于3月首次舉行會議，第二次會議于2025年11月舉行，專門討論該法的修訂。盡管如此，根據(jù)第一部法案的規(guī)定，到 2030 年預(yù)計將進(jìn)行
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人工智能對半導(dǎo)體行業(yè)的影響分析

半導(dǎo)體是一種電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。它能夠?qū)崿F(xiàn)電流的受控流動，使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備如計算機(jī)、智能手機(jī)及其他數(shù)字系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。半導(dǎo)體構(gòu)成了集成電路和微芯片的基礎(chǔ)，這些集成電路和微芯片被廣泛應(yīng)用于各種技術(shù)應(yīng)用。半導(dǎo)體行業(yè)在支持人工智能、電動汽車、無線通信和數(shù)據(jù)存儲等領(lǐng)域的進(jìn)步方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。近年來，增長主要由生成式人工智能和數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中芯片的需求推動。例如，半導(dǎo)體銷售在2024年增長了約19%，其中與人工智能相關(guān)的芯片占當(dāng)年芯片總銷量的20%以上?？傮w來看，2023年銷量近一萬億顆
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下一代半導(dǎo)體技術(shù)如何推動人工智能革命

在對計算霸權(quán)的不懈追求中，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一個由人工智能無盡需求驅(qū)動的變革時期。制造工藝和材料的突破不僅僅是漸進(jìn)式改進(jìn)，更是基礎(chǔ)性的轉(zhuǎn)變，使芯片能夠?qū)崿F(xiàn)指數(shù)級更快、更高效、更強(qiáng)大的芯片。從GAA晶體管的復(fù)雜架構(gòu)，到高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光刻的微觀精度，再到先進(jìn)封裝的巧妙集成，這些創(chuàng)新正在重塑數(shù)字智能的本質(zhì)。這些進(jìn)展在2025年12月迅速展開，對于維持人工智能的指數(shù)級增長至關(guān)重要，尤其是在大型語言模型（LLM）和復(fù)雜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域。它們承諾釋放前所未有的能力，使人工智能能夠解決此前被認(rèn)為難以解決的
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ST宣布用于運(yùn)動控制的GaN集成電路平臺

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動工具和工廠自動化等產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動。意法半導(dǎo)體應(yīng)用專用產(chǎn)品部門總經(jīng)理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺通過引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運(yùn)動控制應(yīng)用中的寬帶隙效率提升?！薄斑@些新設(shè)
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Nexperia危機(jī)對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈、車企庫存和替代器件影響的分析

結(jié)合Z2Data的分析報告，探討爭議中安世半導(dǎo)體涉及的供應(yīng)鏈暴露出的薄弱環(huán)節(jié)，以及對依賴其元器件的制造商可能造成的影響。
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克服3-NM節(jié)點(diǎn)的BEOL圖案化挑戰(zhàn)

圖片來源：Lam Research隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）面積從一個節(jié)點(diǎn)縮小到另一個節(jié)點(diǎn)50%，互連臨界尺寸（CD）和間距（或間距）需求非常緊張。在N3節(jié)點(diǎn)，金屬間距尺寸必須在18納米或以下，主要的互連挑戰(zhàn)之一是確保足夠的工藝裕度以應(yīng)對CD和邊緣布置誤差（EPE）。實(shí)現(xiàn)未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)的CD光柵需要多圖案化方法，如自對齊雙/四/八重圖案（SADP/SAQP/SAOP）和多重光刻蝕（LE）圖案，結(jié)合193i光刻甚至極紫外光刻。SEMulator3D虛擬制造技術(shù)，作為Semiverse Solutio
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通過超高純度條件實(shí)現(xiàn)的高純度AlScN薄膜原子層沉積

隨著半導(dǎo)體和微電子器件的發(fā)展，要求原子級制造精度，材料的純度限制變得極端。在半導(dǎo)體開發(fā)的2納米節(jié)點(diǎn)，線寬大約有40個原子！其中較為有趣的材料之一是鐵電材料鋁氮化鈧（AlScN），這是一種維爾茲結(jié)構(gòu)的固溶體材料，結(jié)合了鋁鎬優(yōu)越的壓電性能與通過釹摻雜引入的鐵電行為。AlScN已在非易失性存儲器、能量采集、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、射頻濾波器和光學(xué)器件方面展現(xiàn)出突破性潛力。所有應(yīng)用都需要具有原子級精度的共形超純薄膜。近期，由 Kurt J. Lesker Company、賓夕法尼亞州立大學(xué)、麻省理工學(xué)院（MIT）
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半導(dǎo)體晶圓制造熱回路優(yōu)化

為實(shí)現(xiàn)下一代 PPAC（功率、性能、面積、成本）目標(biāo)，半導(dǎo)體制造商不斷縮小器件尺寸，采用更復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)和更特殊的材料。同時，制造流程需在更極端的溫度下進(jìn)行，進(jìn)出工藝腔室的物料流量也持續(xù)增加。原子層沉積（ALD）和原子層刻蝕（ALE）等工藝會產(chǎn)生大量熱量，這些熱量需快速排出，以確保晶圓上發(fā)生正常的化學(xué)反應(yīng)。隨著器件結(jié)構(gòu)尺寸縮小、復(fù)雜度提升，且工藝工程師追求更快的刻蝕速率，工藝過程中產(chǎn)生的熱量不斷增多。由于需要排出的熱量增加，設(shè)備原始設(shè)備制造商（OEM）對冷水機(jī)的制冷溫度要求越來越低。例如，Lam 去年推出
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將AI工作負(fù)載推向邊緣

專家們在桌上：半導(dǎo)體工程召集了一群專家，討論一些AI工作負(fù)載如何更適合設(shè)備端處理，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性能、避免網(wǎng)絡(luò)連接問題、降低云計算成本并確保隱私。小組成員包括Frank Ferro，他是該組織的團(tuán)體主管。硅Cadence的解決方案組;愛德華多·蒙塔涅斯，副英飛凌PSOC邊緣微控制器與邊緣AI解決方案、物聯(lián)網(wǎng)、無線及計算業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人;Keysight高級總監(jiān)Alexander Petr;Raj Uppala，市場營銷與合作伙伴高級總監(jiān)硅Rambus的知識產(chǎn)權(quán);西門子EDA中央人工智能產(chǎn)品經(jīng)理Niranjan
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 AI 云計算物聯(lián)網(wǎng)