久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

High-k

　　High-K究竟是什么神奇的技術？這要從處理器的制造原料說起。 　　由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，因此過去40余年來，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質的材料。 　　當英特爾導入65納米制造工藝時，雖已全力將二氧化硅閘極電介質厚度降低至1。2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時，耗電和散熱亦會同時增加，產生電流浪費和不必要的熱能，因此若繼續采用目前材料，進一步減少厚度，閘極電介質的漏電情況勢將會明顯攀升，令縮小晶體管技術遭遇極限。

相關標簽

high-k high-k金屬閘極