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標(biāo)簽 High-k技術(shù)社區(qū)

high-k

  High-K究竟是什么神奇的技術(shù)?這要從處理器的制造原料說起。   由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能,因此過去40余年來,處理器廠商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質(zhì)的材料。   當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時,雖已全力將二氧化硅閘極電介質(zhì)厚度降低至1。2納米,相當(dāng)于5層原子,但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時,耗電和散熱亦會同時增加,產(chǎn)生電流浪費和不必要的熱能,因此若繼續(xù)采用目前材料,進一步減少厚度,閘極電介質(zhì)的漏電情況勢將會明顯攀升,令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。查看更多>>

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