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High-k

　　High-K究竟是什么神奇的技術(shù)？這要從處理器的制造原料說起。 　　由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能，因此過去40余年來，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質(zhì)的材料。 　　當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時(shí)，雖已全力將二氧化硅閘極電介質(zhì)厚度降低至1。2納米，相當(dāng)于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí)，耗電和散熱亦會(huì)同時(shí)增加，產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能，因此若繼續(xù)采用目前材料，進(jìn)一步減少厚度，閘極電介質(zhì)的漏電情況勢將會(huì)明顯攀升，令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。

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