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制造工藝

制造工藝技術(shù)社區(qū)為您提供最新的制造工藝相關(guān)技術(shù)資訊、制造工藝的技術(shù)資料、制造工藝的電路設(shè)計(jì)方案、制造工藝的視頻資料、制造工藝的相關(guān)元器件資料以及制造工藝的技術(shù)應(yīng)用。

對(duì)比臺(tái)積電，溯源英特爾制造工藝落后與代工業(yè)務(wù)困境

英特爾代工業(yè)務(wù)的技術(shù)落后并非單一環(huán)節(jié)的失誤，而是從制程研發(fā)節(jié)奏、技術(shù)路線選擇、運(yùn)營成本控制到生態(tài)協(xié)同的系統(tǒng)性失衡。...

臺(tái)積電英特爾 2026-02-06

韓研究院報(bào)告：絕大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)已被中國趕超

2 月 23 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，韓國科技評(píng)估與規(guī)劃研究院（KISTEP）23 日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告指出，韓國絕大多數(shù)的半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)被中國趕超。研究院針對(duì) 39 名國內(nèi)專家實(shí)施問卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，韓國所有半...

韓研究院半導(dǎo)體技術(shù) 2025-02-24

漲知識(shí)！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對(duì)氮化鎵功率器件的外延...

氮化鎵 GaN 2024-06-17

半導(dǎo)體制造工藝——挑戰(zhàn)與機(jī)遇

半導(dǎo)體元件制造涉及到一系列復(fù)雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應(yīng)用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應(yīng)用的需求?！狝ndreas Bier | Sr Principal Product Marketing Specia...

元件制造半導(dǎo)體 2024-01-12

黃仁勛盛贊英特爾下一代制造工藝，有望委托代工英偉達(dá) AI 芯片

5 月 30 日消息，黃仁勛昨天出席臺(tái)北電腦展主題演講后，今天再度現(xiàn)身與全球記者及分析師進(jìn)行問答，共有約 150 名來自國內(nèi)外記者及分析師出席。他表示：公司供應(yīng)鏈將力求實(shí)現(xiàn)多元化，而這一點(diǎn)目前已經(jīng)做到了。H100 是由臺(tái)...

黃仁勛英特爾 2023-05-31

TechInsights：關(guān)于納米的謊言

代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會(huì)謊報(bào)自己的年齡或體重，但若公司出現(xiàn)了謊報(bào)行為，則可視為虛假廣告或至少構(gòu)成了品牌稀釋。最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)就出現(xiàn)了這種情況，當(dāng)時(shí)，兩家領(lǐng)先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而...

TechInsights 代工廠 2022-08-19

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制造工藝

對(duì)比臺(tái)積電，溯源英特爾制造工藝落后與代工業(yè)務(wù)困境

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多點(diǎn)支撐：滾珠導(dǎo)軌的均勻分布優(yōu)勢(shì)！

集成電路制造工藝技術(shù)

CMOS集成電路制造工藝

集成工藝制造

PCB 制造工藝簡(jiǎn)述

pcb制造工藝綜述

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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