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對比臺積電，溯源英特爾制造工藝落后與代工業(yè)務(wù)困境

英特爾代工業(yè)務(wù)的技術(shù)落后并非單一環(huán)節(jié)的失誤，而是從制程研發(fā)節(jié)奏、技術(shù)路線選擇、運營成本控制到生態(tài)協(xié)同的系統(tǒng)性失衡。...

臺積電英特爾 2026-02-06

韓研究院報告：絕大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)已被中國趕超

2 月 23 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，韓國科技評估與規(guī)劃研究院（KISTEP）23 日發(fā)布的一份調(diào)查報告指出，韓國絕大多數(shù)的半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)被中國趕超。研究院針對 39 名國內(nèi)專家實施問卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，韓國所有半...

韓研究院半導(dǎo)體技術(shù) 2025-02-24

漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延...

氮化鎵 GaN 2024-06-17

半導(dǎo)體制造工藝——挑戰(zhàn)與機(jī)遇

半導(dǎo)體元件制造涉及到一系列復(fù)雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應(yīng)用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應(yīng)用的需求。——Andreas Bier | Sr Principal Product Marketing Specia...

元件制造半導(dǎo)體 2024-01-12

黃仁勛盛贊英特爾下一代制造工藝，有望委托代工英偉達(dá) AI 芯片

5 月 30 日消息，黃仁勛昨天出席臺北電腦展主題演講后，今天再度現(xiàn)身與全球記者及分析師進(jìn)行問答，共有約 150 名來自國內(nèi)外記者及分析師出席。他表示：公司供應(yīng)鏈將力求實現(xiàn)多元化，而這一點目前已經(jīng)做到了。H100 是由臺...

黃仁勛英特爾 2023-05-31

TechInsights：關(guān)于納米的謊言

代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，但若公司出現(xiàn)了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構(gòu)成了品牌稀釋。最近的半導(dǎo)體市場就出現(xiàn)了這種情況，當(dāng)時，兩家領(lǐng)先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而...

TechInsights 代工廠 2022-08-19

英特爾公布技術(shù)路線圖：10年后推1.4納米工藝

據(jù)外媒報道，在今年的IEEE國際電子設(shè)備會議（IEDM）上，芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖，包括2029年推出1.4納米制造工藝。...

英特爾 1.4納米 2019-12-16

研究關(guān)于鉛酸蓄電池制造工藝流程及主要設(shè)備

1、極板的制造包括：鉛粉制造、板柵鑄造、極板制造、極板化成等。⑴鉛粉制造設(shè)備鑄粒機(jī)或切段機(jī)、鉛粉機(jī)及......

鉛酸蓄電池制造工藝 2014-01-05

TFT-LCD制造工藝過程

●通過前玻璃基板/彩色濾光基板工藝過程形成精確排列的彩色濾光層。●薄膜基板工藝形成薄膜晶體管液晶（TFT......

TFT-LCD 制造工藝 2012-10-23

電源逆變器的制造工藝問答

1．電源逆變器的持續(xù)輸出功率與峰值輸出功率有什么不同？持續(xù)功率和峰值功率因其表達(dá)的意義而不同。......

電源逆變器 2012-05-19

LED球形屏的兩種不同制造工藝和實際用途

球形led顯示屏，在制作上分類兩種：1、整球形led顯示屏。一般這樣的球比較小，直徑2米左右，能夠在近處觀看整體；2、半球形led顯示屏。一般這樣的球比較大，需要在遠(yuǎn)處才能觀看。LED球形屏制作，基本分為以下幾種方式...

LED 制造工藝 2012-04-11

LDMOS的性能與制造工藝

LDMOS的性能概述　　與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6d ......

LDMOS 性能 2012-02-11

LED制造工藝流程從擴(kuò)片到包裝

1.LED芯片檢驗鏡檢：材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點麻坑（lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極......

LED 制造工藝 2011-08-16

英特爾關(guān)注未來行業(yè)

　　據(jù)外媒報道，英特爾于昨日發(fā)布聲明表示，公司將在美國工廠新一代制造工藝上投資60億-80億美元。　　...

英特爾制造工藝 2010-10-20

提高射頻功率放大器效率的技術(shù)路線及其比較

　　在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動通信標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及...

射頻功率放大器 2008-07-21

半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展及封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

　　半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進(jìn)一步提高的關(guān)鍵性因素。轉(zhuǎn)向低k銅工藝技術(shù)是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統(tǒng)的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標(biāo)準(zhǔn)制造工藝。　　為了能與芯片制...

半導(dǎo)體集成電路 2008-06-30

便攜式產(chǎn)品的單芯化成為趨勢

　　市場需求和技術(shù)支撐組成了便攜式產(chǎn)品走向全面單芯化的雙重推動力。用于便攜式產(chǎn)品的SoC正在大規(guī)模地包容包括ADC和PLL在內(nèi)的模擬電路，單芯化設(shè)計有助于減少元件數(shù)量、芯片占板面積、BOM以及芯片功耗等。　　集眾多...

消費電子單芯片 2007-11-15

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

摘要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品...

LDMOSFET MOSFET 2007-03-12

淺論臺灣放寬半導(dǎo)體投資限制

提起半導(dǎo)體制造，臺灣是全球工藝的領(lǐng)先者，而半導(dǎo)體制程則是臺灣少數(shù)幾個沒有對大陸開放投資的項目。這一次，臺灣經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)召開“大陸投資政策審查會議”，會后宣布，茂...

半導(dǎo)體制造工藝 2007-01-01

ST的TCG 1.2可信平臺模塊進(jìn)軍0.15微米制造工藝

極具成本效益的TPM解決方案，專門為PC制造商和OEM廠商設(shè)計，達(dá)到可信計算組最新標(biāo)準(zhǔn) 全球第一個推出完全符合TCG(可信計算組)TPM1.2規(guī)范的可信平臺模塊(TPM)的芯片制造商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易...

0.15微米 1.2可信平臺模塊 2006-11-08

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