NAND flash技術(shù)社區(qū)

NAND Flash

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。查看更多>>

全部資訊專欄資料電路論壇

NAND flash資訊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來(lái)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)三期擴(kuò)產(chǎn)與未來(lái)目標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國(guó)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場(chǎng)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2026-02-05

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首個(gè)LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國(guó)產(chǎn)

存儲(chǔ)器缺貨嚴(yán)峻持續(xù)擴(kuò)大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國(guó)際存儲(chǔ)器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場(chǎng)，導(dǎo)致消費(fèi)性、汽車市場(chǎng)等將首當(dāng)其沖，國(guó)內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國(guó)特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) LPDDR5 2026-02-03

NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場(chǎng) 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨(dú)特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域...

NOR Flash 2026-02-02

卷翻內(nèi)存市場(chǎng) 中國(guó)存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出以「史無(wú)前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對(duì)臺(tái)廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲(chǔ)廠商 2026-02-02

240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計(jì)將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。...

美光 NAND 2026-01-29

240億美元！美光擴(kuò)建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動(dòng)資料中心硬體需求激增，美國(guó)，存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其NAND Flash的生產(chǎn)能...

美光科技 NAND 2026-01-29