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S7 MOSFET資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構(gòu)高功率生態(tài)

在電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來(lái)功率需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動(dòng)力 MOSFET 領(lǐng)域進(jìn)一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項(xiàng)專注于下一代汽車動(dòng)力MOSFET技術(shù)的新長(zhǎng)期協(xié)議。該交易重點(diǎn)在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

簡(jiǎn)介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個(gè)新水平，同時(shí)滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29