十八在线观看免费播放电视剧大全,国产精品99精品久久免费,婷婷五月综合激情

這種“二維”晶體管工藝能否改變邏輯和功率器件的生產？

CDimension最近發布了一項技術，使傳統半導體晶圓廠能夠使用超薄半導體材料制造垂直集成的極小、快速且高效的“二維”晶體管陣列。它有潛力改變數字和功率器件的可能性。據公司介紹，它已經幫助多家芯片制造商探索如何將技術應...

CDimension 二維 2026-01-23

英飛凌推出首款100V車規級晶體管，推動汽車領域氮化鎵（GaN）技術創新

簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的...

英飛凌 CoolGaN 100V G1系列 2026-01-16

跟上人工智能的步伐：為什么全環門晶體管是答案

人工智能（AI）已成為當今半導體擴展的工作負載。無論是在超大規模數據中心訓練基礎模型，還是在網絡邊緣執行嚴格功耗范圍的推理，人工智能都依賴于單位面積內裝入更多晶體管，同時降低每次作的功耗。在半導體領域，更高的密度和效率等...

人工智能半導體 2026-01-15

Imec推動未來邏輯擴展的二維材料器件技術

Imec在本周的IEEE國際電子器件會議（IEDM 2025）上公布了二維材料晶體管集成的兩項關鍵進展，重點介紹了采用單層WSe?和與行業合作伙伴共同開發的新型晶圓廠兼容工藝模塊的創紀錄性能p型場效應晶體效應晶體管。這項...

晶體管場效應 2025-12-19

垂直氮化鎵晶體管：起飛時間

垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創企業將垂直氮化鎵晶體管商業化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業上取得了成功，部...

氮化鎵晶體管 2025-11-10

GAA晶體管市場規模、份額和趨勢預測（2034）

全方位柵極（GAA）晶體管市場規模是多少？2024年全球柵極全環（GAA）晶體管市場規模為6.0005億美元，預計將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復合年...

GAA 晶體管 2025-09-30

麻省理工學院工程師用磁性材料制造晶體管

我們當中一定年齡的人仍然記得每一代新一代視頻游戲機的發布所帶來的圖形的巨大改進。與最初的 NES 相比，超級任天堂是一個巨大的飛躍，與超級任天堂相比，任天堂 64 同樣是一個巨大的升級。但如今，當更新的硬件發布時，很難區...

麻省理工學院磁性材料 2025-09-26

雙脈沖測試系統如何確保晶體管性能可比較性

在電源轉換器設計中，為確保電源晶體管的性能評估準確性，選擇合適的器件至關重要。理想情況下，功率半導體供應商提供的數據表應包含一致且可比較的動態參數。然而，在實際操作中，尤其是針對表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動態開...

雙脈沖測試晶體管 2025-05-12

臺積電推1.4nm 技術：第2代GAA晶體管，全節點優勢2028年推出

臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節點將依賴其第二代全環繞柵極（GA...

臺積電 1.4nm 2025-04-24

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業用GaN晶體管產品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方...

英飛凌肖特基二極管 2025-04-22

單相整流

整流是通過固態半導體器件將交流電源連接到直流負載的過程。整流通過二極管、晶閘管、晶體管或轉換器將振蕩的正弦交流電壓源轉換為恒定的直流電壓供應。這一整流過程可以采取多種形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，將單相或三相...

單相整流二極管 2025-03-06

功放的ABCD類

1、純Class A（甲類）功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時，晶體管的正負通道不論有或沒有信號都處于常開狀態，這就意味著更多的...

功率放大器模擬電路 2024-10-14

麻省理工學院：新型晶體管以納秒級速度開關

新的晶體管技術可能會對電子產品產生重大影響。...

晶體管 2024-08-07

基于運算放大器和晶體管的模擬方波發生器設計

模擬振蕩器電路通常用于產生用于同步電路定時的方波時鐘信號。本文介紹了模擬方波發生器的理論、設計和關鍵特性。許多電子系統需要定時機制。這通常是通過時鐘信號完成的，時鐘信號是特定頻率的方波。對于許多應用，時鐘信號是通過方波振...

運算放大器晶體管 2024-07-31

下一代半導體：二維材料未來7年路線圖

二維材料從研究到工業應用的轉變帶來了各種挑戰。...

晶體管二位材料 2024-07-09

晶體管施密特觸發器工作原理，圖文+實際案例

今天給大家分享的是：晶體管施密特觸發器工作原理。施密特觸發器是一種邏輯輸入類型，可為上升沿和下降沿提供遲滯或兩個不同的閾值電壓電平。當我們想要從有噪聲的輸入信號中獲取方波信號時，使用晶體管施密特觸發器，可以避免錯誤。晶體...

晶體管施密特觸發器 2024-07-03

還不會設計晶體管施密特觸發器？不要錯過

今天給大家分享的是晶體管施密特觸發電路設計。主要是關于：1、晶體管搭建的施密特觸發器2、如何設計晶體管施密特觸發電路？3、怎么改進晶體管施密特觸發電路一、施密特觸發器有什么作用？施密特觸發器是一個決策電路，用于將緩慢變化...

晶體管施密特觸發器 2024-06-21

使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和...

CMOS MOSFET 2024-06-18

幾年的原理圖沒白干，總結了這么多晶體管的應用知識~

晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：B...

晶體管電路設計 2024-05-24

一文讀懂｜晶體管是怎么來的

現在，3nm制程工藝的CPU已經在大面積使用了。那么，你知道芯片里面這個3nm晶體管是怎么來的嗎？它到底有什么神奇功能？1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖...

晶體管 2024-05-16

研究人員開發出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲大腦實現避障

IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學院孟買分校和倫敦國王學院的研究人員合作開發了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲的神經元來實現避障功能，有望降低未來人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動駕駛和機...

晶體管人工智能 2024-04-23

通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管 BJT 2024-04-10

基礎知識之晶體管

一、晶體管的功能晶體管具有放大和開關電信號的功能。比如在收音機中，會擴大（放大）空中傳輸過來的非常微弱的信號，并通過揚聲器播放出來。這就是晶體管的放大作用。另外，晶體管還能僅在事先確定的信號到達時才工作，這時發揮的是...

晶體管 2024-03-21

模擬集成電路設計中的MOSFET非理想性

MOS晶體管表現出理想模型所沒有的各種二階效應。為了設計在現實世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結構和工作區域。我們討論的模型描繪了一個理想的MOSFET，...

MOSEFT 晶體管 2024-01-18

萬億級晶體管芯片之路

臺積電、英特爾都在規劃如何走向萬億級晶體管。...

晶體管 2024-01-16

必看！IGBT基礎知識匯總！

01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管...

IGBT 晶體管 2024-01-03

IBM展示了首個針對液氮冷卻進行優化的先進CMOS晶體管

IBM在2023年12月早些時候的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上展示了首個針對液氮冷卻進行優化的先進CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級研究員鮑汝強表示：“納米片器件結構...

IBM 芯片 2023-12-22

Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅動器

美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適...

Power Integrations 短路保護 2023-12-13

GaN晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優勢。...

GaN 晶體管 2023-10-07

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？

如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 ...

氮化鎵晶體管 2023-09-14

3D 晶體管的轉變

迷人的技術革命。...

晶體管 3D 晶體管 2023-07-17

晶體管的第一個76年：變小了，卻變大了？

1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重要組成部分。晶體管被譽為2...

新思科技晶體管 2023-06-21

雙極結型晶體管的電流增益

如果您施加一個足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發射極結，電流將從輸入端流過 R B，通過 BE 結，到達地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經 R C...

晶體管 2023-06-09

意法半導體發布100V工業級STripFET F8晶體管

2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。&...

意法半導體 STripFET F8 2023-05-24

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種...

MOS 晶體管 2023-05-22

干貨總結｜晶體管的應用知識

晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。...

晶體管 2023-03-28

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果...

GaN HEMT 2023-03-08

妙趣橫生的電子小知識　第1篇：初識晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準自己是否已經理解了”的人。第一個應該了解的要數“晶體管”了...

ROHM 晶體管 2023-03-03

基于晶體管VBE 的振蕩器測量溫度

模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發表在 AN45...

晶體管 VBE 2023-02-21

復旦大學研發出晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，集成度翻倍并實現卓越性能

IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統集成電路技術使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結構，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現。例如，大家最常見的案...

復旦大學晶體管 2022-12-12