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STM32V8如何利用FD-SOI和相變存儲器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的 STM32V8 系列專為高性能、高可靠性嵌入式應(yīng)用設(shè)計，可提供穩(wěn)定存儲、網(wǎng)絡(luò)連接及基礎(chǔ)人工智能（AI）支持。該系列基于 800 兆赫茲 Arm Cortex-85 內(nèi)...

FD-SOI 相變存儲器 2025-11-24

聯(lián)電推出55納米BCD平臺，實現(xiàn)節(jié)能設(shè)計

聯(lián)合微電子公司（UMC）推出了一種新的 55 納米 BCD 平臺，也稱為 55 納米 BCD 技術(shù)，旨在為下一代移動、消費、汽車和工業(yè)設(shè)備提供更高的性能和能效。該代工廠的最新工藝節(jié)點可幫助設(shè)計人員管理日益復(fù)...

聯(lián)電 55納米 2025-10-27

FD-SOI：用于安全汽車電子的網(wǎng)絡(luò)彈性基板

關(guān)鍵FD-SOI 技術(shù)可針對激光故障注入（LFI）提供強大的防御，這是一種可能危及加密和安全關(guān)鍵型硬件的精確方法。LFI 是在受控條件下探測硅漏洞的黃金標準，隨著金屬層的厚度越來越大，背面訪問的使用越來越多，這使得基...

FD-SOI 汽車電子 2025-10-26

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI...

X-FAB BCD-on-SOI 2024-12-05

安森美推出業(yè)界領(lǐng)先的模擬和混合信號平臺

新聞概要●? ?Treo平臺基于65納米節(jié)點的BCD工藝技術(shù)，支持同行業(yè)領(lǐng)先的1- 90V寬電壓范圍和高達 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺將幫助客戶簡化設(shè)計流程，降低系統(tǒng)成本，并加快在汽車、醫(yī)療、工業(yè)、AI數(shù)...

安森美模擬和混合信號 2024-11-12

晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現(xiàn)優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過BSI NIR+技術(shù)，安防監(jiān)控攝像頭可以使用...

晶像光電 SOI 2024-10-23

晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案

晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。可搭配不同平臺SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)...

晶像光電 SOI JX-F355P 2024-06-24

意法半導(dǎo)體為MCU開啟FD-SOI時代

意法半導(dǎo)體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術(shù)應(yīng)用在通用32位MCU市場領(lǐng)先的STM32系列MC...

意法半導(dǎo)體 MCU 2024-03-29

SOI芯片熱潮再起，中國市場信心大增

受到美國政府的干擾，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時也給原來沒有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進制程工藝演進到 10nm 時，當時昂貴...

SOI 2023-10-26

解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題， Power-SOI 推動智能功率器件創(chuàng)新

混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設(shè)計如今廣受關(guān)注，一個重要的技術(shù)趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車，它還適用于...

Power-SOI Soitec 2023-08-30

X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，...

X-FAB 110納米 2023-06-02

攻克復(fù)雜性障礙：下一代 SOI 天線調(diào)諧

過去十年，天線調(diào)諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調(diào)諧能力提高了設(shè)計靈活性，并大幅改善了性能。復(fù)雜射頻世界中的器件性能有時候，科...

Qorvo SOI 2023-03-03

大聯(lián)大友尚集團推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)攝像機(IPC)方案

致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò)攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于C...

大聯(lián)大友尚 CVITEK 2023-02-15

ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點，包...

FD-SOI GAAFET 2022-08-19

意法半導(dǎo)體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠，推進 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)

·????? 隨著世界經(jīng)濟向數(shù)字化和脫碳轉(zhuǎn)型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術(shù)，包括格芯排名前列的 FDX? 技術(shù)和意法半導(dǎo)體針對汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)...

意法半導(dǎo)體 12英寸 2022-07-14

CEA、Soitec、格芯、意法半導(dǎo)體攜手推動下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃

CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導(dǎo)體宣布一項新合作協(xié)議，四家公司計劃聯(lián)合制定產(chǎn)業(yè)之下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體組件和FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。...

CEA Soitec 2022-04-26

ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎長跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機電子工程師學(xué)會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導(dǎo)體制...

ST BCD 2021-05-24

田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設(shè)計與仿真

介紹了一種田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設(shè)計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經(jīng)過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計，有效避免了平面內(nèi)和垂直方向的交叉軸干擾的...

微加速度計 SOI 2021-02-26

Soitec以新技術(shù)為自動駕駛發(fā)展保駕護航

作為一家設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來助力整個信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新，通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別...

Soitec RF-SOI 2020-07-19

華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺 BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源...

BCD 電源管理 2020-04-29

格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄，未來將長期供應(yīng)12英寸SOI晶圓

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓（Globalwafers.Co.,Ltd）簽訂合作備忘錄(MOU)，協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負責對格芯12英寸...

硅晶圓 SOI 2020-02-28

硬核技術(shù)創(chuàng)新加持，華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時代添飛翼

中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部，發(fā)展速度遠超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進，讓更廣泛的智能時代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足C...

RF-SOI BCD 2019-12-16

Soitec發(fā)布2020上半財年報告，同比增長30%，達成全財年財測預(yù)期

作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導(dǎo)體公司于11月27日公布了2020上半財年業(yè)績（截止至2019年9月30日）。???????? 2020上半財年銷售額為2.585億歐元，按固定匯率和邊界...

SOI 材料 2019-12-09

格芯為互聯(lián)系統(tǒng)的22FDX平臺帶來新級別的安全性和保護

近日，作為先進的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠，格芯（GF?）今日宣布正在與Arm?展開合作，為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供基于FD-SOI的格芯22FDX?平臺安全芯片上系統(tǒng)（SoC）解決方案。隨著逆向工程的威脅和其他對IP的非法威脅日益...

FD-SOI 安全 2019-10-14

設(shè)計瞄準5G汽車物聯(lián)網(wǎng)，工藝何不就選FD-SOI

作為本世紀初被開發(fā)以面對22nm以后半導(dǎo)體工藝難題的兩大制程技術(shù)之一，F(xiàn)D-SOI顯然從知名度上遠遠不如FINFET那樣耳熟能詳，從應(yīng)用的廣度上.........

FD-SOI 芯原微電子 2019-09-22

SOI 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟上海論壇期間頒獎，村田、中芯領(lǐng)導(dǎo)人獲獎

2019年9月17日中國上海 -? SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟( SOI微電子完整價值鏈的領(lǐng)先行業(yè)組織)今日宣布了半導(dǎo)體行業(yè)的兩位杰出獲獎?wù)?分別是來自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事長兼首席技術(shù)官Jim Cab...

SOI RF 2019-09-18

格芯宣布與Soitec達成多個SOI晶圓供貨協(xié)議

日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，...

格芯 Soitec 2019-06-13

格芯和Dolphin Integration 推出適用于5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車級應(yīng)用的差異化FD-SOI自適應(yīng)體偏置解決方案

　　格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作研發(fā)自適應(yīng)體偏置(ABB)系列解決方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX?)工藝技術(shù)芯片上系統(tǒng)(So...

格芯 FD-SOI 2019-02-22

意法半導(dǎo)體開始提供汽車微控制器嵌入式PCM樣片

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)在IEDM2018國際電子器件展會上，公布了內(nèi)置嵌入式相變存儲器(ePCM)的...

意法半導(dǎo)體 FD-SOI 2018-12-12

華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)

特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換...

0.18 BCD 2018-10-10

Soitec參加SOI高峰論壇，探討SOI技術(shù)在中國發(fā)展

　　作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，Soitec半導(dǎo)體公司于2018年9月18日至19日參加了在上海由SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟舉辦的第六屆FD-SOI高峰論壇暨國際RF-SOI研討會(Shanghai FD-SO...

Soitec FD-SOI 2018-09-18

中科院院士王曦帶領(lǐng)團隊制備國際一流的SOI晶圓片

　　在許多人眼中，中科院院士、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦既是一位具有全球視野的戰(zhàn)略科學(xué)家，也是一位開拓創(chuàng)新而又務(wù)實的企業(yè)家。他帶領(lǐng)團隊制備出了國際最先進水平的SOI晶圓片，解決了我國航天電子器件急需SOI產(chǎn)...

SOI 2018-03-27

格芯推出面向下一代移動和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及...

格芯 RF-SOI 2017-09-29

格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)

　　5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。　　9月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO...

格芯 FD-SOI 2017-09-29

格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車雷達、WiGig、衛(wèi)星通信以及無線回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(...

格芯 FD-SOI 2017-09-26

格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22F...

格芯 FD-SOI 2017-09-25

大容量的全新市場正在推動半導(dǎo)體商機的涌現(xiàn)

預(yù)計半導(dǎo)體和代工市場將在2016-2020年出現(xiàn)強勁成長，半導(dǎo)體年復(fù)合增長率達4.4%，代工業(yè)年復(fù)合增長率達7.1%，而且中國代工廠的年復(fù)合增長率更高，達20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha...

半導(dǎo)體市場 FD-SOI 2017-02-28

莫大康冷靜看待成都的“格芯”

　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線，GF占51%，并引入中國半導(dǎo)體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。　　“格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點：...

SOI 格芯 2017-02-16

胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。　　眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時代續(xù)命...

FinFET FD-SOI 2017-02-15

SOI與finFET工藝對比中國需要發(fā)展誰才正確

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。...

SOI finFET 2017-02-06