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自旋芯片與技術全國重點實驗室發布全球首款單片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

本次技術突破有力推動了 SOT-MRAM 技術的發展及產業化進程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召開的「第一屆自旋芯片與技術研討會」上，自旋芯片與技術全國重點實驗室發布了全球首款單片容量達到 4 Mb ...

SOT-MRAM 2026-02-10

2025年MRAM全球創新論壇將展示MRAM技術創新、進展及行業專家的研究成果

MRAM全球創新論壇是行業內磁阻隨機存取存儲器（MRAM）技術的頂級平臺，匯聚了來自業界和學術界的頂尖磁學專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會議將于2025年12月11日IE...

MRAM 存儲技術創新 2025-12-10

瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產品。全新MCU產品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），...

瑞薩 MCU 2025-10-22

特斯拉集團與SRAM & MRAM攜手建設全球電動汽車電池超級工廠

據印度報業托拉斯報道，為大力推動電動汽車（EV）電池制造發展，特斯拉集團與SRAM & MRAM集團日前達成一項價值10億美元的里程碑式合作協議。此次合作不僅計劃在印度建設5座先進的電動汽車電池超級工廠，還將在包括美國、...

特斯拉 SRAM & MRAM 2025-09-26

首款2nm SRAM，為AI數據中心帶來什么？

SRAM 廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無需訪問外部存儲器，其速度甚至可以更快。...

SRAM 2025-09-10

新興存儲，開始走嵌入式路線

新興內存已不再只是未來的前景。在嵌入式系統中，它正在成為現實。...

MRAM ReRAM 2025-06-03

臺積電計劃建立首個歐洲設計中心瞄準5納米車用MRAM

TSMC 將在歐洲建立其第一個設計中心，并正在尋求汽車應用內存技術的重大飛躍。歐盟設計中心（EUDC）將設在慕尼黑，預計將專注于汽車，但也將支持工業應用、人工智能（AI）、電信和物聯網（IoT）的芯片設計。考慮...

臺積電 5納米 2025-05-28

基于SRAM的FPGA技術創新：快速安全啟動機制深度解析

在可編程邏輯器件領域，基于SRAM的FPGA經常被誤解。這些FPGA具有極高的靈活性和可重新配置特性，是從消費電子到航空航天等各類應用的理想選擇。此外，基于SRAM的FPGA還能帶來高性能和低延遲，非常適合實時數據處理和...

SRAM FPGA 2025-04-28

轉向納米晶體管是SRAM的福音

上周在 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18...

納米晶體管 SRAM 2025-03-05

從閃存到MRAM：滿足現代FPGA配置的需求

在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對...

閃存 MRAM 2025-02-22

英特爾18A節點SRAM密度與臺積電持平背面功率傳輸是一大優勢

英特爾在國際固態電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統與 RibbonF...

英特爾 18A 2025-02-21

IMEC，加碼MRAM

不只是 imec，當下諸多研究機構紛紛表示，看好 MRAM。...

MRAM 2025-01-16

一種新型存儲技術問世

大阪大學的研究人員介紹了一項創新技術，可以降低現代存儲設備的功耗。...

磁阻RAM MRAM 2025-01-14

鎧俠即將發布三大創新研究成果

自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以...

鎧俠存儲技術 2024-10-24

【供應商亮點】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術集成至Gravity SUV車型

Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運...

Everspin Lucid Motors 2024-10-18

MRAM，新興的黑馬

1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數據，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進...

磁變存儲器 MRAM 2024-10-15

臺積電新型存儲技術問世，功耗僅為同類技術的1%

臺積電利用其自身先進的制程優勢，正在積極推動新型存儲產業的發展。...

MRAM 2024-02-05

實戰經驗 | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數據保留

01 問題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數據在退出 standby模式后得以保持。根據手冊的描述，配置了相應的比特位，但是發現數據仍然保持不了。02 問題的復...

STM32G071 standby 2023-12-28

MRAM：RAM和NAND再遇強敵

M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現數據的存儲。由于產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗...

MRAM 2023-11-23

迷人的新型存儲

多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現代社會已經進入大數據、物聯網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰...

MRAM ReRAM 2023-03-17

尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(...

功耗三星 2022-10-30

工業儲存技術再進化完美內存MRAM現身

近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統的主要組件，閃存（F...

工業儲存 MRAM 2022-09-12

SRAM正在測試3D打印原型曲柄

SRAM正在通過與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于這種人工智能設計流程，我們可能會看到完全重新構想的SRAM曲柄投放市場。不容置...

SRAM 3D打印 2021-05-26

一文讀懂｜三大新興存儲技術：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁...

存儲技術 MRAM 2021-04-26

格芯贏得AI芯片業務

像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術，但初創公司和其他規模較小的公司卻因為復雜的設計規則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術提供了一條...

AI CNN 2020-08-21

使用帶有片上高速網絡的FPGA的八大好處

引言自從幾十年前首次推出FPGA以來，每種新架構都繼續在采用按位（bit-wise）的布線結構。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著高速通信標準的興起，總是要求不斷增加片上總線位寬，以支持這些新的數據速率。這種限制的一個后...

ATT FCU 2020-06-04

瑞薩電子宣布擴大IP授權范圍

全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權范圍，幫助設計師能夠在瞬息萬變的行業中滿足廣泛的客戶需求。自即日起，客戶將可訪問諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCA...

IP SRAM 2019-10-24

MRAM技術新突破！臺灣清大團隊發表新磁性翻轉技術

　　全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日...

MRAM DRAM 2019-03-26

MRAM將改變半導體市場的格局？三星已開始大量生產

　　據報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和...

MRAM 三星 2019-03-08

英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

　　在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。　　MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨...

英特爾 MRAM 2018-12-20

聯華電子和美商Avalanche合作技術開發MRAM及相關28納米產品

　　聯華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發和生產取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時聯華電子也將透過Ava...

聯華電子 MRAM 2018-08-06

嵌入式存儲器的過去與現在

近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年...

嵌入式存儲器 MRAM 2018-07-30

基于J750EX測試系統的SRAM VDSR32M32測試技術研究

作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發的一種高速、大容量的靜態隨機器(SRAM)用其對大...

SRAM 測試 2018-07-25

基于 QDR-IV SRAM 實現網絡流量管理統計計數器 IP設計

網絡路由器帶有用于性能監控、流量管理、網絡追蹤和網絡安全的統計計數器。計數器用來記錄數據包到達和離開的次數以及特定事件的次數，比如當網絡出現...

SRAM 網絡 2018-07-25

使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能

　　半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 ...

STT MRAM 2018-05-23

新式儲存結構能加速MRAM市場起飛嗎？

　　MRAM新創公司STT開發出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加...

MRAM SRAM 2018-05-04

如何給汽車系統選擇合適的非易失性存儲器

　　汽車系統的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。...

MRAM FRAM 2018-01-30

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

　　RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。　...

SRAM DRAM 2018-01-12

嵌入式存儲器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？

　　隨著超大規模集成電路工藝的發展，人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統)。作為SoC重要組成部分的...

存儲器 SRAM 2017-12-21

賽普拉斯授權UMC生產的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級 QML 認證

　　包括抗輻射存儲器在內的先進嵌入式系統解決方案市場領導者賽普拉斯半導體公司和全球領先的半導體代工廠聯華電子股份有限公司(以下簡稱“UMC”)今日聯合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm&...

賽普拉斯 SRAM 2017-11-17